On the question of critical exponents universality in the quantum Hall effect regime
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автори: | Ju. G. Arapov, S. V. Gudina, E. V. Derjushkina, N. G. Shelushinina, M. V. Jakunin |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2019
|
| Назва видання: | Low Temperature Physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000969419 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
The conditions of longitudinal and Hall conductance critical behavior in quantum Hall regime for heterostructures based on gallium and indium arsenide
за авторством: A. S. Klepikova, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. S. Klepikova, та інші
Опубліковано: (2017)
Temperature dependence of band width of delocalized states for n-InGaAs/GaAs in the quantum Hall effect regime
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2013)
Plateau–plateau transitions in the quantum Hall regime for a single quantum well heterostructure n-InGaAs/GaAs before and after IR illumination
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2015)
Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
за авторством: A. P. Savelev, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. P. Savelev, та інші
Опубліковано: (2017)
Thermodynamical anomalous Hall effect: quantum regime
за авторством: V. I. Okulov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. I. Okulov, та інші
Опубліковано: (2014)
Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2017)
Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2017)
Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2019)
Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)
HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2019)
HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)
Method of computation of energies in the fractional quantum Hall effect regime
за авторством: Ammar, M.A., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Ammar, M.A., та інші
Опубліковано: (2016)
The current-voltage characteristics of Corbino disk in the quantum Hall effect regime
за авторством: V. Shikin
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. Shikin
Опубліковано: (2016)
Quantum Hall effect in p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures with low hole mobility
за авторством: Arapov, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Arapov, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2007)
The effect of infrared illumination on quantum magnetotransport in strongly coupled n-InGaAs/GaAs double quantum wells
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2013)
Temperature dependence of quantum lifetime in n-InGaAs/GaAs structures with double stronglycoupled quantum wells
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2013)
On Sobolev classes with critical exponent
за авторством: E. S. Afanaseva, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: E. S. Afanaseva, та інші
Опубліковано: (2017)
Toward theory of quantum Hall effect in graphene
за авторством: Gorbar, E.V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Gorbar, E.V., та інші
Опубліковано: (2008)
Quantum Hall interferometers
за авторством: E. V. Devjatov
Опубліковано: (2013)
за авторством: E. V. Devjatov
Опубліковано: (2013)
On a p-Laplacian system with critical Hardy–Sobolev exponents and critical Sobolev exponents
за авторством: Nyamoradi, N.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Nyamoradi, N.
Опубліковано: (2012)
On a p -Laplacian system with critical Hardy - Sobolev exponents and critical Sobolev exponents
за авторством: Nyamoradi, N., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Nyamoradi, N., та інші
Опубліковано: (2012)
Noether Symmetries and Critical Exponents
за авторством: Bozhkov, Y.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Bozhkov, Y.
Опубліковано: (2005)
Acoustic edge magnetoplasmons and quantum Hall effect
за авторством: V. Shikin, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. Shikin, та інші
Опубліковано: (2017)
Nature of localized states in two-dimensional electron systems in the quantum Hall regime: Acoustic studies
за авторством: I. L. Drichko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: I. L. Drichko, та інші
Опубліковано: (2017)
Toward the theory of the Sobolev classes with critical exponent
за авторством: E. S. Afanaseva, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: E. S. Afanaseva, та інші
Опубліковано: (2019)
Boundary behavior of the Sobolev classes with critical exponent
за авторством: E. S. Afanaseva, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: E. S. Afanaseva, та інші
Опубліковано: (2019)
Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures
за авторством: A. P. Savelyev, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: A. P. Savelyev, та інші
Опубліковано: (2021)
Integer quantum Hall effect and topological phase transitions in silicene
за авторством: Liu, Y.L., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Liu, Y.L., та інші
Опубліковано: (2017)
Quantum magnetotransport in n-InGaAs/GaAs structures under change of electron density by infrared illumination
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2015)
SUSY Quantum Hall Effect on Non-Anti-Commutative Geometry
за авторством: Hasebe, K.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Hasebe, K.
Опубліковано: (2008)
Level statistics for quantum Hall systems
за авторством: Kagalovsky, V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Kagalovsky, V., та інші
Опубліковано: (2005)
The expanding universe: change of regime
за авторством: V. E. Kuzmichev, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. E. Kuzmichev, та інші
Опубліковано: (2015)
The expanding universe: change of regime
за авторством: V. E. Kuzmichev, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. E. Kuzmichev, та інші
Опубліковано: (2015)
Propagation of acoustic edge waves in graphene under quantum Hall effect
за авторством: Vikström, A.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Vikström, A.
Опубліковано: (2015)
Propagation of acoustic edge waves in graphene under quantum Hall effect
за авторством: A. Vikström
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. Vikström
Опубліковано: (2015)
Phase diagram of the spin quantum Hall transition
за авторством: V. Kagalovsky, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. Kagalovsky, та інші
Опубліковано: (2018)
Phase diagram of the spin quantum Hall transition
за авторством: Kagalovsky, V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Kagalovsky, V., та інші
Опубліковано: (2018)
Hall effect and magnetic ordering in RB₁₂
за авторством: Baranovskiy, A.E., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Baranovskiy, A.E., та інші
Опубліковано: (2009)
Levitation of delocalized states at weak magnetic field: critical exponents and phase diagram
за авторством: Kagalovsky, V.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Kagalovsky, V.
Опубліковано: (2013)
Levitation of delocalized states at weak magnetic field: critical exponents and phase diagram
за авторством: V. Kagalovsky
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. Kagalovsky
Опубліковано: (2013)
Схожі ресурси
-
The conditions of longitudinal and Hall conductance critical behavior in quantum Hall regime for heterostructures based on gallium and indium arsenide
за авторством: A. S. Klepikova, та інші
Опубліковано: (2017) -
Temperature dependence of band width of delocalized states for n-InGaAs/GaAs in the quantum Hall effect regime
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2013) -
Plateau–plateau transitions in the quantum Hall regime for a single quantum well heterostructure n-InGaAs/GaAs before and after IR illumination
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2015) -
Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
за авторством: A. P. Savelev, та інші
Опубліковано: (2017) -
Thermodynamical anomalous Hall effect: quantum regime
за авторством: V. I. Okulov, та інші
Опубліковано: (2014)