Effect of doping level and compensation on thermal conductivity in CexSn1–xSe solid solutions
Збережено в:
| Дата: | 2020 |
|---|---|
| Автори: | Sh. S. Ismailov, J. I. Huseynov, M. A. Musaev, I. I. Abbasov, V. A. Abdurakhmanova |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2020
|
| Назва видання: | Low Temperature Physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001168654 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Concentration dependence of the electrical conductivity and the Hall effect of CexSn1–xSe monocrystals
за авторством: I. I. Abbasov, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: I. I. Abbasov, та інші
Опубліковано: (2019)
Compensating effect of terbium impurity on the conductivity of TbxSn1 – xSe solid solutions
за авторством: J. I. Huseynov, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: J. I. Huseynov, та інші
Опубліковано: (2020)
Compensating effect of terbium impurity on the conductivity of TbxSn1 – xSe solid solutions
за авторством: J. I. Huseynov, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: J. I. Huseynov, та інші
Опубліковано: (2020)
Система Tl₂GeSe₃—Tl₄GeₓSn₁₋ₓSe₄ —Tl₂SnSe₃
за авторством: Барчій, І.Є., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Барчій, І.Є., та інші
Опубліковано: (2006)
Electron mobility in CdxHg₁₋xSe
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009)
Compensation of hole conductivity in CdTe crystals doped with Cr
за авторством: Nikonyuk, E.S., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Nikonyuk, E.S., та інші
Опубліковано: (2007)
Fiatures of the electron structure and conduction mechanisms in the Zr1-xCexNiSn thermoelectric material
за авторством: V. A. Romaka, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. A. Romaka, та інші
Опубліковано: (2014)
Вплив повітряного середовища на фізичні характеристики сцинтиляційного кристала ZnSe(Xse)
за авторством: Гальчинецький, Л.П., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Гальчинецький, Л.П., та інші
Опубліковано: (2008)
Charge-transfer processes in (SnS)1 – x(PrS)x Alloys
за авторством: I. I. Abbasov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: I. I. Abbasov, та інші
Опубліковано: (2017)
Charge-transfer processes in (SnS)1 – x(PrS)x Alloys
за авторством: I. I. Abbasov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: I. I. Abbasov, та інші
Опубліковано: (2017)
The estimation of coherence length for electron-doped superconductor Nd₂₋xCexCuO₄₊δ
за авторством: Charikova, T.B., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Charikova, T.B., та інші
Опубліковано: (2011)
Термоелектричні властивості евтектичних сплавів систем TlBiSe₂—SnSe₂ (Tl₂SnSe₃, Tl₄SnSe₄) і Tl₄SnSe₄—Tl₉BiSe₆
за авторством: Козьма, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Козьма, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)
Фазові рівноваги у системі SnSe₂—Tl₂SnSe₃—TlBiSe₂
за авторством: Козьма, А.А., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Козьма, А.А., та інші
Опубліковано: (2010)
The estimation of coherence length for electron-doped superconductor Nd2–xCexCuO4+δ
за авторством: T. B. Charikova, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: T. B. Charikova, та інші
Опубліковано: (2011)
Эффект Яна–Теллера и сдвиговые деформации решетки в твердых растворах Zn₁₋xМxSe
за авторством: Соколов, В.И., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Соколов, В.И., та інші
Опубліковано: (2007)
Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9)
за авторством: Хейфец, О.Л., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Хейфец, О.Л., та інші
Опубліковано: (2007)
Термоелектричні властивості монокристалів сполук Tl₄SnS₄(Se₄) і Tl₂SnS₃(Se₃)
за авторством: Малаховська, Т.О., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Малаховська, Т.О., та інші
Опубліковано: (2009)
Anomalous behavior of the Hall effect in electron-doped superconductor Nd₂₋xCexCuO₄₊δ with nonstoichiometric disorder
за авторством: Charikova, T.B., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Charikova, T.B., та інші
Опубліковано: (2011)
Влияние высоких давлений на электрические свойства сегнетоэлектриков AgPbSbSe₃, CuSnAsSe₃, CuSnSbSe₃, AgSnSbSe₃ и CuSnSbS₃
за авторством: Хейфец, О.Л., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Хейфец, О.Л., та інші
Опубліковано: (2009)
Influence of Cu-, Sn-, and In-doping on optical properties of AgGaGe3 Se8 single crystals
за авторством: A. S. Krymus, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. S. Krymus, та інші
Опубліковано: (2016)
Influence of Cu-, Sn-, and In-doping on optical properties of AgGaGe3 Se8 single crystals
за авторством: A. S. Krymus, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. S. Krymus, та інші
