Method of "cleaning” the surface of responsive elements of silicon p-i-n photodiodes from dislocations
Збережено в:
| Дата: | 2023 |
|---|---|
| Автор: | M. S. Kukurudziak |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2023
|
| Назва видання: | Chemistry, physics and technology of surface |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001412160 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Silicon p-i-n photodiode with increased pulse sensitivity
за авторством: M. S. Kukurudziak, та інші
Опубліковано: (2021) -
Problems of chemical-dynamic polishing in the technology of silicon p-i-n photodiodes
за авторством: M. S. Kukurudziak
Опубліковано: (2023) -
High-resistivity p-type silicon-based p-i-n photodiode with high responsivity at the wavelength of 1060 nm
за авторством: M. S. Kukurudziak, та інші
Опубліковано: (2020) -
Spectral photosensitivity of diffused Ge-p–i–n photodiods
за авторством: A. V. Fedorenko
Опубліковано: (2020) -
Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2011)