Detectors based on Cd(Zn)Te semiconductors for x-ray and gamma radiation registration
Збережено в:
Дата: | 2020 |
---|---|
Автор: | S. M. Levytskyi |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2020
|
Назва видання: | Geochemistry of technogenesis |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001164353 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
CdZnTe- and TlBr-detectors response simulation for registration of the mixed beta- and gamma-radiation
за авторством: A. I. Skrypnik
Опубліковано: (2015) -
Spectrometric registration of x-ray and gamma radiation by detecting modules “silicon planar detector - scintillator”
за авторством: Bochek, G.L., та інші
Опубліковано: (2022) -
Influence of radiation-induced defects on CdTe and CdZnTe detectors properties
за авторством: Kondrik, A.I.
Опубліковано: (2015) -
CdZnTe sensors for X-ray measurements
за авторством: A. V. Rybka, та інші
Опубліковано: (2006) -
Influence of transport properties on energy resolution of planar TlBr and CdZnTe gamma-ray detectors: Monte-Carlo investigation
за авторством: Skrypnyk, A.I., та інші
Опубліковано: (2014)