Зображення обкладинки

Spectral photosensitivity of diffused Ge-p–i–n photodiods

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2020
Автор:	A. V. Fedorenko
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2020
Назва видання:	Technology and design in electronic equipment
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001194849
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Peculiarities of manufacture, electrical and photoelectrical properties of diffusion Gep-i-n- photodiodes
за авторством: V. P. Maslov, та інші
Опубліковано: (2018)

Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)

Спектральна фоточутливість дифузійних Ge-p-i-n-фотодіодів
за авторством: Fedorenko, Artem
Опубліковано: (2020)

Silicon p-i-n photodiode with increased pulse sensitivity
за авторством: M. S. Kukurudziak, та інші
Опубліковано: (2021)

Reduction of recombination losses in near-surface diffusion emitter layers of photosensitive silicon n+-p-p+ structures
за авторством: V. P. Kostylyov, та інші
Опубліковано: (2023)

Mechanism of photocurrent amplification in injection photodiodes based on a photosensitive polycrystalline CdS film
за авторством: I. B. Sapaev, та інші
Опубліковано: (2015)

Shunt current in InAs diffused photodiodes
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2020)

Shunt current in InAs diffused photodiodes
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2020)

Problems of chemical-dynamic polishing in the technology of silicon p-i-n photodiodes
за авторством: M. S. Kukurudziak
Опубліковано: (2023)

Photosensitive in wide spectral region composites based on polyphenylenevinylene
за авторством: Syromyatnikov, V., та інші
Опубліковано: (2009)

Electrical properties of photosensitive heterostructures n-FeS₂/p-InSe
за авторством: Tkachuk, I.G., та інші
Опубліковано: (2018)

High-resistivity p-type silicon-based p-i-n photodiode with high responsivity at the wavelength of 1060 nm
за авторством: M. S. Kukurudziak, та інші
Опубліковано: (2020)

Method of &quot;cleaning” the surface of responsive elements of silicon p-i-n photodiodes from dislocations
за авторством: M. S. Kukurudziak
Опубліковано: (2023)

InSb Photodiodes (Review, Part I)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)

Injection current and infrared photosensitivity in isotype p-PbTe/p-CdTe heterojunctions
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2013)

Injection current and infrared photosensitivity in isotype p-PbTe/p-CdTe heterojunctions
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)

InAs photodiodes (review)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2015)

Current-voltage characteristics of the injection photodiode based on M(In)-nCdS-pSi-M(In) structure
за авторством: I. B. Sapaev, та інші
Опубліковано: (2019)

Anti-reflection coatings based on SnO₂, SiO₂, Si₃N₄ films for photodiodes operating in ultraviolet and visible spectral ranges
за авторством: Dobrovolskiy, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2011)

Heterostructure infrared photodiodes
за авторством: Rogalski, A.
Опубліковано: (2000)

Approaching to an optimal value of rise time in n-well/p substrate photodiode by controlling depletion layer width
за авторством: Emad Hameed Hussein
Опубліковано: (2009)

Influence of the photodiode spectral sensitivity on the temperature estimation by sxr using thin filtering foils in Uragan-3M
за авторством: Dreval, M.B., та інші
Опубліковано: (2020)

Photosensitive porous silicon based structures
за авторством: Svechnikov, S.V., та інші
Опубліковано: (1998)

InAs photodiodes (Review. Part IV)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2018)

Hyperflav — perspective photosensitizer for PDT: cell studies
за авторством: Yermak, P.V., та інші
Опубліковано: (2010)

Photogeneration of charge carriers in photosensitive organic semiconductors
за авторством: Barabash, Yu.M., та інші
Опубліковано: (1999)

Anti-reflection coatings based on SnO2, SiO2, Si3N4 films for photodiodes operating in ultraviolet and visible spectral ranges
за авторством: Yu. G. Dobrovolskiy, та інші
Опубліковано: (2011)

InSb Photodiodes (Review, Part II)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)

Subpixel Detection of Spectrum Images by Photodiode Structures
за авторством: Yegorov, A. D., та інші
Опубліковано: (2012)

Subpixel Detection of Spectrum Images by Photodiode Structures
за авторством: Yegorov, A., та інші
Опубліковано: (2009)

Charge carrier generation in photosensitive amorphous molecular semiconductors
за авторством: Zabolotny, M.A.
Опубліковано: (2003)

Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
за авторством: Sukach, A., та інші
Опубліковано: (2014)

Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
за авторством: A. Sukach, та інші
Опубліковано: (2014)

Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
за авторством: Rodionov, V.N., та інші
Опубліковано: (2019)

Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
за авторством: V. N. Rodionov, та інші
Опубліковано: (2019)

Thermostabilized photodiode for monitoring radiation of medical lasers
за авторством: Dobrovolsky, Yu., та інші
Опубліковано: (2015)

Thermostabilized photodiode for monitoring radiation of medical lasers
за авторством: Yu. Dobrovolsky, та інші
Опубліковано: (2015)

New phoswich detector based on LFS and p-terphenyl scintillators coupled to micro pixel avalanche photodiode
за авторством: Ahmadov, F., та інші
Опубліковано: (2017)

Electrical properties and energy parameters of photosensitive n-Mn2O3/n-CdZnTe heterostructures
за авторством: I. G. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2021)

Electrical properties and energy parameters of photosensitive n-Mn2O3/n-CdZnTe heterostructures
за авторством: I. H. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2021)