Determination of energy disorder value in amorphous oxide semiconductors
Збережено в:
Дата: | 2024 |
---|---|
Автор: | I. I. Fishchuk |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2024
|
Назва видання: | Nuclear physics and atomic energy |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001472321 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Charge carrier generation in photosensitive amorphous molecular semiconductors
за авторством: Zabolotny, M.A.
Опубліковано: (2003) -
Growth of crystals with bent crystalline lattice in amorphous semiconductor films
за авторством: Bagmut, A.G., та інші
Опубліковано: (2008) -
The origin of radiation resistance of oxides with cationic disorder
за авторством: Gritsyna, V.T., та інші
Опубліковано: (2002) -
Peculiarities of the exciton scattering in double semiconductor quantum wells with disordered layers
за авторством: Vertsimakha, G.V.
Опубліковано: (2015) -
Peculiarities of the exciton scattering in double semiconductor quantum wells with disordered layers
за авторством: G. V. Vertsimakha
Опубліковано: (2015)