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Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2024
Hauptverfasser:	V. V. Tetyorkin, A. I. Tkachuk, I. G. Lutsyshyn
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2024
Schriftenreihe:	Ukrainian Journal of Physics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001470103
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