Spectral photosensitivity of diffused Ge-p–i–n photodiods
Збережено в:
| Дата: | 2020 |
|---|---|
| Автор: | A. V. Fedorenko |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2020
|
| Назва видання: | Technology and design in electronic equipment |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001194849 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Peculiarities of manufacture, electrical and photoelectrical properties of diffusion Gep-i-n- photodiodes
за авторством: V. P. Maslov, та інші
Опубліковано: (2018) -
Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008) -
Reduction of recombination losses in near-surface diffusion emitter layers of photosensitive silicon n+-p-p+ structures
за авторством: V. P. Kostylyov, та інші
Опубліковано: (2023) -
Mechanism of photocurrent amplification in injection photodiodes based on a photosensitive polycrystalline CdS film
за авторством: I. B. Sapaev, та інші
Опубліковано: (2015) -
Silicon p-i-n photodiode with increased pulse sensitivity
за авторством: M. S. Kukurudziak, та інші
Опубліковано: (2021)