On the question of critical exponents universality in the quantum Hall effect regime

On the question of critical exponents universality in the quantum Hall effect regime

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2019
Автори:	Ju. G. Arapov, S. V. Gudina, E. V. Derjushkina, N. G. Shelushinina, M. V. Jakunin
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2019
Назва видання:	Low Temperature Physics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000969419
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

The conditions of longitudinal and Hall conductance critical behavior in quantum Hall regime for heterostructures based on gallium and indium arsenide
за авторством: A. S. Klepikova, та інші
Опубліковано: (2017)

Temperature dependence of band width of delocalized states for n-InGaAs/GaAs in the quantum Hall effect regime
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2013)

Plateau–plateau transitions in the quantum Hall regime for a single quantum well heterostructure n-InGaAs/GaAs before and after IR illumination
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2015)

Thermodynamical anomalous Hall effect: quantum regime
за авторством: V. I. Okulov, та інші
Опубліковано: (2014)

Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
за авторством: A. P. Savelev, та інші
Опубліковано: (2017)

Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2017)

Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2017)

Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2019)

Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)

HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2019)

HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Method of computation of energies in the fractional quantum Hall effect regime
за авторством: Ammar, M.A., та інші
Опубліковано: (2016)

The current-voltage characteristics of Corbino disk in the quantum Hall effect regime
за авторством: V. Shikin
Опубліковано: (2016)

Quantum Hall effect in p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures with low hole mobility
за авторством: Arapov, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2007)

The effect of infrared illumination on quantum magnetotransport in strongly coupled n-InGaAs/GaAs double quantum wells
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2013)

On Sobolev classes with critical exponent
за авторством: E. S. Afanaseva, та інші
Опубліковано: (2017)

Temperature dependence of quantum lifetime in n-InGaAs/GaAs structures with double stronglycoupled quantum wells
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2013)

On a p-Laplacian system with critical Hardy–Sobolev exponents and critical Sobolev exponents
за авторством: Nyamoradi, N.
Опубліковано: (2012)

Noether Symmetries and Critical Exponents
за авторством: Bozhkov, Y.
Опубліковано: (2005)

Toward theory of quantum Hall effect in graphene
за авторством: Gorbar, E.V., та інші
Опубліковано: (2008)

Quantum Hall interferometers
за авторством: E. V. Devjatov
Опубліковано: (2013)

Nature of localized states in two-dimensional electron systems in the quantum Hall regime: Acoustic studies
за авторством: I. L. Drichko, та інші
Опубліковано: (2017)

Toward the theory of the Sobolev classes with critical exponent
за авторством: E. S. Afanaseva, та інші
Опубліковано: (2019)

Boundary behavior of the Sobolev classes with critical exponent
за авторством: E. S. Afanaseva, та інші
Опубліковано: (2019)

Acoustic edge magnetoplasmons and quantum Hall effect
за авторством: V. Shikin, та інші
Опубліковано: (2017)

Edge states in quantum Hall effect in graphene (Review Article)
за авторством: Gusynin, V.P., та інші
Опубліковано: (2008)

Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures
за авторством: A. P. Savelyev, та інші
Опубліковано: (2021)

Integer quantum Hall effect and topological phase transitions in silicene
за авторством: Liu, Y.L., та інші
Опубліковано: (2017)

Quantum magnetotransport in n-InGaAs/GaAs structures under change of electron density by infrared illumination
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2015)

Shubnikov—de Haas oscillations, peaks and different temperature regimes of the diagonal conductivity in the integer quantum Hall conductor
за авторством: Gvozdikov, V.M.
Опубліковано: (2005)

SUSY Quantum Hall Effect on Non-Anti-Commutative Geometry
за авторством: Hasebe, K.
Опубліковано: (2008)

Level statistics for quantum Hall systems
за авторством: Kagalovsky, V., та інші
Опубліковано: (2005)

The expanding universe: change of regime
за авторством: V. E. Kuzmichev, та інші
Опубліковано: (2015)

The expanding universe: change of regime
за авторством: V. E. Kuzmichev, та інші
Опубліковано: (2015)

Propagation of acoustic edge waves in graphene under quantum Hall effect
за авторством: A. Vikström
Опубліковано: (2015)

Propagation of acoustic edge waves in graphene under quantum Hall effect
за авторством: Vikström, A.
Опубліковано: (2015)

Phase diagram of the spin quantum Hall transition
за авторством: V. Kagalovsky, та інші
Опубліковано: (2018)

Phase diagram of the spin quantum Hall transition
за авторством: Kagalovsky, V., та інші
Опубліковано: (2018)

Levitation of delocalized states at weak magnetic field: critical exponents and phase diagram
за авторством: V. Kagalovsky
Опубліковано: (2013)

Levitation of delocalized states at weak magnetic field: critical exponents and phase diagram
за авторством: Kagalovsky, V.
Опубліковано: (2013)