Buchumschlag

Cryogenic resistance thermometers based on Ge–InP films

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2020
Hauptverfasser:	V. F. Mitin, V. V. Kholevchuk, E. A. Solovjov, A. B. Sidnev, E. F. Venger
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2020
Schriftenreihe:	Technology and design in electronic equipment
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001194858
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Institution

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Ähnliche Einträge

Кріогенні термометри опору на основі плівок Ge–InP
von: Mitin, Vadim, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Fabrication, properties and application of Ge-on-GaAs thin nanoheterogeneous films
von: E. F. Venger, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Obtaining over-inP/mono-InP overgrowth by electrochemical etching
von: Ya. O. Sychikova
Veröffentlicht: (2011)

Study of the reference standard facility of rhodium-iron resistance thermometer
von: L. Yin, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Photoelectrical properties of p+-inp/n-ingaasp/n-inp double heterojunctions
von: S. I. Krukovskyi, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
von: Venger, E. F., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Formation of the regular porous structure of p-InP
von: Ja. A. Sychikova, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Properties of p+-InP/n-InGaAsP/n-InP double heterojunctions grown at different technological regimes
von: S. I. Krukovskyi, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Thermometric noise and performance of thermoelectric thermometers
von: B. I. Stadnyk, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів
von: Круковський, С.І., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Thermoelectric power source for electronic medical thermometer
von: L. I. Anatychuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Photostimulated reversible changes in the Ge-Se films as a base of resistive process
von: I. V. Babiichuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Defect reorganization induced by pulsed magnetic field in porous InP
von: V. V. Milenin, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Defect reorganization induced by pulsed magnetic field in porous InP
von: Milenin, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n+-n-n++-n+++-InP
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n⁺ -n-n⁺⁺ -n⁺⁺⁺ -InP
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Complex-dopping epitaxial structures InP/InGaAsP for optoelectronic
von: S. I. Krukovskij
Veröffentlicht: (2006)

Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals
von: V. V. Milenin, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
von: Novitskyi, S. V.
Veröffentlicht: (2012)

On the accuracy of temperature measurement by electronic medical thermometer with thermoelectric power supply
von: L. I. Anatychuk, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Crystal defects in epitaxial InP layers: electrical and scanning electron microscope study
von: Horvath, Zs.J., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Фотоэлектрохимические процессы, импеданс и шумы на полупроводниковом InP-электроде
von: Колбасов, Г.Я., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
von: Vakiv, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Optical properties of Ge-As-S thin films
von: Tolmachov, I.D., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
von: S. A. Iliash, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Heat-physical problems of cryogenic corpuscular targets
von: Bukharov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Cryogenic electrolytes
von: S. Nazin, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Cryogenic electrolytes
von: Nazin, S., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Magnetotransport studies of SiGe-based p-type heterostructures: problems of the effective mass determination
von: I. B. Berkutov, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Magnetotransport studies of SiGe-based p-type heterostructures: problems of the effective mass determination
von: Berkutov, I.B., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Cryogenic adsorption pumps for REB accelerrators
von: Batrakov, A.B., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Selection criteria for materials to be applied in cryogenic precision equipment engineering
von: Bosin, M.E., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Optical properties and structure of As-Ge-Se thin films
von: Tolmachov, I.D., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Optical properties and structure of As-Ge-Se thin films
von: I. D. Tolmachov, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Existence of cryogenic magnetic entropy change in Gd based nanoparticles
von: A. Zeleňáková, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Existence of cryogenic magnetic entropy change in Gd based nanoparticles
von: Zeleňáková, A., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Melting and crystallization in layered film system Ge-Bi
von: S. I. Bogatyrenko, et al.
Veröffentlicht: (2004)

Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
von: Boltovets, N. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)