Tetyorkin, V. V., Tkachuk, A. I., & Lutsyshyn, I. G. (2024). Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Tetyorkin, V. V., A. I. Tkachuk, та I. G. Lutsyshyn. Recombination and Trapping of Excess Carriers in N-InSb. 2024.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Tetyorkin, V. V., et al. Recombination and Trapping of Excess Carriers in N-InSb. 2024.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.