Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films

Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2020
Hauptverfasser:	R. M. Rudenko, O. O. Voitsikhovska, V. V. Voitovych, A. H. Kolosiuk, M. M. Krasko, Yu. Povarchuk, M. P. Rudenko, L. M. Knorozok
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2020
Schriftenreihe:	Ukrainian Journal of Physics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001127979
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Institution

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Ähnliche Einträge

Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
von: R. M. Rudenko, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Behavior of hydrogen during crystallization of thin silicon films doped with tin
von: R. M. Rudenko, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Behavior of hydrogen during crystallization of thin silicon films doped with tin
von: R. M. Rudenko, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Effect of tin on structural transformations in the thin-film silicon suboxide matrix
von: V. V. Voitovych, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Effect of tin on structural transformations in the thin-film silicon suboxide matrix
von: V. V. Voitovych, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Influence of high temperature annealing on the structure and the intrinsic absorption edge of thin-film silicon doped with tin
von: R. M. Rudenko, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Influence of high temperature annealing on the structure and the intrinsic absorption edge of thin-film silicon doped with tin
von: R. M. Rudenko, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Photoluminescent films of nanocrystalline silicon doped with metals
von: Kaganovich, E.B., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous silicon–carbon and nanocrystalline-silicon thin films
von: B. A. Najafov, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous silicon–carbon and nanocrystalline-silicon thin films
von: B. A. Nadzhafov, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Tin doping effect on crystallization of amorphous silicon obtained by vapor deposition in vacuum
von: Neimash, V.B., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Tin doping effect on crystallization of amorphous silicon, obtained by vapor deposition in vacuum
von: V. B. Neimash, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Mechanism of tin-induced crystallization in amorphous silicon
von: V. B. Neimash, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Mechanism of tin-induced crystallization in amorphous silicon
von: V. B. Neimash, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Raman scattering in the process of tin-induced crystallization of amorphous silicon
von: V. Neimash, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Raman scattering in the process of tin-induced crystallization of amorphous silicon
von: V. B. Neimash, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Light scattering in silicon carbide nanocrystalline films
von: Lopin, A.V.
Veröffentlicht: (2008)

Nanocrystalline silicon carbide films for solar cells
von: Vlaskina, S.I., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Absorption edge of nanocrystalline cubic silicon carbide films
von: Lopin, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Nanocrystalline silicon carbide films for solar cells
von: S. I. Vlaskina, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Tin-induced crystallization of amorphous silicon under pulsed laser irradiation
von: V. B. Neimash, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Tin-induced crystallization of amorphous silicon under pulsed laser irradiation
von: V. B. Neimash, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Formation of nanocrystals and their properties during tin induced and laser light stimulated crystallization of amorphous silicon
von: V. B. Neimash, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Effect of microwave electromagnetic radiation on the structure, photoluminescence and electronic properties of nanocrystalline silicon films on silicon substrate
von: Kaganovich, E.B., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Tin-induced crystallization of amorphous silicon assisted by a pulsed laser irradiation
von: V. B. Neimash, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Deposition of nanocrystalline silicon films into low frequency induction RF discharge
von: Deryzemlia, A.M., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Peculiarities of nanocrystalline silicon films growth on porous anodic alumina surface
von: P. V. Parfenyuk, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Doping by silicon and photovoltaic properties of thin thulium sesquisulfide films
von: Z. U. Dzhabua, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals
von: Azarenkov, N.А., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
von: V. Shmid, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
von: V. Shmid, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Photoluminescence of nanocrystalline cdte, introduced into porous silicon
von: H. A. Pashchenko, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Influence of г-irradiation on initial magnetic permeability of amorphous and nanocrystalline Fe−Si−B-based alloys
von: Yu. Povarchuk, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Influence of г-irradiation on initial magnetic permeability of amorphous and nanocrystalline Fe−Si−B-based alloys
von: Yu. Povarchuk, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Interface electronic properties of eterojunctions based on nanocrystalline silicon
von: Kaganovich, E.B., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Radiative processes of amorphization and hydrogenation in monocrystalline silicon
von: Dovbnya, A.N., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon
von: Dovbnya, A.N., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Influence of initial defects on defect formation process in ion doped silicon
von: Smyntyna, V.A., et al.
Veröffentlicht: (2009)

A new approach to increasing the sensitivity of a gas sensor based on nanocrystalline silicon carbide films
von: A. Semenov, et al.
Veröffentlicht: (2021)

The radiation hardness of pulled silicon doped with germanium
von: Dolgolenko, A.P., et al.
Veröffentlicht: (2007)