Kukurudziak, M. S., Andreeva, O. P., & Lipka, V. M. (2020). High-resistivity p-type silicon-based p-i-n photodiode with high responsivity at the wavelength of 1060 nm.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Kukurudziak, M. S., O. P. Andreeva, та V. M. Lipka. High-resistivity P-type Silicon-based P-i-n Photodiode with High Responsivity at the Wavelength of 1060 Nm. 2020.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Kukurudziak, M. S., et al. High-resistivity P-type Silicon-based P-i-n Photodiode with High Responsivity at the Wavelength of 1060 Nm. 2020.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.