Зображення обкладинки

Features of the formation of ohmic contacts to n+-InN

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2019
Автори:	P. O. Sai, N. V. Safryuk-Romanenko, D. B. But, G. Cywiński, N. S. Boltovets, P. N. Brunkov, N. V. Jmeric, S. V. Ivanov, V. V. Shynkarenko
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2019
Назва видання:	Ukrainian Journal of Physics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000960780
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Features of the formation of ohmic contacts to n+-InN
за авторством: P. O. Sai, та інші
Опубліковано: (2019)

Ohmic contacts to InN-based materials
за авторством: Sai, P.O.
Опубліковано: (2016)

Ohmic contacts to InN-based materials
за авторством: P. O. Sai
Опубліковано: (2016)

Formation of ohmic contacts to n(p)-gan and measurement of their contact resistivity
за авторством: Boltovets, M.S., та інші
Опубліковано: (2010)

Formation of ohmic contacts to n(p)-gan and measurement of their contact resistivity
за авторством: M. S. Boltovets, та інші
Опубліковано: (2010)

On a feature of temperature dependence of contact resistivity for ohmic contacts to n-Si with an n+-n doping step
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2014)

Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n⁺ -n-n⁺⁺ -n⁺⁺⁺ -InP
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2015)

Role of dislocations in formation of ohmic contacts to heavily doped n-Si
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2013)

Effect of microwave radiation on I V curves and contact resistivity of ohmic contacts to n-GaN and n-AlN
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2013)

Temperature dependence of contact resistance of Au−Ti−Pd2Si−n⁺ -Si ohmic contacts
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2010)

Temperature dependence of contact resistance of Au Ti Pd2Si n+-Si ohmic contacts
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2010)

Mechanisms of contact resistance formation in ohmic contacts with high dislocation density (review)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n+-n-n++-n+++-InP
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2015)

Theoretical and experimental modelling the specific resistance of vertical ohmic contacts Au–Ti–Pd–n+-n-n+-Si in IMPATT diodes
за авторством: P. M. Romanets, та інші
Опубліковано: (2016)

Mechanism of current flow and temperature dependence of contact resistivity in Au-Pd-Ti-Pd-n+-GaN ohmic contacts
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Method for data processing in application to ohmic contacts
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2019)

Effect of microwave treatment on current flow mechanism ohmic contacts to GaN
за авторством: V. N. Sheremet
Опубліковано: (2013)

Influence of gettering on aluminum ohmic contact formation
за авторством: V. N. Litvinenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Investigation of contact resistivity for Au—Ti—Pd—n-Si ohmic contacts for impatt diodes
за авторством: V. V. Basanets, та інші
Опубліковано: (2015)

The features of temperature dependence of contact resistivity of Au Ti Pd2Si p+-Si ohmic contacts
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2010)

Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2015)

Complex index of refraction of indium nitride InN
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2012)

Metrological aspects of studying the specific contact resistivity of ohmic contacts by using the four-contact method
за авторством: V. N. Sheremet
Опубліковано: (2014)

Physical mechanisms providing formation of ohmic contacts metal-semiconductor (Review)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Heat-resistant barrier and ohmic contacts based on TiBx and ZrBx interstitial phases to microwave diode structures
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2008)

Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2011)

Resistance formation mechanisms for contacts and to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Investigation of resistance formation mechanisms for contacts to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2012)

Heterostructure ohmic contacts to p-CdTe polycrystalline films
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2014)

The first principle calculation of electronic and optical properties of AlN, GaN and InN compounds under hydrostatic pressure
за авторством: Berrah, S., та інші
Опубліковано: (2006)

TERAHERTZ OSCILLATIONS IN InN GUNN DIODES WITH AN ACTIVE REGION LENGTH OF 1 μm AND WITH A GRADED GaInN LAYER
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2023)

Terahertz oscillations in InN Gunn diodes with an active region length of 1 μm and with a graded GaInN layer
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2022)

Methods for creation and properties of ohmic contacts to indium phosphide (rewiev)
за авторством: Ya. Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)

Influence of parameters inherent to ohmic contacts on properties of microwave avalanche transit-time diodes
за авторством: Ya. Ya. Kudryk, та інші
Опубліковано: (2019)

Peculiarities of study of Au–Ti–Pd–n+-n-n+-Si multilayer contact structure to avalanche transit-time diodes
за авторством: P. M. Romanets, та інші
Опубліковано: (2019)

Optimization of technological parameters of ohmic contact junctions for GaAs-AlGaAs-based transistor structures
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2002)

Peculiarities of mechanisms formation of slab indates AIILanInnO3n+1 (AII = Sr, Ba) from the systems of co-crystallized nitrates
за авторством: Yu. O. Titov, та інші
Опубліковано: (2011)

Some Problems of Translations of Ch. Botev&#039;s &quot;In the Inn”
за авторством: V. A. Lavrenov
Опубліковано: (2002)

Schottky-barrier Au–TiBx–n-GaN contacts
за авторством: Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)

High frequency ohmic losses in terahertz frequency range CW clinotrons
за авторством: Ju. S. Kovshov, та інші
Опубліковано: (2017)