Srystal structure of the YNi0.83Ga1.17 and YNiIn0.15Ga0.85 compounds
Збережено в:
Дата: | 2020 |
---|---|
Автори: | M. Horiacha, G. Nychyporuk, R. Pottgen, V. Zaremba |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2020
|
Назва видання: | Proceedings of the Shevchenko Scientific Society : Shemical Sciences |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001186543 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Andreev reflection spectroscopy of the new Fe-based superconductor EuAsFeO0.85F0.15: evidence for the strong order parameter anisotropy
за авторством: V. M. Dmitriev, та інші
Опубліковано: (2011) -
A novel Al0. 33Ga0. 67As/In0. 15Ga0. 85As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs)
за авторством: H. Sghaier, та інші
Опубліковано: (2012) -
Structural changes in multilayer systems containing InxGa₁₋xAs₁₋yNy quantum wells
за авторством: Fodchuk, I.M., та інші
Опубліковано: (2003) -
Deep attachment levels in In0.4Ga0.6As/GaAs heterostructures with quantum dots
за авторством: O. V. Vakulenko, та інші
Опубліковано: (2011) -
Development of thermoelectric devices based on n-type PbTe/p-type TAGS-85 ((AgSbTe2)0.15(GeTe)0.85) and n/p-type Si-Ge alloy
за авторством: R. Basu, та інші
Опубліковано: (2012)