Influence of microwave radiation on relaxation processes in silicon carbide

Influence of microwave radiation on relaxation processes in silicon carbide

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2020
Hauptverfasser:	Yu. Yu. Bacherikov, Yu. Goroneskul, Yo. Gudymenko, V. P. Kladko, O. F. Kolomys, I. M. Krishchenko, O. B. Okhrimenko, V. V. Strelchuk
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2020
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001151467
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