Interaction of chalcogenide As4Se96 films with electron beam when used as electronic resists
Збережено в:
Дата: | 2020 |
---|---|
Автори: | B. V. Bilanych, O. Shylenko, V. M. Latyshev, A. Feher, V. S. Bilanych, V. M. Rizak, V. Komanicky |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2020
|
Назва видання: | Ukrainian journal of physics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001127992 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Interaction of chalcogenide As4Se96 films with electron beam when used as electronic resists
за авторством: B. V. Bilanych, та інші
Опубліковано: (2020) -
Взаємодія халькогенідних плівок As4Se96 з електронним пучком при використанні їх у ролі електронних резистів
за авторством: Bilanych, B. V., та інші
Опубліковано: (2020) -
Low-field electron emission and cathode luminescence of piezoelectric films of oxides and chalcogenides
за авторством: Dadykin, A.A., та інші
Опубліковано: (2002) -
Features of mechanical scanning probe lithography on graphene oxide and As(Ge)Se chalcogenide resist
за авторством: P. M. Lytvyn, та інші
Опубліковано: (2018) -
Quasiparticle electronic band structure of the alkali metal chalcogenides
за авторством: Syrotyuk, S.V., та інші
Опубліковано: (2015)