Electrical properties of Sis heterostructures n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автори: | I. H. Orletskyi, M. I. Ilashchuk, E. V. Maistruk, M. M. Solovan, P. D. Marianchuk, S. V. Nichyi |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2019
|
| Назва видання: | Ukrainian Journal of Physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000968214 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Electrical properties of Sis heterostructures n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe
за авторством: I. G. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: I. G. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2019)
Electrical properties and energy parameters of photosensitive n-Mn2O3/n-CdZnTe heterostructures
за авторством: I. H. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. H. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2021)
Electrical properties and energy parameters of photosensitive n-Mn2O3/n-CdZnTe heterostructures
за авторством: I. G. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. G. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2021)
Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
за авторством: Захарченко, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Захарченко, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
Influence of impurities and structural defects on electrophysical and detector properties of CdTe and CdZnTe
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2019)
Photostimulated passivation of spectrometric CdZnTe detectors
за авторством: Zagoruiko, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Zagoruiko, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2008)
Колімований гамма-спектрометр на основі CdZnTe-детектора
за авторством: Батій, В.Г., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Батій, В.Г., та інші
Опубліковано: (2011)
Вплив домішок і дефектів структури на властивості детекторів на основі CdTe та CdZnTe
за авторством: Kondrik, Alexandr, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Kondrik, Alexandr, та інші
Опубліковано: (2022)
Вплив домішок і структурних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості CdTe та CdZnTe
за авторством: Kondrik, Alexander, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Kondrik, Alexander, та інші
Опубліковано: (2019)
Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
Electrical and photoelectric properties of MoN/p-CdTe and MoN/n-CdTe heterojunctions
за авторством: T. T. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: T. T. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2021)
Evolution of the time and spatial photoresponse instabilities of the sensors based on CdZnTe crystals
за авторством: But, A.V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: But, A.V., та інші
Опубліковано: (2009)
Relaxation factors of acoustic conductivity in CdTe
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2018)
Пленочные солнечные элементы ITO/SnO₂/CdS/CdTe/Cu/Au
за авторством: Хрипунов, Г.С., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Хрипунов, Г.С., та інші
Опубліковано: (2014)
Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
за авторством: Kovaliuk, Taras, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Kovaliuk, Taras, та інші
Опубліковано: (2021)
Моделирование отклика CdZnTe- и TlBr-детекторов для регистрации смешанного бета- и гамма-излучения
за авторством: Skrypnyk, A. I.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Skrypnyk, A. I.
Опубліковано: (2015)
Електронні властивості напружених шарів CdTe та ZnTe у гетероструктурах
за авторством: Балабай, Р.М., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Балабай, Р.М., та інші
Опубліковано: (2011)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
State of Cd₁₋xZnxTe and Cd₁₋xMnxTe surface depending on treatment type
за авторством: Dremlyuzhenko, S.G., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Dremlyuzhenko, S.G., та інші
Опубліковано: (2004)
Influence of pulsed 266-nm laser radiation on the optical properties of CdTe and Cd0.9Zn0.1Te in the region of the fundamental optical transition
за авторством: P. O. Hentsar, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: P. O. Hentsar, та інші
Опубліковано: (2021)
Influence of pulsed 266-nm laser radiation on the optical properties of CdTe and Cd0.9Zn0.1Te in the region of the fundamental optical transition
за авторством: P. O. Gentsar, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: P. O. Gentsar, та інші
Опубліковано: (2021)
Detectors based on Cd(Zn)Te semiconductors for x-ray and gamma radiation registration
за авторством: S. M. Levytskyi
Опубліковано: (2020)
за авторством: S. M. Levytskyi
Опубліковано: (2020)
Noise in HgCdTe LWIR arrays
за авторством: Sizov, F.F., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Sizov, F.F., та інші
Опубліковано: (2002)
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
за авторством: Parkhomenko, H. P., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Parkhomenko, H. P., та інші
Опубліковано: (2016)
Исследование кристаллов Cu2ZnSnTe4 и гетеропереходов на их основе
за авторством: Kovaliuk, T. T., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kovaliuk, T. T., та інші
Опубліковано: (2015)
Fabrication of CdS/CdTe solar cells by quasiclosed space technology and research of their properties
за авторством: T. V. Semikina
Опубліковано: (2018)
за авторством: T. V. Semikina
Опубліковано: (2018)
Fabrication of CdS/CdTe solar cells by quasiclosed space technology and research of their properties
за авторством: T. V. Semikina
Опубліковано: (2018)
за авторством: T. V. Semikina
Опубліковано: (2018)
Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
за авторством: Zagoruiko, Yu. A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Zagoruiko, Yu. A., та інші
Опубліковано: (2011)
The influence of physical and technological magnetron sputtering modes on the structure and optical properties of CdS and CdTe films
за авторством: G. S. Khrypunov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: G. S. Khrypunov, та інші
Опубліковано: (2017)
Room-temperature gas sensor based on semiconductor nanoscale heterostructures ZnS/CdS
за авторством: S. L. Prokopenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. L. Prokopenko, та інші
Опубліковано: (2017)
Medium wavelength infrared HgCdTe discrete photodetectors
за авторством: Z. F. Tsibrij, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Z. F. Tsibrij, та інші
Опубліковано: (2017)
Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
за авторством: Zagoruiko, Yu. A., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Zagoruiko, Yu. A., та інші
Опубліковано: (2010)
Features of a shock wave in CdTe by pulsed laser irradiation
за авторством: Dauletmuratov, B.K.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Dauletmuratov, B.K.
Опубліковано: (2011)
Properties of CdTe thin films prepared by hot wall epitaxy
за авторством: Bilevych, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Bilevych, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2004)
Детекторные свойства Cd0,9Zn0,1Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы
за авторством: Kondrik, A. I.
Опубліковано: (2016)
за авторством: Kondrik, A. I.
Опубліковано: (2016)
Особенности изготовления Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
за авторством: Tomashik, Z. F., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Tomashik, Z. F., та інші
Опубліковано: (2013)
Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
за авторством: Tsybrii, Z. F., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Tsybrii, Z. F., та інші
Опубліковано: (2017)
Вплив стабілізаторів на закономірності формування нанокристалів CdTe в колоїдних розчинах
за авторством: Капуш, О.А., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Капуш, О.А., та інші
Опубліковано: (2012)
Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe
за авторством: Мостовой, А.И., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Мостовой, А.И., та інші
Опубліковано: (2013)
Схожі ресурси
-
Electrical properties of Sis heterostructures n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe
за авторством: I. G. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2019) -
Electrical properties and energy parameters of photosensitive n-Mn2O3/n-CdZnTe heterostructures
за авторством: I. H. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2021) -
Electrical properties and energy parameters of photosensitive n-Mn2O3/n-CdZnTe heterostructures
за авторством: I. G. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2021) -
Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
за авторством: Захарченко, А.А., та інші
Опубліковано: (2007) -
Influence of impurities and structural defects on electrophysical and detector properties of CdTe and CdZnTe
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2019)