Problems of chemical-dynamic polishing in the technology of silicon p-i-n photodiodes
Gespeichert in:
| Datum: | 2023 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | M. S. Kukurudziak |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
2023
|
| Schriftenreihe: | Chemistry, physics and technology of surface |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001393501 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
-
Silicon p-i-n photodiode with increased pulse sensitivity
von: M. S. Kukurudziak, et al.
Veröffentlicht: (2021) -
Method of "cleaning” the surface of responsive elements of silicon p-i-n photodiodes from dislocations
von: M. S. Kukurudziak
Veröffentlicht: (2023) -
High-resistivity p-type silicon-based p-i-n photodiode with high responsivity at the wavelength of 1060 nm
von: M. S. Kukurudziak, et al.
Veröffentlicht: (2020) -
Spectral photosensitivity of diffused Ge-p–i–n photodiods
von: A. V. Fedorenko
Veröffentlicht: (2020) -
Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers
von: A. V. Karimov, et al.
Veröffentlicht: (2013)