Зображення обкладинки

Problems of chemical-dynamic polishing in the technology of silicon p-i-n photodiodes

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2023
Автор:	M. S. Kukurudziak
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2023
Назва видання:	Chemistry, physics and technology of surface
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001393501
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Silicon p-i-n photodiode with increased pulse sensitivity
за авторством: M. S. Kukurudziak, та інші
Опубліковано: (2021)

Method of &quot;cleaning” the surface of responsive elements of silicon p-i-n photodiodes from dislocations
за авторством: M. S. Kukurudziak
Опубліковано: (2023)

High-resistivity p-type silicon-based p-i-n photodiode with high responsivity at the wavelength of 1060 nm
за авторством: M. S. Kukurudziak, та інші
Опубліковано: (2020)

Spectral photosensitivity of diffused Ge-p–i–n photodiods
за авторством: A. V. Fedorenko
Опубліковано: (2020)

Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2013)

Проблеми хіміко-динамічного полірування в технології кремнієвих p-i-n фотодіодів
за авторством: Kukurudziak, M. S.
Опубліковано: (2023)

Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm
за авторством: Dobrovolskyi, Yu., та інші
Опубліковано: (2014)

Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm
за авторством: Yu. Dobrovolskyi, та інші
Опубліковано: (2014)

The prospects of use of silicon photodiodes for registration alpha, beta radiation and neutrons
за авторством: Voronkin, E.F., та інші
Опубліковано: (2016)

Метод «очищення» поверхні фоточутливих елементів кремнієвих p-i-n фотодіодів від дислокацій
за авторством: Kukurudziak, M. S.
Опубліковано: (2023)

Peculiarities of manufacture, electrical and photoelectrical properties of diffusion Gep-i-n- photodiodes
за авторством: V. P. Maslov, та інші
Опубліковано: (2018)

InSb Photodiodes (Review, Part I)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)

Silicon photodiode and preamplifier operation characteristic properties under background radiation conditions
за авторством: Hodovaniouk, V.M., та інші
Опубліковано: (2005)

Кремнієвий p–i–n-фотодіод із підвищеною імпульсною чутливістю
за авторством: Kukurudziak, Mykola, та інші
Опубліковано: (2021)

Combined detectors of charged particles based on zinc selenide scintillators and silicon photodiodes
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2001)

Current-voltage characteristics of the injection photodiode based on M(In)-nCdS-pSi-M(In) structure
за авторством: I. B. Sapaev, та інші
Опубліковано: (2019)

InAs photodiodes (review)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2015)

Heterostructure infrared photodiodes
за авторством: Rogalski, A.
Опубліковано: (2000)

Modeling of thermal processes ohigh-frequency silicon p-i-n-diode
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2014)

I.P. Implementation of New Technologies of Chemical and Phytomelioration of Acidic and Saline Soils
за авторством: N. V. Zaimenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Approaching to an optimal value of rise time in n-well/p substrate photodiode by controlling depletion layer width
за авторством: Emad Hameed Hussein
Опубліковано: (2009)

Negative photoconductivity and surface-barrier photodiode effect – two interrelated sur-face photoeffects in macroporous silicon
за авторством: N. I. Karas
Опубліковано: (2014)

Problems of application of porous silicon to chemical and photocatalytic production of hydrogen
за авторством: A. I. Manilov
Опубліковано: (2016)

Problems of application of porous silicon to chemical and photocatalytic production of hydrogen
за авторством: A. I. Manilov
Опубліковано: (2016)

Effect of excitons on photoconversion efficiency in the p⁺-n-n⁺- and n⁺-p-p⁺-structures based on single-crystalline silicon
за авторством: Gorban, A.P., та інші
Опубліковано: (2000)

Investigation of the modulation processes of the base area of the silicon p+p-n+-structure
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2013)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2011)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2011)

InAs photodiodes (Review. Part IV)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2018)

Shunt current in InAs diffused photodiodes
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2020)

Shunt current in InAs diffused photodiodes
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2020)

Modelling silicon solar element with p–n vertical shift
за авторством: A. B. Gnilenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: Tretyak, O.V., та інші
Опубліковано: (2010)

Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: O. V. Tretyak, та інші
Опубліковано: (2010)

InSb Photodiodes (Review, Part II)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)

New phoswich detector based on LFS and p-terphenyl scintillators coupled to micro pixel avalanche photodiode
за авторством: Ahmadov, F., та інші
Опубліковано: (2017)

Deagglomeration of aerosil in polishing suspension for chemical-mechanical polishing of sapphire
за авторством: Vovk, E.A.
Опубліковано: (2015)

Chemical-mechanical polishing of sapphire by polishing suspension based on aerosil
за авторством: Vovk, E.A.
Опубліковано: (2015)

Р–i–n-фотодіод на основі високоомного кремнію p-типу з підвищеною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм
за авторством: Kukurudziak , Mykola, та інші
Опубліковано: (2020)

Thermostabilized photodiode for monitoring radiation of medical lasers
за авторством: Dobrovolsky, Yu., та інші
Опубліковано: (2015)