Aspects of using of sheet thermomigration of the Al+Si three-dimensional liquid zone to form semiconductor power devices
Збережено в:
| Дата: | 2023 |
|---|---|
| Автори: | O. S. Polukhin, V. V. Kravchina |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2023
|
| Назва видання: | Technology and design in electronic equipment |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001441047 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Термоміграція довільно орієнтованих рідких лінійних зон Al-Si крізь пластини кремнію (110)
за авторством: Polukhin, Оlекsіі, та інші
Опубліковано: (2021) -
Особливості застосування листової термоміграції трирозмірної рідкої зони Al+Si для формування напівпровідникових силових приладів
за авторством: Polukhin, Оlекsіі, та інші
Опубліковано: (2023) -
Electron beam welding of thin-sheet three- dimensional structures of aluminium alloys
за авторством: A. A. Bondarev, та інші
Опубліковано: (2011) -
Uninterruptible Power Suply Devices with Semiconductor Converters
за авторством: O. N. Jurchenko, та інші
Опубліковано: (2014) -
Modelling of temperature conditions in the three-dimensional piecewise homogeneous elements of microelectronic devices
за авторством: V. I. Gavrysh
Опубліковано: (2011)