Зображення обкладинки

Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2020
Автори:	R. M. Rudenko, O. O. Voitsikhovska, V. V. Voitovych, A. H. Kolosiuk, M. M. Krasko, Yu. Povarchuk, M. P. Rudenko, L. M. Knorozok
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2020
Назва видання:	Ukrainian Journal of Physics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001127979
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Behavior of hydrogen during crystallization of thin silicon films doped with tin
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Behavior of hydrogen during crystallization of thin silicon films doped with tin
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Effect of tin on structural transformations in the thin-film silicon suboxide matrix
за авторством: V. V. Voitovych, та інші
Опубліковано: (2016)

Effect of tin on structural transformations in the thin-film silicon suboxide matrix
за авторством: V. V. Voitovych, та інші
Опубліковано: (2016)

Influence of high temperature annealing on the structure and the intrinsic absorption edge of thin-film silicon doped with tin
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous silicon–carbon and nanocrystalline-silicon thin films
за авторством: B. A. Najafov, та інші
Опубліковано: (2013)

Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous silicon–carbon and nanocrystalline-silicon thin films
за авторством: B. A. Nadzhafov, та інші
Опубліковано: (2013)

Influence of high temperature annealing on the structure and the intrinsic absorption edge of thin-film silicon doped with tin
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Tin doping effect on crystallization of amorphous silicon, obtained by vapor deposition in vacuum
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2013)

Mechanism of tin-induced crystallization in amorphous silicon
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2014)

Mechanism of tin-induced crystallization in amorphous silicon
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2014)

Raman scattering in the process of tin-induced crystallization of amorphous silicon
за авторством: V. Neimash, та інші
Опубліковано: (2016)

Raman scattering in the process of tin-induced crystallization of amorphous silicon
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2016)

Nanocrystalline silicon carbide films for solar cells
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2016)

Absorption edge of nanocrystalline cubic silicon carbide films
за авторством: Lopin, A.V., та інші
Опубліковано: (2009)

Tin-induced crystallization of amorphous silicon under pulsed laser irradiation
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2017)

Tin-induced crystallization of amorphous silicon under pulsed laser irradiation
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2017)

Formation of nanocrystals and their properties during tin induced and laser light stimulated crystallization of amorphous silicon
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2019)

Tin-induced crystallization of amorphous silicon assisted by a pulsed laser irradiation
за авторством: V. B. Neimash, та інші
Опубліковано: (2017)

Peculiarities of nanocrystalline silicon films growth on porous anodic alumina surface
за авторством: P. V. Parfenyuk, та інші
Опубліковано: (2017)

Doping by silicon and photovoltaic properties of thin thulium sesquisulfide films
за авторством: Z. U. Dzhabua, та інші
Опубліковано: (2014)

Monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals
за авторством: Azarenkov, N.А., та інші
Опубліковано: (2016)

Photoluminescence of nanocrystalline cdte, introduced into porous silicon
за авторством: H. A. Pashchenko, та інші
Опубліковано: (2021)

Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)

Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)

Influence of г-irradiation on initial magnetic permeability of amorphous and nanocrystalline Fe−Si−B-based alloys
за авторством: Yu. Povarchuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Influence of г-irradiation on initial magnetic permeability of amorphous and nanocrystalline Fe−Si−B-based alloys
за авторством: Yu. Povarchuk, та інші
Опубліковано: (2012)

A new approach to increasing the sensitivity of a gas sensor based on nanocrystalline silicon carbide films
за авторством: A. Semenov, та інші
Опубліковано: (2021)

Revealing the hopping mechanism of conduction in heavily doped silicon diodes
за авторством: Borblik, V. L., та інші
Опубліковано: (2005)

Radiation-stimulated processes in silicon structures with contacts based on TiN
за авторством: M. U. Nasyrov, та інші
Опубліковано: (2015)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2011)

Analysis of the silicon solar cells efficiency. Type of doping and level optimization
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Analysis of the silicon solar cells efficiency. Type of doping and level optimization
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2016)

Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
за авторством: V. N. Rodionov, та інші
Опубліковано: (2019)

Electroluminescent properties of Tb-doped carbon-enriched silicon oxide
за авторством: S. I. Tiagulskyi, та інші
Опубліковано: (2014)

Electroluminescent properties of Tb-doped carbon-enriched silicon oxide
за авторством: Tiagulskyi, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)

Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2013)

Argon-arc welding of high-temperature titanium alloy doped by silicon
за авторством: S. V. Akhonin, та інші
Опубліковано: (2022)

Investigation of cadmium telluride films on silicon substrate
за авторством: Odarych, V.A., та інші
Опубліковано: (2005)