Formation of Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111), and CoSi2/Si(111) thin film and evaluation of their optically direct and indirect band gap

Formation of Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111), and CoSi2/Si(111) thin film and evaluation of their optically direct and indirect band gap

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2024
Автори:	K. T. Dovranov, M. T. Normuradov, Kh. T. Davranov, I. R. Bekpulatov
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2024
Назва видання:	Ukrainian journal of physics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001469405
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Formation of Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111), and CoSi2/Si(111) thin film and evaluation of their optically direct and indirect band gap
за авторством: K. T. Dovranov, та інші
Опубліковано: (2024)

Виготовлення тонких плівок з Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111) та CoSi2/Si(111) і оцінка їхніх оптично прямих та непрямих заборонених зон
за авторством: Dovranov, K.T., та інші
Опубліковано: (2024)

Triplet-singlet transitions during the adsorption of O2 molecules on the face Si(111)
за авторством: M. I. Terebinskaja, та інші
Опубліковано: (2015)

Surface and electron structure of the 6H-SiC(0001)-(3×3) surface and ultrathin Ag films on Si(111) and Si(001)
за авторством: Gasparov, V.A.
Опубліковано: (2011)

Investigation of the local structure of nanosized heterostructures Si(111)/Si3N4(0001) on the basis of computer simulation
за авторством: Yu. Tarasova, та інші
Опубліковано: (2012)

Surface and electron structure of the 6H-SiC(0001)-(3Ч3) surface and ultrathin Ag films on Si(111) and Si(001)
за авторством: V. A. Gasparov
Опубліковано: (2011)

Триплет-синглетный переход при адсорбции молекулы О₂ на грани Si(111)
за авторством: Теребинская, М.И., та інші
Опубліковано: (2015)

Currentless synthesis of CrSi2 on the chromium surface in molten salts
за авторством: L. A. Molotovska, та інші
Опубліковано: (2013)

X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al2O3(0001) substrates
за авторством: N. V. Safriuk, та інші
Опубліковано: (2013)

X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al₂O₃ (0001) substrates
за авторством: Safriuk, N.V., та інші
Опубліковано: (2013)

Ellipsometric evidence of CoSi₂ formation in Co/Si multilayer induced by thermal annealing
за авторством: Kudryavtsev, Y.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Дослідження локальної будови нанорозмірної гетероструктури Sі(111)/Si₃N₄ (0001) на підставі комп’ютерногомоделювання
за авторством: Тарасова, О.Ю., та інші
Опубліковано: (2012)

Optical properties of AlN/n-Si(111) films obtained by method of HF reactive magnetron sputtering
за авторством: Zayats, M.S., та інші
Опубліковано: (2010)

Безструмовий синтез CrSi₂ на поверхні хрому в розплавах солей
за авторством: Молотовська, Л.А., та інші
Опубліковано: (2013)

Structure and properties of the diamond-WC–6Co somposite doped by 1.5 wt % of CrSi2
за авторством: A. F. Lisovskij, та інші
Опубліковано: (2016)

Electron transport through nanocomposite SiO2(Si) films containing Si nanocrystals
за авторством: O. L. Bratus, та інші
Опубліковано: (2016)

Pressure-induced structural transformations in Si:V and Si:V, Mn
за авторством: Misiuk, A., та інші
Опубліковано: (2008)

Interface features of SiO2/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO2 thin films
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2012)

Transformation of SiOx films into nanocomposite SiO2(Si) films under thermal and laser annealing
за авторством: O. V. Steblova, та інші
Опубліковано: (2014)

Investigation of SiC films obtained on a porous-Si/Si substrate
за авторством: V. V. Kidalov, та інші
Опубліковано: (2024)

Transformation of addimers >Ge=Ge<, >Ge=Si< AND >Si=Si< on the relaxed side of Si (001) (4 Ч 2)
за авторством: M. I. Terebinska, та інші
Опубліковано: (2021)

Структура чистих Si−Si, Ge−Ge та змішаних аддимерів Si−Ge на поверхні Si(001)
за авторством: Afanasieva, T.V., та інші
Опубліковано: (2022)

NUMERICAL SIMULATION OF THERMAL BEHAVIOR AND OPTIMIZATION OF a-Si/a-Si/C-Si/a-Si/A-Si HIT SOLAR CELL AT HIGH TEMPERATURES
за авторством: Ganji, Jabbar
Опубліковано: (2017)

Numerical simulation of thermal behavior and optimization of a-Si/a-Si/C-Si/a-Si/A-Si hit solar cell at high temperatures
за авторством: Ganji, J.
Опубліковано: (2017)

Modification of properties of the glass-Si₃N₄-Si-SiO₂ structure at laser treatment
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2009)

Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
за авторством: Dugaev, V.K., та інші
Опубліковано: (2000)

Electron transport through nanocomposite SiO₂(Si) films containing Si nanocrystals
за авторством: Bratus, O.L., та інші
Опубліковано: (2016)

Effect of pressure on the properties of Al SiO2 n-Si Ni structures
за авторством: S. I. Vlasov, та інші
Опубліковано: (2012)

Spectral-ellipsometric examining the films of gold nanoparticles on Si/SiO2 substrate
за авторством: E. G. Bortchagovsky, та інші
Опубліковано: (2012)

Complex destruction of near-surface silicon layers of Si-SiO2 structure
за авторством: I. R. Yatsunskiy, та інші
Опубліковано: (2010)

Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO2 grown by high temperature annealing technology of SiOX layer, X<2
за авторством: S. V. Bunak, та інші
Опубліковано: (2010)

Структура и свойства композита алмаз–WC–6Co, легированной 1,5 % (по массе) CrSi₂
за авторством: Лисовский, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2016)

Interaction of Red Blood Cells with Fumed SiO2, Al2O3/SiO2 and TiO2/SiO2 by Light Scattering Measurements
за авторством: Gerashchenko, I.I., та інші
Опубліковано: (2010)

Electron states at the Si–SiO₂ boundary (Review)
за авторством: Primachenko, V.E., та інші
Опубліковано: (2005)

Thin film Si:Eu and Si:Y composites
за авторством: Koval, V.M., та інші
Опубліковано: (2010)

Structure and mechanical stresses in TaSi₂/Si multilayer
за авторством: Devizenko, A.Yu., та інші
Опубліковано: (2018)

Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO₂ grown by high temperature annealing technology of SiOx layer, X<2
за авторством: Bunak, S.V., та інші
Опубліковано: (2010)

Dehybridization in RAl2Si2 compounds
за авторством: P. K. Nikoliuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Morphology and properties of the mg2si primary crystals in alloys of the al-mg-si system
за авторством: A. I. Trudonoshin, та інші
Опубліковано: (2014)

Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)