Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автори: | S. V. Gudina, A. S. Klepikova, V. N. Neverov, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2019
|
| Назва видання: | Low Temperature Physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000969418 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2019)
Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2017)
The conditions of longitudinal and Hall conductance critical behavior in quantum Hall regime for heterostructures based on gallium and indium arsenide
за авторством: A. S. Klepikova, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. S. Klepikova, та інші
Опубліковано: (2017)
Temperature dependence of band width of delocalized states for n-InGaAs/GaAs in the quantum Hall effect regime
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2013)
On the question of critical exponents universality in the quantum Hall effect regime
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2019)
Quantum Hall effect in p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures with low hole mobility
за авторством: Arapov, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Arapov, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2007)
Plateau–plateau transitions in the quantum Hall regime for a single quantum well heterostructure n-InGaAs/GaAs before and after IR illumination
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2015)
Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
за авторством: A. P. Savelev, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. P. Savelev, та інші
Опубліковано: (2017)
Anomalous behavior of the Hall effect in electron-doped superconductor Nd2–xCexCuO4+δ with nonstoichiometric disorder
за авторством: T. B. Charikova, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: T. B. Charikova, та інші
Опубліковано: (2011)
Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures
за авторством: A. P. Savelyev, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: A. P. Savelyev, та інші
Опубліковано: (2021)
Quasiclassical calculations of Landau level spectrum for 20.5-nm-wide HgTe quantum well: "extremum loop” model and effects of cubic symmetry
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2021)
Toward theory of quantum Hall effect in graphene
за авторством: Gorbar, E.V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Gorbar, E.V., та інші
Опубліковано: (2008)
Propagation of acoustic edge waves in graphene under quantum Hall effect
за авторством: A. Vikström
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. Vikström
Опубліковано: (2015)
Acoustic edge magnetoplasmons and quantum Hall effect
за авторством: V. Shikin, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. Shikin, та інші
Опубліковано: (2017)
Quantum Hall interferometers
за авторством: E. V. Devjatov
Опубліковано: (2013)
за авторством: E. V. Devjatov
Опубліковано: (2013)
Thermodynamical anomalous Hall effect: quantum regime
за авторством: V. I. Okulov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. I. Okulov, та інші
Опубліковано: (2014)
Hall-effect study of disordered regions in proton-irradiated n-Si crystals
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2013)
Hall-effect study of disordered regions in proton-irradiated n-Si crystals
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: T. A. Pagava, та інші
Опубліковано: (2013)
Integer quantum Hall effect and topological phase transitions in silicene
за авторством: Liu, Y.L., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Liu, Y.L., та інші
Опубліковано: (2017)
Level statistics for quantum Hall systems
за авторством: Kagalovsky, V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Kagalovsky, V., та інші
Опубліковано: (2005)
Method of computation of energies in the fractional quantum Hall effect regime
за авторством: Ammar, M.A., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Ammar, M.A., та інші
Опубліковано: (2016)
The current-voltage characteristics of Corbino disk in the quantum Hall effect regime
за авторством: V. Shikin
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. Shikin
Опубліковано: (2016)
The effect of infrared illumination on quantum magnetotransport in strongly coupled n-InGaAs/GaAs double quantum wells
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2013)
Phase diagram of the spin quantum Hall transition
за авторством: V. Kagalovsky, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. Kagalovsky, та інші
Опубліковано: (2018)
Experimental detection of quantum oscillations of the anomalous Hall resistance in mercury selenide crystals with cobalt impurities
за авторством: A. T. Lonchakov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. T. Lonchakov, та інші
Опубліковано: (2017)
Tunneling current noise in the fractional quantum Hall effect: when the effective charge is not what it appears to be
за авторством: K. Snizhko
Опубліковано: (2016)
за авторством: K. Snizhko
Опубліковано: (2016)
Hall effect and magnetic ordering in RB₁₂
за авторством: Baranovskiy, A.E., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Baranovskiy, A.E., та інші
Опубліковано: (2009)
Interlayer tunneling and the problem of superfluidity in bilayer quantum Hall systems
за авторством: Fil, D.V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Fil, D.V., та інші
Опубліковано: (2007)
Disorder-induced quantum properties of solid 4He
за авторством: A. B. Kuklov, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: A. B. Kuklov, та інші
Опубліковано: (2020)
Temperature dependence of quantum lifetime in n-InGaAs/GaAs structures with double stronglycoupled quantum wells
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2013)
Investigating the effects of smoothness of interfaces on stability of probing nano-scale thin films by Neutron Reflectometry
за авторством: Jahromi, S.S., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Jahromi, S.S., та інші
Опубліковано: (2012)
Quantum magnetotransport in n-InGaAs/GaAs structures under change of electron density by infrared illumination
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2015)
Quantum mechanics interpretation on Planck scale
за авторством: I. Licata
Опубліковано: (2020)
за авторством: I. Licata
Опубліковано: (2020)
Quantum mechanics interpretation on Planck scale
за авторством: I. Licata
Опубліковано: (2020)
за авторством: I. Licata
Опубліковано: (2020)
Nanoparticles with a diamond-like structure and the inverse Hall–Petch law
за авторством: D. A. Zakarjan
Опубліковано: (2014)
за авторством: D. A. Zakarjan
Опубліковано: (2014)
Nature of localized states in two-dimensional electron systems in the quantum Hall regime: Acoustic studies
за авторством: I. L. Drichko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: I. L. Drichko, та інші
Опубліковано: (2017)
Peculiarities of the exciton scattering in double semiconductor quantum wells with disordered layers
за авторством: G. V. Vertsimakha
Опубліковано: (2015)
за авторством: G. V. Vertsimakha
Опубліковано: (2015)
Plastic deformation of materials under loading along piecewise smooth trajectories with areas of unloading by elastic law
за авторством: Yu. Shvaiko
Опубліковано: (2015)
за авторством: Yu. Shvaiko
Опубліковано: (2015)
Quantum-size effect and exciton percolation in porous and disordered films on the basis of spherical "core/Shell" elements
за авторством: N. V. Bondar, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: N. V. Bondar, та інші
Опубліковано: (2015)
Specific thermoemf and Hall-effect in crystals with monopolar conductivity
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2009)
Схожі ресурси
-
HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2019) -
Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2017) -
The conditions of longitudinal and Hall conductance critical behavior in quantum Hall regime for heterostructures based on gallium and indium arsenide
за авторством: A. S. Klepikova, та інші
Опубліковано: (2017) -
Temperature dependence of band width of delocalized states for n-InGaAs/GaAs in the quantum Hall effect regime
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2013) -
On the question of critical exponents universality in the quantum Hall effect regime
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2019)