Laser-induced transformations in thermally evaporated thin TlInSe2 films studied by Raman spectroscopy

Laser-induced transformations in thermally evaporated thin TlInSe2 films studied by Raman spectroscopy

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2023
Hauptverfasser:	Y. M. Azhniuk, A. V. Gomonnai, V. V. Lopushansky, O. O. Gomonnai, T. Babuka, V. Y. Loya, I. M. Voynarovych
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2023
Schriftenreihe:	Ukrainian journal of physics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001454244
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Institution

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Ähnliche Einträge

Раманівське дослідження індукованих лазерним випромінюванням перетворень у термічно напилених тонких плівках TlInSe2
von: Azhniuk, Y.M., et al.
Veröffentlicht: (2024)

КВАЗІПОТРІЙНА СИСТЕМА Tl2Se–TlInSe2–Tl4P2Se6
von: Barchiy, Igor, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Temperature dependence of raman-active modes of TlIn(0.95Se0.05)2 Single
von: O. O. Gomonnai, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Temperature dependence of raman-active modes of TlIn(0.95Se0.05)2 Single
von: O. O. Gomonnai, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Influence of the composition of (TlGaS2)1–kh(TlInSe2)x solid solutions on their physical properties
von: S. N. Mustafaeva, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Raman spectroscopy of the laser irradiated titanium dioxide
von: V. V. Strelchuk, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Raman spectroscopy of the laser irradiated titanium dioxide
von: Strelchuk, V.V, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Температурна залежність раманівських активних мод кристалів TlIn(0,95Se0,05)2
von: Gomonnai, O. O., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Термоелектричні властивості евтектичних сплавів систем TlBiSe₂—SnSe₂ (Tl₂SnSe₃, Tl₄SnSe₄) і Tl₄SnSe₄—Tl₉BiSe₆
von: Козьма, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Growing Cd₀.₂₅Hg₀.₇₅Se layers by laser evaporation in static vacuum
von: Gritsook, B.N., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Система Tl₂GeSe₃—Tl₄GeₓSn₁₋ₓSe₄ —Tl₂SnSe₃
von: Барчій, І.Є., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Фазові рівноваги у квазіпотрійній системі Tl₄SnSe₄—TlBiSe₂—Tl₉BiSe₆
von: Барчій, І.Є., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Annealing-induced formation of Sn₂P₂S₆ crystallites in As₂S₃-based glass matrix
von: Azhniuk, Yu.M., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Phase equilibria in the Tl2Se-Tl9BiSe6-Tl4SnSe3 system
von: O. O. Masalovych, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Фазові рівноваги у системі SnSe₂—Tl₂SnSe₃—TlBiSe₂
von: Козьма, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Radiation-induced structural changes in chalcogenide glasses as revealed from Raman spectroscopy measurements
von: T. S. Kavetskyy
Veröffentlicht: (2013)

Radiation-induced structural changes in chalcogenide glasses as revealed from Raman spectroscopy measurements
von: Kavetskyy, T.S.
Veröffentlicht: (2013)

Annealing-induced formation of Sn2P2S6 crystallites in As2S3-based glass matrix
von: Yu. M. Azhniuk, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Phase equilibria in the Tl4SnSe4—TlBiSe2—Tl9BiSe6 quasiternary system
von: Ye. Barchii, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Термоелектричні властивості монокристалів сполук Tl₄SnS₄(Se₄) і Tl₂SnS₃(Se₃)
von: Малаховська, Т.О., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Raman spectra of InᵪTl₁₋ᵪI substitutional solid solutions
von: Dovhyi, Ya.O., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Dielectric properties of TlIn(S₁-xSex)₂ polycrystals near phase transitions
von: Rosul, R.R., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Тепловое расширение слоистых монокристаллов TlGaSe₂ и TlInS₂
von: Абдуллаев, Н.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Фазові рівноваги в системі Tl₂Se—SnSe, одержання та властивості монокристалів сполуки Tl₄SnSe₃
von: Малаховська, Т.О., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Dielectric properties of TlIn(S1-xSex)2 polycrystals near phase transitions
von: R. R. Rosul, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Fourier Raman spectroscopy studies of the As₄₀S₆₀-xSex glasses
von: Stronski, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Раманівське дослідження фотоокислення скла As2S3 : Ag під дією видимого світла
von: Azhniuk, Y.M., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Crystallization and natural aging of thin films produced by pulsed laser evaporation of rhenium
von: Bagmut, A.G., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Investigation of Al-ZERODUR interface by Raman and secondary ion mass spectroscopy
von: Berezhinsky, L.I., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Laser-induced changes in optical properties of amorphous films of the system Ge-Se
von: Рубіш, В. М., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Phase transitions in the nanopowders KTa₀.₅Nb₀.₅O₃ studied by Raman spectroscopy
von: Golovina, I.S., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Барическое поведение пироэлектрического коэффициента в слоистых кристаллах TlInS₂ и TlGaSe₂
von: Гомоннай, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Механізм утворення потрійних сполук у системі Tl₂Se—SnSe₂
von: Глух, О.С., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Фазові рівноваги на квазібінарних перерізах квазіпотрійної системи Tl₂Se—SnSe₂—Bi₂Se₃
von: Козьма, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Raman scattering in the process of tin-induced crystallization of amorphous silicon
von: V. B. Neimash, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Composite films of graphene oxide with semiconducting carbon nanotubes: Raman spectroscopy characterization
von: N. V. Kurnosov, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Фізико-хімічна взаємодія в системі TlSe—ТlСl—TlBr
von: Слободян, Л.А.
Veröffentlicht: (2000)

ВЗАЄМОДІЯ У КВАЗІПОДВІЙНИХ СИСТЕМАХ НА ОСНОВІ TlSbP2Se6 ТА СПОЛУК СИСТЕМИ Tl2Se–Sb2Se3
von: Sabov, Viktoria, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Raman scattering in the process of tin-induced crystallization of amorphous silicon
von: V. Neimash, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Influence of temporal parameters of laser irradiation on emission spectra of the evaporated material
von: Zabello, E., et al.
Veröffentlicht: (1999)