Concentration maxima of the mobility of 2D electrons scattered by correlated impurity ions in thin doped layers
Збережено в:
Дата: | 2019 |
---|---|
Автор: | V. M. Mikheev |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2019
|
Назва видання: | Low Temperature Physics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000969471 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Репозиторії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Influence of the illumination on the mobility of 2D electrons scattered on the correlated distribution of impurity ions
за авторством: V. M. Mikheev
Опубліковано: (2017) -
Analysis of the dependence parametrization of the allocations of heavy ions on light nuclei elastic scattering diffraction maxima from the projectile energy
за авторством: O. A. Ponkratenko, та інші
Опубліковано: (2015) -
Temperature and impurity concentration effects on upconversion luminescence in LaInO₃ doped with Er³⁺
за авторством: Sarakovskis, A., та інші
Опубліковано: (2016) -
Changing of the anisotropy parameter of mobility in n-Ge single crystals with heterogeneous distribution of doping impurity
за авторством: D. A. Zakharchuk, та інші
Опубліковано: (2014) -
Distribution of concentration of impurities and "impurity–vacancy" complexes beyond the range of ions during implantation
за авторством: V. Y. Suhakov, та інші
Опубліковано: (2017)