Method of "cleaning” the surface of responsive elements of silicon p-i-n photodiodes from dislocations
Збережено в:
| Дата: | 2023 |
|---|---|
| Автор: | M. S. Kukurudziak |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2023
|
| Назва видання: | Chemistry, physics and technology of surface |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001412160 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Silicon p-i-n photodiode with increased pulse sensitivity
за авторством: M. S. Kukurudziak, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: M. S. Kukurudziak, та інші
Опубліковано: (2021)
Problems of chemical-dynamic polishing in the technology of silicon p-i-n photodiodes
за авторством: M. S. Kukurudziak
Опубліковано: (2023)
за авторством: M. S. Kukurudziak
Опубліковано: (2023)
High-resistivity p-type silicon-based p-i-n photodiode with high responsivity at the wavelength of 1060 nm
за авторством: M. S. Kukurudziak, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: M. S. Kukurudziak, та інші
Опубліковано: (2020)
Spectral photosensitivity of diffused Ge-p–i–n photodiods
за авторством: A. V. Fedorenko
Опубліковано: (2020)
за авторством: A. V. Fedorenko
Опубліковано: (2020)
Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2011)
Evolution of a dislocation structure during the growth silicon single crystals of n– and p–type
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2020)
Methods to clean the surfaces of diamond crystals
за авторством: O. M. Suprun, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. M. Suprun, та інші
Опубліковано: (2015)
Modelling silicon solar element with p–n vertical shift
за авторством: A. B. Gnilenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. B. Gnilenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Negative photoconductivity and surface-barrier photodiode effect – two interrelated sur-face photoeffects in macroporous silicon
за авторством: N. I. Karas
Опубліковано: (2014)
за авторством: N. I. Karas
Опубліковано: (2014)
Cleaning of the surface of mineral grains from sludge particles with ultrasonic and electrochemical methods
за авторством: V. G. Gubina, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. G. Gubina, та інші
Опубліковано: (2019)
Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm
за авторством: Dobrovolskyi, Yu., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Dobrovolskyi, Yu., та інші
Опубліковано: (2014)
Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2013)
Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm
за авторством: Yu. Dobrovolskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Yu. Dobrovolskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
The prospects of use of silicon photodiodes for registration alpha, beta radiation and neutrons
за авторством: Voronkin, E.F., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Voronkin, E.F., та інші
Опубліковано: (2016)
Electroplastic effect associated with the dislocation generation in the initially dislocation-free silicon filamentary crystals
за авторством: Ermakov, A.P., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ermakov, A.P., та інші
Опубліковано: (2004)
Проблеми хіміко-динамічного полірування в технології кремнієвих p-i-n фотодіодів
за авторством: Kukurudziak, M. S.
Опубліковано: (2023)
за авторством: Kukurudziak, M. S.
Опубліковано: (2023)
Peculiarities of manufacture, electrical and photoelectrical properties of diffusion Gep-i-n- photodiodes
за авторством: V. P. Maslov, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. P. Maslov, та інші
Опубліковано: (2018)
Кремнієвий p–i–n-фотодіод із підвищеною імпульсною чутливістю
за авторством: Kukurudziak, Mykola, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Kukurudziak, Mykola, та інші
Опубліковано: (2021)
Метод «очищення» поверхні фоточутливих елементів кремнієвих p-i-n фотодіодів від дислокацій
за авторством: Kukurudziak, M. S.
Опубліковано: (2023)
за авторством: Kukurudziak, M. S.
Опубліковано: (2023)
InSb Photodiodes (Review, Part I)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)
Electroarc synthesis and cleaning from carbon impurities of cubic silicon carbide in the air atmosphere
за авторством: Ja. Pak, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Ja. Pak, та інші
Опубліковано: (2018)
Combined detectors of charged particles based on zinc selenide scintillators and silicon photodiodes
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2001)
Silicon photodiode and preamplifier operation characteristic properties under background radiation conditions
за авторством: Hodovaniouk, V.M., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Hodovaniouk, V.M., та інші
Опубліковано: (2005)
Current-voltage characteristics of the injection photodiode based on M(In)-nCdS-pSi-M(In) structure
за авторством: I. B. Sapaev, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: I. B. Sapaev, та інші
Опубліковано: (2019)
The aggregation of point defetc in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)
InAs photodiodes (review)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2015)
Heterostructure infrared photodiodes
за авторством: Rogalski, A.
Опубліковано: (2000)
за авторством: Rogalski, A.
Опубліковано: (2000)
Modeling of thermal processes ohigh-frequency silicon p-i-n-diode
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2014)
Modeling of cleaning surfaces by the stream of abrasive particles
за авторством: O. G. Jasev
Опубліковано: (2019)
за авторством: O. G. Jasev
Опубліковано: (2019)
Approaching to an optimal value of rise time in n-well/p substrate photodiode by controlling depletion layer width
за авторством: Emad Hameed Hussein
Опубліковано: (2009)
за авторством: Emad Hameed Hussein
Опубліковано: (2009)
Ion beam technologies of surface modification. I. Ion cleaning and high dose implantation
за авторством: V. A. Belous, та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: V. A. Belous, та інші
Опубліковано: (2003)
Reduction of recombination losses in near-surface diffusion emitter layers of photosensitive silicon n+-p-p+ structures
за авторством: V. P. Kostylyov, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: V. P. Kostylyov, та інші
Опубліковано: (2023)
Modelling vacancy microvoid formation in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)
Recombination parameters of point defects in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)
Strongly P-clean and semi-Boolean group rings
за авторством: D. Udar, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: D. Udar, та інші
Опубліковано: (2019)
Strongly $P$ -clean and semi-Boolean group rings
за авторством: Udar, D., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Udar, D., та інші
Опубліковано: (2020)
Simplified monitoring of metal structures without cleaning their surfaces
за авторством: V. O. Troitskyi, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: V. O. Troitskyi, та інші
Опубліковано: (2020)
Effect of excitons on photoconversion efficiency in the p⁺-n-n⁺- and n⁺-p-p⁺-structures based on single-crystalline silicon
за авторством: Gorban, A.P., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Gorban, A.P., та інші
Опубліковано: (2000)
Biotechnology for Cleaning up Soils from Explosives
за авторством: G. Kvesitadze, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: G. Kvesitadze, та інші
Опубліковано: (2023)
Cleaning and activation of surfaces being welded in the process of explosion welding
за авторством: L. B. Pervukhin, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: L. B. Pervukhin, та інші
Опубліковано: (2010)
Схожі ресурси
-
Silicon p-i-n photodiode with increased pulse sensitivity
за авторством: M. S. Kukurudziak, та інші
Опубліковано: (2021) -
Problems of chemical-dynamic polishing in the technology of silicon p-i-n photodiodes
за авторством: M. S. Kukurudziak
Опубліковано: (2023) -
High-resistivity p-type silicon-based p-i-n photodiode with high responsivity at the wavelength of 1060 nm
за авторством: M. S. Kukurudziak, та інші
Опубліковано: (2020) -
Spectral photosensitivity of diffused Ge-p–i–n photodiods
за авторством: A. V. Fedorenko
Опубліковано: (2020) -
Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2011)