Опубліковано: (2016)
Фазові рівноваги в системі Tl₂Se—SnSe, одержання та властивості монокристалів сполуки Tl₄SnSe₃
за авторством: Малаховська, Т.О., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Малаховська, Т.О., та інші
Опубліковано: (2009)
Defect formation on diffusive layers of ZnSe:Sn and ZnSe:Mg
за авторством: Gryvul, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Gryvul, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)
Research on electrical conductivity mechanisms of thermoelectric material based on n-ZrNiSn doped with Ga
за авторством: V. A. Romaka, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. A. Romaka, та інші
Опубліковано: (2016)
The influence of defects and conductivity on the domain structure properties and the memory effect in the ferroelectrics-semiconductors Sn₂P₂Se₆
за авторством: Vysochanskii, Yu.M., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Vysochanskii, Yu.M., та інші
Опубліковано: (1999)
Anomalous behavior of the Hall effect in electron-doped superconductor Nd2–xCexCuO4+δ with nonstoichiometric disorder
за авторством: T. B. Charikova, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: T. B. Charikova, та інші
Опубліковано: (2011)
Anisotropy of the critical current density in the layered electron-doped superconductor Nd2–xCexCuO4+δ
за авторством: A. S. Klepikova, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. S. Klepikova, та інші
Опубліковано: (2019)
CONDUCTIVITY OF SOLID FLUORIDE-CONDUCTING PHASES BaxPb0.86-xSn1.14F4
за авторством: Nahornyi, Anton, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Nahornyi, Anton, та інші
Опубліковано: (2022)
The high-pressure effect on superconducting transition parameters of In-doped PbzSn1–zTe semiconducting solid solutions
за авторством: R. V. Parfenev, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: R. V. Parfenev, та інші
Опубліковано: (2015)
The mixed-state Hall conductivity of single-crystal films Nd₂–xCexCuO₄₊δ (x = 0.14)
за авторством: Shelushinina, N.G., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Shelushinina, N.G., та інші
Опубліковано: (2017)
Electrical Conduction of Graphene Doped with Nitrogen
за авторством: S. P. Repetskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: S. P. Repetskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
Механізм утворення потрійних сполук у системі Tl₂Se—SnSe₂
за авторством: Глух, О.С., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Глух, О.С., та інші
Опубліковано: (2010)
Фазові рівноваги на квазібінарних перерізах квазіпотрійної системи Tl₂Se—SnSe₂—Bi₂Se₃
за авторством: Козьма, А.А., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Козьма, А.А., та інші
Опубліковано: (2010)
Anisotropic temperature dependence of normal state resistivity in underdoped region of a layered electron-doped superconductor Nd₂−xCexCuO₄
за авторством: Klepikova, A.S., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Klepikova, A.S., та інші
Опубліковано: (2019)
Size effects in chlorine doped PbSe thin films
за авторством: S. I. Menshikova, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: S. I. Menshikova, та інші
Опубліковано: (2015)
The mixed-state Hall conductivity of single-crystal films Nd2–xCexCuO4+δ (x = 0.14)
за авторством: N. G. Shelushinina, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: N. G. Shelushinina, та інші
Опубліковано: (2017)
SYNTHESIS AND ELECTRICAL CONDUCTIVITY OF SOLID SOLUTIONS OF THE SYSTEM RbF-PbF2-SnF2
за авторством: Pogorenko, Yuliay, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Pogorenko, Yuliay, та інші
Опубліковано: (2019)
Molar heat capacity and thermal conductivity of single crystals of ZnMgSe substitution solid solution
за авторством: Kapustnik, A.K., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Kapustnik, A.K., та інші
Опубліковано: (2012)
Thermoelectric properties of bismuth-doped tin telluride SnTe:Bi
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2016)
Thermoelectric properties of bismuth-doped tin telluride SnTe:Bi
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2016)
Схожі ресурси
-
Concentration dependence of the electrical conductivity and the Hall effect of CexSn1–xSe monocrystals
за авторством: I. I. Abbasov, та інші
Опубліковано: (2019) -
Compensating effect of terbium impurity on the conductivity of TbxSn1 – xSe solid solutions
за авторством: J. I. Huseynov, та інші
Опубліковано: (2020) -
Compensating effect of terbium impurity on the conductivity of TbxSn1 – xSe solid solutions
за авторством: J. I. Huseynov, та інші
Опубліковано: (2020) -
Система Tl₂GeSe₃—Tl₄GeₓSn₁₋ₓSe₄ —Tl₂SnSe₃
за авторством: Барчій, І.Є., та інші
Опубліковано: (2006) -
Electron mobility in CdxHg₁₋xSe
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009)