Зображення обкладинки

Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2019
Автори:	S. V. Lunov, A. I. Zimych, M. V. Khvyshchun, V. T. Masliuk, I. H. Mehela
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2019
Назва видання:	Ukrainian Journal of Physics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000968212
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2019)

Radiation defects parameters determination in n-Ge single crystals irradiated by high-energy electrons
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2016)

The impact of heat treatment on the magnetic sensitivity of irradiated by electrons single crystals n-Ge
за авторством: Luniov, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Determination of the activation energy of A-center in the uniaxially deformed n-Ge single crystals
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2017)

The effect of annealing on the transverse electrotransport of single crystals YBa2Cu3O7–δ irradiated with high-energy electrons
за авторством: Ja. Khadzhaj, та інші
Опубліковано: (2019)

The influence of high-temperature annealing on the temperature dependence of the pseudogap of YBa2Cu3O7–δ single crystals irradiated with high-energy electrons
за авторством: Ja. Khadzhaj, та інші
Опубліковано: (2019)

The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2011)

The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2011)

Study of influence of radiation defects on optical and luminescence properties of CaF2 crystals
за авторством: V. T. Masliuk, та інші
Опубліковано: (2016)

The method of shear modulus determination for n-Ge and n-Si single crystals
за авторством: V. I. Shvabiuk, та інші
Опубліковано: (2017)

Thermal annealing and evolution of defects in neutron-irradiated cubic SiC
за авторством: Bratus, V.Ya., та інші
Опубліковано: (2015)

Thermal annealing and evolution of defects in neutron-irradiated cubic SiC
за авторством: Ya. Bratus, та інші
Опубліковано: (2015)

Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
за авторством: O. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2010)

Structural changes in Cz-Si single crystals irradiated with high-energy electrons from data of high-resolution X-ray diffractometry
за авторством: I. M. Fodchuk, та інші
Опубліковано: (2010)

Structural changes in Cz-Si single crystals irradiated with high-energy electrons from data of high-resolution X-ray diffractometry
за авторством: Fodchuk, І.М., та інші
Опубліковано: (2010)

Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
за авторством: M. Zavada, та інші
Опубліковано: (2018)

Efficiency of defects formation in spinel under high energy electron and gamma beam irradiation
за авторством: Gokov, S.P., та інші
Опубліковано: (2009)

Influence of -irradiation (60So) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2012)

Modification of radiation defects in Si and Ge by background impurity
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2013)

Thermodynamics and crystal chemistry of point defects in PpbTe crystals at two-temperature annealing
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2011)

Calculation of the ground-state ionization energy for shallow donors in n-Ge single crystals within the Δ1-model for the conduction band
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2015)

Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)

Physical kinetics of redistribution of point defects in irradiated crystals
за авторством: O. V. Oliinyk, та інші
Опубліковано: (2012)

Variations in electrophysical properties of heavily doped single crystals of n-Ge&lt;As&gt; under the effect of thermal annealings
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2018)

Evolution of the transverse electrical resistance of YBa2Cu3O7–δ single crystals under irradiation with high-energy electrons
за авторством: Ja. Khadzhaj, та інші
Опубліковано: (2019)

Low-temperature creation of Frenkel defects via hot electron-hole recombination in highly pure NaCl single crystals
за авторством: A. Lushchik, та інші
Опубліковано: (2016)

Effect of the electron irradiation on electrical properties of n-InSe and their anisotropy
за авторством: I. V. Mintianskyi, та інші
Опубліковано: (2018)

The effect of high-energy electron irradiation on the superconducting transition and anisotropy of the electrical resistance of YVa2Su3O7–δ single crystals
за авторством: Ja. Khadzhaj, та інші
Опубліковано: (2020)

Effect of electron irradiation on excess conductivity of single Y₁Ba₂Cu₃O₇₋δ crystals
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2018)

The role of optical phonons in electrons heating by IR radiation in Ge
за авторством: Poroshin, V.N., та інші
Опубліковано: (2005)

Thermal stability of high-deformed nonmetallic crystals under static annealing
за авторством: G. S. Olejnik, та інші
Опубліковано: (2016)

Effect of electron irradiation on the scattering of carriers in YBa2Cu3O7–δ single crystalls
за авторством: N. A. Azarenkov, та інші
Опубліковано: (2018)

Effect of electron irradiation on the transverse conductivity of YBa2Cu3O7–δ single crystal
за авторством: Ja. Khadzhaj, та інші
Опубліковано: (2019)

Anomalous conductivity in ZnSe single crystals by X-ray irradiation
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2012)

Anomalous conductivity in ZnSe single crystals by X-ray irradiation
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2012)

Influence of high-energy electrons irradiation on nanoceramics properties of zirconia
за авторством: Aizatskyi, M.I., та інші
Опубліковано: (2013)

An influence of gamma-irradiation and ²³⁸U fragments on single-crystal silicon properties
за авторством: Dovbnya, A.N., та інші
Опубліковано: (2006)

Restoration of single crystal blades of gas turbines of high-temperature nickel alloys with surface defects and damages by surfacing
за авторством: K. A. Jushchenko, та інші
Опубліковано: (2019)

X-ray dynamical diffractometry of defect structure of garnet single crystals
за авторством: V. M. Pylypiv, та інші
Опубліковано: (2011)