Light-emitting properties of BN synthesized by different techniques
Gespeichert in:
| Datum: | 2020 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Yu. Rudko, L. L. Sartinska, O. F. Isaieva, E. G. Gule, T. Eren, E. Altay |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
2020
|
| Schriftenreihe: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001151470 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
-
Some aspects of thermal resistance measurement technique for IMPATT and light-emitting diodes
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Some aspects of thermal resistance measurement technique for IMPATT and light-emitting diodes
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Surface distribution of the emitting intensity of GaP light-emitting diodes
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Properties of BN nanostructures fabricated under the influence of concentrated light radiation
von: L. L. Sartinskaja, et al.
Veröffentlicht: (2014) -
Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
von: O. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2014)