Influence of microwave radiation on relaxation processes in silicon carbide
Збережено в:
| Дата: | 2020 |
|---|---|
| Автори: | Yu. Yu. Bacherikov, Yu. Goroneskul, Yo. Gudymenko, V. P. Kladko, O. F. Kolomys, I. M. Krishchenko, O. B. Okhrimenko, V. V. Strelchuk |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2020
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001151467 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Influence of microwave radiation on relaxation processes in silicon carbide
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)
Effect of microwave radiation on optical transmission spectra in SiO₂/SiC structures
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2002)
Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
за авторством: Rodionov, V.N., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Rodionov, V.N., та інші
Опубліковано: (2019)
Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
за авторством: V. N. Rodionov, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. N. Rodionov, та інші
Опубліковано: (2019)
Research of the influence of silicon impregnation on the structure and properties of hot-pressed silicon carbide
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2017)
Research of the influence of siliconizing on the structure and properties of hot-pressed polycrystalline silicon carbide
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2018)
Effect of buffer layer of porous silicon carbide on the interface with the oxide layer (review)
за авторством: O. B. Okhrimenko
Опубліковано: (2012)
за авторством: O. B. Okhrimenko
Опубліковано: (2012)
The growth of weakly coupled graphene sheets from silicon carbide powder
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2014)
The growth of weakly coupled graphene sheets from silicon carbide powder
за авторством: V. S. Kiselov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. S. Kiselov, та інші
Опубліковано: (2014)
Effect of microwave electromagnetic radiation on the structure, photoluminescence and electronic properties of nanocrystalline silicon films on silicon substrate
за авторством: Kaganovich, E.B., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Kaganovich, E.B., та інші
Опубліковано: (2003)
Silicon carbide LED
за авторством: Vlaskina, S.I.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Vlaskina, S.I.
Опубліковано: (2002)
A silicon carbide thermistor
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2006)
Relaxation of photoconductivity in macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2018)
Estimation of field-emission properties of nanostructures based on silicon carbide and graphene
за авторством: O. B. Okhrimenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: O. B. Okhrimenko, та інші
Опубліковано: (2012)
A model for non-thermal action of microwave radiation on oxide film/semiconductor structures
за авторством: Okhrimenko, O.B.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Okhrimenko, O.B.
Опубліковано: (2014)
A model for non-thermal action of microwave radiation on oxide film/semiconductor structures
за авторством: O. B. Okhrimenko
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. B. Okhrimenko
Опубліковано: (2014)
Relaxation of Magnetosensitive Impurities in Single-Crystalline Silicon
за авторством: V. A. Makara, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. A. Makara, та інші
Опубліковано: (2013)
On melting of silicon carbide under pressure
за авторством: P. S. Sokolov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: P. S. Sokolov, та інші
Опубліковано: (2012)
Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2017)
Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2017)
Phenomenological model of athermal interaction of microwave radiation with the structures wide-gap semiconductor – oxide film
за авторством: O. B. Okhrimenko
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. B. Okhrimenko
Опубліковано: (2015)
Phenomenological model of athermal interaction of microwave radiation with the structures wide-gap semiconductor – oxide film
за авторством: Okhrimenko, O.B
Опубліковано: (2015)
за авторством: Okhrimenko, O.B
Опубліковано: (2015)
The influence of machining conditions on performance of diamond grinding of silicon carbide ceramic balls
за авторством: S. V. Sokhan, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: S. V. Sokhan, та інші
Опубліковано: (2018)
Relation between structure inhomogeneities and relaxation processes in excited silicon crystals
за авторством: Makara, V.A., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Makara, V.A., та інші
Опубліковано: (2004)
Polishing substrates of single crystal silicon carbide and sapphire for optoelectronics
за авторством: Filatov, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Filatov, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2016)
Reinforcement of material based on the cubic boron nitride by the help of silicon carbide whiskers
за авторством: Yu. Yu. Rumiantseva, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Yu. Yu. Rumiantseva, та інші
Опубліковано: (2018)
Manufacturing technology for contacts to silicon carbide
за авторством: Ja. Ja. Kudrik, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ja. Ja. Kudrik, та інші
Опубліковано: (2013)
Preparation and characterization of diamond–silicon carbide–silicon composites gaseous silicon vacuum infiltration process
за авторством: R. J. Liu, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: R. J. Liu, та інші
Опубліковано: (2014)
Preparation and characterization of diamond–silicon carbide–silicon composites gaseous silicon vacuum infiltration process
за авторством: R. J. Liu, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: R. J. Liu, та інші
Опубліковано: (2014)
Light scattering in silicon carbide nanocrystalline films
за авторством: Lopin, A.V.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Lopin, A.V.
Опубліковано: (2008)
Nanocrystalline silicon carbide films for solar cells
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2016)
Nanocrystalline silicon carbide films for solar cells
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2016)
Production and properties of hot-pressed materials based on silicon carbide with additions of boron and titanium carbides
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2016)
Producing by electron beam melting the ingots of iron alloyed with silicon carbide
за авторством: S. V. Akhonin, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: S. V. Akhonin, та інші
Опубліковано: (2020)
TGA-DSC-MS analysis of silicon carbide and of its carbon-silica precursor
за авторством: Yu. Tishchenko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Yu. Tishchenko, та інші
Опубліковано: (2015)
Investigation of Relaxation Processes in Naturally-Aged Single Crystals of Silicon
за авторством: Ye. I. Kurek, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ye. I. Kurek, та інші
Опубліковано: (2013)
Absorption edge of nanocrystalline cubic silicon carbide films
за авторством: Lopin, A.V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Lopin, A.V., та інші
Опубліковано: (2009)
Influence of microwave radiation treatment on photoluminescent properties of II-VI compounds (Review)
за авторством: R. A. Redko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: R. A. Redko, та інші
Опубліковано: (2017)
Boron, aluminum, nitrogen, oxygen impurities in silicon carbide
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2007)
Structure formation in silicon carbide–alumina composites during electroconsolidation
за авторством: E. S. Hevorkian, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: E. S. Hevorkian, та інші
Опубліковано: (2022)
Схожі ресурси
-
Influence of microwave radiation on relaxation processes in silicon carbide
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2020) -
Effect of microwave radiation on optical transmission spectra in SiO₂/SiC structures
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2002) -
Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
за авторством: Rodionov, V.N., та інші
Опубліковано: (2019) -
Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
за авторством: V. N. Rodionov, та інші
Опубліковано: (2019) -
Research of the influence of silicon impregnation on the structure and properties of hot-pressed silicon carbide
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2017)