Location of Al and Si atoms in substituted boron carbide
Збережено в:
Дата: | 2023 |
---|---|
Автори: | V. V. Garbuz, V. A. Sydorenchuk, V. B. Muratov, L. N. Kuzmenko, A. A. Vasiliev, P. V. Mazur, M. V. Karpets, T. V. Khomko, T. A. Silinska, T. N. Terentyeva, Romanova L. O. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2023
|
Назва видання: | Chemistry, physics and technology of surface |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001393504 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Specific surface, crystalite size of AlB12-nano of products of interaction "BN-Al" in vacuum
за авторством: V. A. Petrova, та інші
Опубліковано: (2021) -
On melting of B4C boron carbide under pressure
за авторством: V. A. Mukhanov, та інші
Опубліковано: (2012) -
A study of the influence of the plasticizers on the process of formation of boron carbide
за авторством: V. S. Panov, та інші
Опубліковано: (2016) -
Initiation of a plastic flow in boron carbide at nanoindentation
за авторством: S. N. Dub, та інші
Опубліковано: (2015) -
Production and properties of hot-pressed materials based on silicon carbide with additions of boron and titanium carbides
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2016)