Influence of microwave radiation on relaxation processes in silicon carbide
Збережено в:
Дата: | 2020 |
---|---|
Автори: | Yu. Yu. Bacherikov, Yu. Goroneskul, Yo. Gudymenko, V. P. Kladko, O. F. Kolomys, I. M. Krishchenko, O. B. Okhrimenko, V. V. Strelchuk |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2020
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001151467 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Effect of microwave radiation on optical transmission spectra in SiO₂/SiC structures
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2002) -
Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
за авторством: V. N. Rodionov, та інші
Опубліковано: (2019) -
Research of the influence of silicon impregnation on the structure and properties of hot-pressed silicon carbide
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2017) -
Research of the influence of siliconizing on the structure and properties of hot-pressed polycrystalline silicon carbide
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2018) -
Effect of buffer layer of porous silicon carbide on the interface with the oxide layer (review)
за авторством: O. B. Okhrimenko
Опубліковано: (2012)