Electrophysical characteristics of GaAs1-xPx LEDs irradiated by 2 MeV electrons

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2020
Автори: R. M. Vernydub, O. I. Kyrylenko, O. V. Konoreva, Ya. M. Olikh, P. G. Litovchenko, Yu. V. Pavlovskyy, P. Potera, V. P. Tartachnyk
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: 2020
Назва видання:Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001151471
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS