Reduction of recombination losses in near-surface diffusion emitter layers of photosensitive silicon n+-p-p+ structures
Збережено в:
Дата: | 2023 |
---|---|
Автори: | V. P. Kostylyov, А. V. Sachenko, Т. V. Slusar, V. V. Chernenko |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2023
|
Назва видання: | Ukrainian journal of physics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001449532 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Recombination characteristics of single-crystalline silicon wafers with a damaged near-surface layer
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013) -
Recombination characteristics of single-crystalline silicon wafers with a damaged near-surface layer
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013) -
Spectral photosensitivity of diffused Ge-p–i–n photodiods
за авторством: A. V. Fedorenko
Опубліковано: (2020) -
Effect of emitter proprties on the conversion efficiency of silicon solar cells
за авторством: Gorban, A.P., та інші
Опубліковано: (1999) -
Analysis of features of recombination mechanisms in silicon solar cells
за авторством: R. M. Korkishko, та інші
Опубліковано: (2014)