Buchumschlag

Formation of Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111), and CoSi2/Si(111) thin film and evaluation of their optically direct and indirect band gap

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2024
Hauptverfasser:	K. T. Dovranov, M. T. Normuradov, Kh. T. Davranov, I. R. Bekpulatov
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2024
Schriftenreihe:	Ukrainian journal of physics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001469405
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Institution

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Ähnliche Einträge

Formation of Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111), and CoSi2/Si(111) thin film and evaluation of their optically direct and indirect band gap
von: K. T. Dovranov, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Triplet-singlet transitions during the adsorption of O2 molecules on the face Si(111)
von: M. I. Terebinskaja, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Surface and electron structure of the 6H-SiC(0001)-(3×3) surface and ultrathin Ag films on Si(111) and Si(001)
von: Gasparov, V.A.
Veröffentlicht: (2011)

Investigation of the local structure of nanosized heterostructures Si(111)/Si3N4(0001) on the basis of computer simulation
von: Yu. Tarasova, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Surface and electron structure of the 6H-SiC(0001)-(3Ч3) surface and ultrathin Ag films on Si(111) and Si(001)
von: V. A. Gasparov
Veröffentlicht: (2011)

Триплет-синглетный переход при адсорбции молекулы О₂ на грани Si(111)
von: Теребинская, М.И., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Currentless synthesis of CrSi2 on the chromium surface in molten salts
von: L. A. Molotovska, et al.
Veröffentlicht: (2013)

X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al2O3(0001) substrates
von: N. V. Safriuk, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Ellipsometric evidence of CoSi₂ formation in Co/Si multilayer induced by thermal annealing
von: Kudryavtsev, Y.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Дослідження локальної будови нанорозмірної гетероструктури Sі(111)/Si₃N₄ (0001) на підставі комп’ютерногомоделювання
von: Тарасова, О.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Optical properties of AlN/n-Si(111) films obtained by method of HF reactive magnetron sputtering
von: Zayats, M.S., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Безструмовий синтез CrSi₂ на поверхні хрому в розплавах солей
von: Молотовська, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Structure and properties of the diamond-WC–6Co somposite doped by 1.5 wt % of CrSi2
von: A. F. Lisovskij, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Electron transport through nanocomposite SiO2(Si) films containing Si nanocrystals
von: O. L. Bratus, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Pressure-induced structural transformations in Si:V and Si:V, Mn
von: Misiuk, A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Interface features of SiO2/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO2 thin films
von: Yu. Yu. Bacherikov, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Transformation of SiOx films into nanocomposite SiO2(Si) films under thermal and laser annealing
von: O. V. Steblova, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Investigation of SiC films obtained on a porous-Si/Si substrate
von: V. V. Kidalov, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Дослідження плівок SiC, отриманих на підкладинці porous-Si/Si
von: Kidalov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Numerical simulation of thermal behavior and optimization of a-Si/a-Si/C-Si/a-Si/A-Si hit solar cell at high temperatures
von: Ganji, J.
Veröffentlicht: (2017)

NUMERICAL SIMULATION OF THERMAL BEHAVIOR AND OPTIMIZATION OF a-Si/a-Si/C-Si/a-Si/A-Si HIT SOLAR CELL AT HIGH TEMPERATURES
von: Ganji, Jabbar
Veröffentlicht: (2017)

Modification of properties of the glass-Si₃N₄-Si-SiO₂ structure at laser treatment
von: Konakova, R.V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Electron transport through nanocomposite SiO₂(Si) films containing Si nanocrystals
von: Bratus, O.L., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
von: Dugaev, V.K., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Spectral-ellipsometric examining the films of gold nanoparticles on Si/SiO2 substrate
von: E. G. Bortchagovsky, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Effect of pressure on the properties of Al SiO2 n-Si Ni structures
von: S. I. Vlasov, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Complex destruction of near-surface silicon layers of Si-SiO2 structure
von: I. R. Yatsunskiy, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Structure and mechanical stresses in TaSi₂/Si multilayer
von: Devizenko, A.Yu., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Electron states at the Si–SiO₂ boundary (Review)
von: Primachenko, V.E., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Структура и свойства композита алмаз–WC–6Co, легированной 1,5 % (по массе) CrSi₂
von: Лисовский, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Dehybridization in RAl2Si2 compounds
von: P. K. Nikoliuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO₂ grown by high temperature annealing technology of SiOx layer, X<2
von: Bunak, S.V., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Formation of β-SiC on por-Si/mono-Si surface according to Stranski - Krastanow mechanism
von: Y. O. Suchikova, et al.
Veröffentlicht: (2022)

Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
von: Horvath, Zs.J., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Формування ?-SiC на поверхні por-Si/mono-Si за механізмом Странського – Крастанова
von: Suchikova, Y. O., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Morphology and properties of the mg2si primary crystals in alloys of the al-mg-si system
von: A. I. Trudonoshin, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO2 grown by high temperature annealing technology of SiOX layer, X&lt;2
von: S. V. Bunak, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Семенов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Photovoltaic effect in p–SiC/p–Si heterojunction
von: Kozlovskyi, A.A., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
von: Комник, Ю.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2000)