Properties of original and irradiated phosphide-gallium LEDs
Gespeichert in:
| Datum: | 2024 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | M. Y. Chumak, P. G. Lytovchenko, I. V. Petrenko, D. P. Stratilat, V. P. Tartachnyk |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
2024
|
| Schriftenreihe: | Nuclear physics and atomic energy |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001494051 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
Influence of 2 MeV electrons irradiation on gallium phosphide light-emitting diodes reverse currents
von: V. H. Vorobiov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: V. H. Vorobiov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Peculiarities of electrooptical characteristics of gallium phosphide light-emitting diodes in high injection level conditions
von: O. M. Hontaruk, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: O. M. Hontaruk, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Degradation and recovery features of irradiated GAP LEDs
von: O. P. Budnyk, et al.
Veröffentlicht: (2022)
von: O. P. Budnyk, et al.
Veröffentlicht: (2022)
Negative differential resistance and spectral characteristics of original and electron-irradiated (with E = 2 MeV) GaAs1-xPx LEDs
von: T. I. Mosiuk, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: T. I. Mosiuk, et al.
Veröffentlicht: (2024)
High temperature strain sensors based on gallium phosphide whiskers
von: A. O. Druzhynin, et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: A. O. Druzhynin, et al.
Veröffentlicht: (2019)
Spectral characteristics of initial and irradiated GaAsP LEDs
von: R. M. Vernydub, et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: R. M. Vernydub, et al.
Veröffentlicht: (2021)
Electrophysical characteristics of initial and irradiated GaAsP LEDs structures
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2019)
Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects
von: Dubovyi, V.K., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Dubovyi, V.K., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Influence of electron irradiation with E = 2 MeV on electrophysical and optical characteristics of green InGaN/GaN LEDs
von: T. I. Mosiuk, et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: T. I. Mosiuk, et al.
Veröffentlicht: (2023)
Influence of radiation on the electrophysical parameters of GaAsP LEDs
von: R. M. Vernydub, et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: R. M. Vernydub, et al.
Veröffentlicht: (2021)
Electrophysical characteristics of GaAs₁₋ₓPₓ LEDs irradiated by 2 MeV electrons
von: Vernydub, R.M., et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: Vernydub, R.M., et al.
Veröffentlicht: (2020)
Optical and photoelectrical properties of lamellar gallium sulfide single crystals irradiated by γ-quanta
von: Madatov, R.S., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Madatov, R.S., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Mechanical properties of boron phosphides
von: Solozhenko, V.L., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Solozhenko, V.L., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Mechanical properties of boron phosphides
von: V. L. Solozhenko, et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: V. L. Solozhenko, et al.
Veröffentlicht: (2019)
Electrophysical characteristics of GaAs1-xPx LEDs irradiated by 2 MeV electrons
von: R. M. Vernydub, et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: R. M. Vernydub, et al.
Veröffentlicht: (2020)
Technique and setup for diagnostics of p-n junction to case thermal resistance in high-power gallium nitride LEDs
von: V. M. Sorokin, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: V. M. Sorokin, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Technique and setup for diagnostics of p-n junction to case thermal resistance in high-power gallium nitride LEDs
von: Sorokin, V.M., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Sorokin, V.M., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Acoustic-stimulated relaxation of GaAs1–khPkh LEDs electroluminescence intensity
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Excitons into one-axis crystals of zinc phosphide (Zn₃P₂)
von: Stepanchikov, D.M., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Stepanchikov, D.M., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Methods for creation and properties of ohmic contacts to indium phosphide (rewiev)
von: Ya. Ya. Kudryk
Veröffentlicht: (2015)
von: Ya. Ya. Kudryk
Veröffentlicht: (2015)
On melting of boron phosphide under pressure
von: Solozhenko, V.L., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Solozhenko, V.L., et al.
Veröffentlicht: (2015)
On melting of boron phosphide under pressure
von: V. L. Solozhenko, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: V. L. Solozhenko, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Hot wall growth and properties of lead telluride films doped by germanium and gallium
von: Lashkarev, G.V., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Lashkarev, G.V., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Self-propagating high-temperature synthesis of boron phosphide
von: V. A. Mukhanov, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: V. A. Mukhanov, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
von: M. Zavada, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: M. Zavada, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
von: Zavada, M., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Zavada, M., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Excitonic photoconductivity of heterostructures based on gallium and indium selenides
von: Katerynchuk, V.M., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Katerynchuk, V.M., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Measurement of the photometric characteristics of LEDs
von: Nazarenko, L.A., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Nazarenko, L.A., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Cadmium phosphide as a new material for infrared converters
von: Stepanchikov, D., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Stepanchikov, D., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Quasi-active thermal control in LED street lights
von: Y. V. Trofimov, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Y. V. Trofimov, et al.
Veröffentlicht: (2013)
The influence of hydrogen-charging on the properties of layered crystals of gallium and indium monoselenides
von: O. O. Balytskyi
Veröffentlicht: (2010)
von: O. O. Balytskyi
Veröffentlicht: (2010)
Sensor of hydrostatic pressure based on gallium antimonide microcrystals
von: A. A. Druzhinin, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: A. A. Druzhinin, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Degradation processes in LED modules
von: V. M. Sorokin, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: V. M. Sorokin, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Low-dimensional structures on the surface of indium phosphide
von: Ya. O. Sychikova
Veröffentlicht: (2012)
von: Ya. O. Sychikova
Veröffentlicht: (2012)
Degradation processes in LED modules
von: Sorokin, V.M., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Sorokin, V.M., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Photoelectric converters based on porous gallium arsenide
von: A. I. Kirilash, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: A. I. Kirilash, et al.
Veröffentlicht: (2012)
High-pole LED lighting system
von: Y. V. Trofimov, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Y. V. Trofimov, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Effect of neutron irradiation on characteristics of power InGaN/GaN light-emitting diodes
von: O. I. Vlasenko, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: O. I. Vlasenko, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Ähnliche Einträge
-
Influence of 2 MeV electrons irradiation on gallium phosphide light-emitting diodes reverse currents
von: V. H. Vorobiov, et al.
Veröffentlicht: (2015) -
Peculiarities of electrooptical characteristics of gallium phosphide light-emitting diodes in high injection level conditions
von: O. M. Hontaruk, et al.
Veröffentlicht: (2015) -
Degradation and recovery features of irradiated GAP LEDs
von: O. P. Budnyk, et al.
Veröffentlicht: (2022) -
Negative differential resistance and spectral characteristics of original and electron-irradiated (with E = 2 MeV) GaAs1-xPx LEDs
von: T. I. Mosiuk, et al.
Veröffentlicht: (2024) -
High temperature strain sensors based on gallium phosphide whiskers
von: A. O. Druzhynin, et al.
Veröffentlicht: (2019)