Obtaining and examination of heterostructure ZnO:Al/por-Si/Si
Збережено в:
Дата: | 2020 |
---|---|
Автори: | A. F. Diadenchuk, V. V. Kidalov |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2020
|
Назва видання: | Chemistry, physics and technology of surface |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001166125 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Репозиторії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
CdS films on the porous substruction of Si obtained by chemical surface deposition
за авторством: A. F. Diadenchuk, та інші
Опубліковано: (2018) -
Formation of β-SiC on por-Si/mono-Si surface according to Stranski - Krastanow mechanism
за авторством: Y. O. Suchikova, та інші
Опубліковано: (2022) -
Structural, optical, and electrical properties of ZnO:Al prepared by CVD
за авторством: A. D. Pogrebnyak, та інші
Опубліковано: (2011) -
Структурні, електричні та оптичні властивості тонких плівок ZnO:Al
за авторством: Хрипко, С.Л.
Опубліковано: (2009) -
ZnO:Al wide zone “windows” deposited by magnetron sputtering on unheated substrate
за авторством: Boyko, B.Т., та інші
Опубліковано: (2000)