Buchumschlag

Problems of chemical-dynamic polishing in the technology of silicon p-i-n photodiodes

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2023
1. Verfasser:	M. S. Kukurudziak
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2023
Schriftenreihe:	Chemistry, physics and technology of surface
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001393501
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Institution

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Ähnliche Einträge

Silicon p-i-n photodiode with increased pulse sensitivity
von: M. S. Kukurudziak, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Method of &quot;cleaning” the surface of responsive elements of silicon p-i-n photodiodes from dislocations
von: M. S. Kukurudziak
Veröffentlicht: (2023)

High-resistivity p-type silicon-based p-i-n photodiode with high responsivity at the wavelength of 1060 nm
von: M. S. Kukurudziak, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Spectral photosensitivity of diffused Ge-p–i–n photodiods
von: A. V. Fedorenko
Veröffentlicht: (2020)

Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers
von: A. V. Karimov, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Проблеми хіміко-динамічного полірування в технології кремнієвих p-i-n фотодіодів
von: Kukurudziak, M. S.
Veröffentlicht: (2023)

Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm
von: Dobrovolskyi, Yu., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm
von: Yu. Dobrovolskyi, et al.
Veröffentlicht: (2014)

The prospects of use of silicon photodiodes for registration alpha, beta radiation and neutrons
von: Voronkin, E.F., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Peculiarities of manufacture, electrical and photoelectrical properties of diffusion Gep-i-n- photodiodes
von: V. P. Maslov, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Метод «очищення» поверхні фоточутливих елементів кремнієвих p-i-n фотодіодів від дислокацій
von: Kukurudziak, M. S.
Veröffentlicht: (2023)

InSb Photodiodes (Review, Part I)
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Silicon photodiode and preamplifier operation characteristic properties under background radiation conditions
von: Hodovaniouk, V.M., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Кремнієвий p–i–n-фотодіод із підвищеною імпульсною чутливістю
von: Kukurudziak, Mykola, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Combined detectors of charged particles based on zinc selenide scintillators and silicon photodiodes
von: Ryzhikov, V.D., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Current-voltage characteristics of the injection photodiode based on M(In)-nCdS-pSi-M(In) structure
von: I. B. Sapaev, et al.
Veröffentlicht: (2019)

InAs photodiodes (review)
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Heterostructure infrared photodiodes
von: Rogalski, A.
Veröffentlicht: (2000)

Modeling of thermal processes ohigh-frequency silicon p-i-n-diode
von: A. V. Karimov, et al.
Veröffentlicht: (2014)

I.P. Implementation of New Technologies of Chemical and Phytomelioration of Acidic and Saline Soils
von: N. V. Zaimenko, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Approaching to an optimal value of rise time in n-well/p substrate photodiode by controlling depletion layer width
von: Emad Hameed Hussein
Veröffentlicht: (2009)

Negative photoconductivity and surface-barrier photodiode effect – two interrelated sur-face photoeffects in macroporous silicon
von: N. I. Karas
Veröffentlicht: (2014)

Problems of application of porous silicon to chemical and photocatalytic production of hydrogen
von: A. I. Manilov
Veröffentlicht: (2016)

Problems of application of porous silicon to chemical and photocatalytic production of hydrogen
von: A. I. Manilov
Veröffentlicht: (2016)

Effect of excitons on photoconversion efficiency in the p⁺-n-n⁺- and n⁺-p-p⁺-structures based on single-crystalline silicon
von: Gorban, A.P., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Investigation of the modulation processes of the base area of the silicon p+p-n+-structure
von: D. M. Jodgorova, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
von: V. L. Borblik, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
von: Borblik, V.L., et al.
Veröffentlicht: (2011)

InAs photodiodes (Review. Part IV)
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Shunt current in InAs diffused photodiodes
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Shunt current in InAs diffused photodiodes
von: Sukach, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2020)

Modelling silicon solar element with p–n vertical shift
von: A. B. Gnilenko, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
von: Tretyak, O.V., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
von: O. V. Tretyak, et al.
Veröffentlicht: (2010)

InSb Photodiodes (Review, Part II)
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2016)

New phoswich detector based on LFS and p-terphenyl scintillators coupled to micro pixel avalanche photodiode
von: Ahmadov, F., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Deagglomeration of aerosil in polishing suspension for chemical-mechanical polishing of sapphire
von: Vovk, E.A.
Veröffentlicht: (2015)

Chemical-mechanical polishing of sapphire by polishing suspension based on aerosil
von: Vovk, E.A.
Veröffentlicht: (2015)

Thermostabilized photodiode for monitoring radiation of medical lasers
von: Dobrovolsky, Yu., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Subpixel Detection of Spectrum Images by Photodiode Structures
von: Yegorov, A., et al.
Veröffentlicht: (2009)