Зображення обкладинки

Cryogenic resistance thermometers based on Ge–InP films

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2020
Автори:	V. F. Mitin, V. V. Kholevchuk, E. A. Solovjov, A. B. Sidnev, E. F. Venger
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2020
Назва видання:	Technology and design in electronic equipment
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001194858
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Кріогенні термометри опору на основі плівок Ge–InP
за авторством: Mitin, Vadim, та інші
Опубліковано: (2020)

Fabrication, properties and application of Ge-on-GaAs thin nanoheterogeneous films
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2014)

Obtaining over-inP/mono-InP overgrowth by electrochemical etching
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2011)

Study of the reference standard facility of rhodium-iron resistance thermometer
за авторством: L. Yin, та інші
Опубліковано: (2014)

Photoelectrical properties of p+-inp/n-ingaasp/n-inp double heterojunctions
за авторством: S. I. Krukovskyi, та інші
Опубліковано: (2012)

Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
за авторством: Venger, E. F., та інші
Опубліковано: (2014)

Formation of the regular porous structure of p-InP
за авторством: Ja. A. Sychikova, та інші
Опубліковано: (2010)

Properties of p+-InP/n-InGaAsP/n-InP double heterojunctions grown at different technological regimes
за авторством: S. I. Krukovskyi, та інші
Опубліковано: (2011)

Thermometric noise and performance of thermoelectric thermometers
за авторством: B. I. Stadnyk, та інші
Опубліковано: (2015)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2012)

Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів
за авторством: Круковський, С.І., та інші
Опубліковано: (2011)

Thermoelectric power source for electronic medical thermometer
за авторством: L. I. Anatychuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Photostimulated reversible changes in the Ge-Se films as a base of resistive process
за авторством: I. V. Babiichuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Defect reorganization induced by pulsed magnetic field in porous InP
за авторством: V. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2010)

Defect reorganization induced by pulsed magnetic field in porous InP
за авторством: Milenin, V.V., та інші
Опубліковано: (2010)

Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n+-n-n++-n+++-InP
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2015)

Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n⁺ -n-n⁺⁺ -n⁺⁺⁺ -InP
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2015)

Complex-dopping epitaxial structures InP/InGaAsP for optoelectronic
за авторством: S. I. Krukovskij
Опубліковано: (2006)

Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals
за авторством: V. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2010)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
за авторством: Novitskyi, S. V.
Опубліковано: (2012)

On the accuracy of temperature measurement by electronic medical thermometer with thermoelectric power supply
за авторством: L. I. Anatychuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Crystal defects in epitaxial InP layers: electrical and scanning electron microscope study
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)

Фотоэлектрохимические процессы, импеданс и шумы на полупроводниковом InP-электроде
за авторством: Колбасов, Г.Я., та інші
Опубліковано: (2000)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2010)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)

Optical properties of Ge-As-S thin films
за авторством: Tolmachov, I.D., та інші
Опубліковано: (2009)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2017)

Heat-physical problems of cryogenic corpuscular targets
за авторством: Bukharov, A.V., та інші
Опубліковано: (2013)

Cryogenic electrolytes
за авторством: S. Nazin, та інші
Опубліковано: (2013)

Cryogenic electrolytes
за авторством: Nazin, S., та інші
Опубліковано: (2013)

Magnetotransport studies of SiGe-based p-type heterostructures: problems of the effective mass determination
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2012)

Magnetotransport studies of SiGe-based p-type heterostructures: problems of the effective mass determination
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2012)

Cryogenic adsorption pumps for REB accelerrators
за авторством: Batrakov, A.B., та інші
Опубліковано: (2004)

Selection criteria for materials to be applied in cryogenic precision equipment engineering
за авторством: Bosin, M.E., та інші
Опубліковано: (2006)

Optical properties and structure of As-Ge-Se thin films
за авторством: Tolmachov, I.D., та інші
Опубліковано: (2010)

Optical properties and structure of As-Ge-Se thin films
за авторством: I. D. Tolmachov, та інші
Опубліковано: (2010)

Existence of cryogenic magnetic entropy change in Gd based nanoparticles
за авторством: A. Zeleňáková, та інші
Опубліковано: (2017)

Existence of cryogenic magnetic entropy change in Gd based nanoparticles
за авторством: Zeleňáková, A., та інші
Опубліковано: (2017)

Melting and crystallization in layered film system Ge-Bi
за авторством: S. I. Bogatyrenko, та інші
Опубліковано: (2004)

Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
за авторством: Boltovets, N. S., та інші
Опубліковано: (2010)