Obtaining and examination of heterostructure ZnO:Al/por-Si/Si
Збережено в:
| Дата: | 2020 |
|---|---|
| Автори: | A. F. Diadenchuk, V. V. Kidalov |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2020
|
| Назва видання: | Chemistry, physics and technology of surface |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001166125 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
CdS films on the porous substruction of Si obtained by chemical surface deposition
за авторством: A. F. Diadenchuk, та інші
Опубліковано: (2018) -
Structural, optical, and electrical properties of ZnO:Al prepared by CVD
за авторством: A. D. Pogrebnyak, та інші
Опубліковано: (2011) -
Study on phase characteristics of heterostructure por-Ga2O3/GaAs
за авторством: S. S. Kovachov, та інші
Опубліковано: (2024) -
Formation of β-SiC on por-Si/mono-Si surface according to Stranski - Krastanow mechanism
за авторством: Y. O. Suchikova, та інші
Опубліковано: (2022) -
Структурні, електричні та оптичні властивості тонких плівок ZnO:Al
за авторством: Хрипко, С.Л.
Опубліковано: (2009)