Aspects of using of sheet thermomigration of the Al+Si three-dimensional liquid zone to form semiconductor power devices
Gespeichert in:
| Datum: | 2023 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | O. S. Polukhin, V. V. Kravchina |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
2023
|
| Schriftenreihe: | Technology and design in electronic equipment |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001441047 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
-
Термоміграція довільно орієнтованих рідких лінійних зон Al-Si крізь пластини кремнію (110)
von: Polukhin, Оlекsіі, et al.
Veröffentlicht: (2021) -
Особливості застосування листової термоміграції трирозмірної рідкої зони Al+Si для формування напівпровідникових силових приладів
von: Polukhin, Оlекsіі, et al.
Veröffentlicht: (2023) -
Electron beam welding of thin-sheet three- dimensional structures of aluminium alloys
von: A. A. Bondarev, et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Uninterruptible Power Suply Devices with Semiconductor Converters
von: O. N. Jurchenko, et al.
Veröffentlicht: (2014) -
Modelling of temperature conditions in the three-dimensional piecewise homogeneous elements of microelectronic devices
von: V. I. Gavrysh
Veröffentlicht: (2011)