Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons

Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2019
Автори:	S. V. Luniov, A. I. Zimych, M. V. Khvyshchun, V. T. Maslyuk, I. G. Megela
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2019
Назва видання:	Ukrainian journal of physics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000968878
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2019)

The impact of heat treatment on the magnetic sensitivity of irradiated by electrons single crystals n-Ge
за авторством: Luniov, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Radiation defects parameters determination in n-Ge single crystals irradiated by high-energy electrons
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2016)

Особливості відпалу радіаційних дефектів в монокристалах n-Ge, опромінених електронами ви-соких енергій
за авторством: Luniov, S. V., та інші
Опубліковано: (2019)

The effect of annealing on the transverse electrotransport of single crystals YBa2Cu3O7–δ irradiated with high-energy electrons
за авторством: Ja. Khadzhaj, та інші
Опубліковано: (2019)

Mechanisms of electron scattering in uniaxially deformed n-Ge‹Sb, Au› single crystals
за авторством: Luniov, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)

The influence of high-temperature annealing on the temperature dependence of the pseudogap of YBa2Cu3O7–δ single crystals irradiated with high-energy electrons
за авторством: Ja. Khadzhaj, та інші
Опубліковано: (2019)

Determination of the activation energy of A-center in the uniaxially deformed n-Ge single crystals
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2017)

The influence of high energy irradiation on electrical and dissipative properties of silicon single crystals
за авторством: Pelikhaty, N.M., та інші
Опубліковано: (2006)

Comprehensive investigation of defects in highly perfect silicon single crystals
за авторством: Prokopenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Thermal annealing and evolution of defects in neutron-irradiated cubic SiC
за авторством: Bratus, V.Ya., та інші
Опубліковано: (2015)

Calculation of the ground-state ionization energy for shallow donors in n-Ge single crystals within the Δ1-model for the conduction band
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2015)

Thermal annealing and evolution of defects in neutron-irradiated cubic SiC
за авторством: Ya. Bratus, та інші
Опубліковано: (2015)

Thermodynamic analysis of processes creating the defects in cadmium telluride crystals under conditions of high-temperature annealing
за авторством: Prokopiv, V.V., та інші
Опубліковано: (2009)

The point radiation defects in Li₆YB₃O₉:Eu³⁺ single crystals
за авторством: Yavetskiy, R.P.
Опубліковано: (2008)

Luminescence and radiation-induced defects in Li₂B₄O₇:Eu single crystals
за авторством: Dubovik, M.F., та інші
Опубліковано: (2000)

Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
за авторством: M. Zavada, та інші
Опубліковано: (2018)

Thermodynamics and crystal chemistry of point defects in PpbTe crystals at two-temperature annealing
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2011)

The annealing of high - level doped materials on the base of the n – and p – Si₀.₇ Ge₀.₃ solid solution under reactor irradiation
за авторством: Dolgolenko, A.P.
Опубліковано: (2006)

Structural changes in Cz-Si single crystals irradiated with high-energy electrons from data of high-resolution X-ray diffractometry
за авторством: I. M. Fodchuk, та інші
Опубліковано: (2010)

The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2011)

The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2011)

Efficiency of defects formation in spinel under high energy electron and gamma beam irradiation
за авторством: Gokov, S.P., та інші
Опубліковано: (2009)

Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)

Structural changes in Cz-Si single crystals irradiated with high-energy electrons from data of high-resolution X-ray diffractometry
за авторством: Fodchuk, І.М., та інші
Опубліковано: (2010)

Variations in electrophysical properties of heavily doped single crystals of n-Ge<As> under the effect of thermal annealings
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2018)

Modification of radiation defects in Si and Ge by background impurity
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2013)

Relaxation processes in nonstoichiometric YBa₂Cu₃O₇-δ single crystals during annealing and at high pressure
за авторством: Obolenskii, M.A., та інші
Опубліковано: (2005)

Influence of -irradiation (60So) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2012)

Influence of γ-irradiation (⁶⁰Со) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2012)

Physical kinetics of redistribution of point defects in irradiated crystals
за авторством: O. V. Oliinyk, та інші
Опубліковано: (2012)

Luminescence of CWO single crystals containing various defects
за авторством: Grinyov, B.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Evolution of over-conductivity of YВа₂Сu₃О₇-δ single crystals under the exposure of irradiation by high-energy electrons
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2020)

Defects formation in spinel crystals under electron and gamma beam irradiation
за авторством: Gokov, S.P., та інші
Опубліковано: (2009)

Evolution of the transverse electrical resistance of YBa2Cu3O7–δ single crystals under irradiation with high-energy electrons
за авторством: Ja. Khadzhaj, та інші
Опубліковано: (2019)

Investigation of dislocations in Ge single crystals by scanning electron beam
за авторством: Nadtochy, V., та інші
Опубліковано: (2004)

Effect of electron irradiation conditions on the efficiency of defect formation in MgAl₂O₄ spinel
за авторством: Kazarinov, Yu.H., та інші
Опубліковано: (2022)

Recombination parameters of point defects in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)

The effect of high-energy electron irradiation on the superconducting transition and anisotropy of the electrical resistance of YVa2Su3O7–δ single crystals
за авторством: Ja. Khadzhaj, та інші
Опубліковано: (2020)