Effect of doping level and compensation on thermal conductivity in CexSn1–xSe solid solutions
Збережено в:
Дата: | 2020 |
---|---|
Автори: | Sh. S. Ismailov, J. I. Huseynov, M. A. Musaev, I. I. Abbasov, V. A. Abdurakhmanova |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2020
|
Назва видання: | Low Temperature Physics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001168654 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Concentration dependence of the electrical conductivity and the Hall effect of CexSn1–xSe monocrystals
за авторством: I. I. Abbasov, та інші
Опубліковано: (2019) -
Compensating effect of terbium impurity on the conductivity of TbxSn1 – xSe solid solutions
за авторством: J. I. Huseynov, та інші
Опубліковано: (2020) -
Compensating effect of terbium impurity on the conductivity of TbxSn1 – xSe solid solutions
за авторством: J. I. Huseynov, та інші
Опубліковано: (2020) -
Компенсуюча дія домішки тербію на провідність твердих розчинів TbxSn1 – xSe
за авторством: Huseynov, J. I., та інші
Опубліковано: (2020) -
Система Tl₂GeSe₃—Tl₄GeₓSn₁₋ₓSe₄ —Tl₂SnSe₃
за авторством: Барчій, І.Є., та інші
Опубліковано: (2006)