Concentration maxima of the mobility of 2D electrons scattered by correlated impurity ions in thin doped layers
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автор: | V. M. Mikheev |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2019
|
| Назва видання: | Low Temperature Physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000969471 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Influence of the illumination on the mobility of 2D electrons scattered on the correlated distribution of impurity ions
за авторством: V. M. Mikheev
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. M. Mikheev
Опубліковано: (2017)
Analysis of the dependence parametrization of the allocations of heavy ions on light nuclei elastic scattering diffraction maxima from the projectile energy
за авторством: O. A. Ponkratenko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. A. Ponkratenko, та інші
Опубліковано: (2015)
Temperature and impurity concentration effects on upconversion luminescence in LaInO₃ doped with Er³⁺
за авторством: Sarakovskis, A., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Sarakovskis, A., та інші
Опубліковано: (2016)
Changing of the anisotropy parameter of mobility in n-Ge single crystals with heterogeneous distribution of doping impurity
за авторством: D. A. Zakharchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: D. A. Zakharchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Concentration dependences of dielectric parameters of impurity-doped K2SO4 crystals
за авторством: Yo. Stadnyk, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Yo. Stadnyk, та інші
Опубліковано: (2022)
Concentration dependences of dielectric parameters of impurity-doped K2SO4 crystals
за авторством: V. Y. Stadnyk, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: V. Y. Stadnyk, та інші
Опубліковано: (2022)
Correlated band structure of electron-doped cuprate materials
за авторством: Dahnken, C., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Dahnken, C., та інші
Опубліковано: (2006)
Impurity concentration influence on the correlation of the x-ray lines intensity in metal-fullerene crystals
за авторством: A. N. Drozdov, та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: A. N. Drozdov, та інші
Опубліковано: (2009)
Calculation of electron mobility and effect of dislocation scattering in GaN
за авторством: Kundu, J., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Kundu, J., та інші
Опубліковано: (2007)
Temperature and impurity concentration effects on upconversion luminescence in LaInO3 doped with Er3+
за авторством: A. Sarakovskis, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. Sarakovskis, та інші
Опубліковано: (2016)
A study of defects and impurities in doped detonation nanodiamonds by EPR, Raman scattering, and XRD methods
за авторством: Ju. Dolmatov, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Ju. Dolmatov, та інші
Опубліковано: (2016)
Distribution of concentration of impurities and "impurity–vacancy" complexes beyond the range of ions during implantation
за авторством: V. Y. Suhakov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. Y. Suhakov, та інші
Опубліковано: (2017)
The theory of nonequilibrium Anderson impurity model for strongly correlated electron systems
за авторством: Moskalenko, V.A., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Moskalenko, V.A., та інші
Опубліковано: (2015)
The theory of nonequilibrium Anderson impurity model for strongly correlated electron systems
за авторством: V. A. Moskalenko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. A. Moskalenko, та інші
Опубліковано: (2015)
Relaxation changes in the mobility and concentration of charge carriers in Si with deep impurity levels under the action of pulsed pressure
за авторством: O. O. Mamatkarimov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: O. O. Mamatkarimov, та інші
Опубліковано: (2012)
Kinetics of changes in charge carrier concentration with doping in lead telluride-based alloys with transition metal impurities
за авторством: E. P. Skipetrov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: E. P. Skipetrov, та інші
Опубліковано: (2015)
Impurity scattering of band carriers
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2010)
Band carriers scattering on impurities
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2010)
за авторством: I. I. Boiko
Опубліковано: (2010)
Local Maxima of the Potential Energy on Spheres
за авторством: Radchenko, D.V.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Radchenko, D.V.
Опубліковано: (2013)
Local Maxima of the Potential Energy on Spheres
за авторством: D. V. Radchenko
Опубліковано: (2013)
за авторством: D. V. Radchenko
Опубліковано: (2013)
Local Maxima of the Potential Energy on Spheres
за авторством: Radchenko, D. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Radchenko, D. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Peculiarities of diffusion thermopower with impurity electron topological transition in heavily doped bismuth wires
за авторством: A. A. Nikolaeva, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. A. Nikolaeva, та інші
Опубліковано: (2014)
Electronically induced modification of thin layers on surfaces
за авторством: Bauer, U., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Bauer, U., та інші
Опубліковано: (2007)
The Energy Spectrum of Graphene Doped with Nitrogen Impurity
за авторством: S. P. Repetskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: S. P. Repetskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
Doping of a thermoelectric material by electroactive impurities
за авторством: I. I. Pavlovych, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: I. I. Pavlovych, та інші
Опубліковано: (2010)
Sorption of surfactants on silica gel in conditions of ascending thin-layer chromatography with micellar mobile phases
за авторством: Loginova, L.P., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Loginova, L.P., та інші
Опубліковано: (2014)
Correlation between ethnopolitical mobilization and politicization of ethnicity
за авторством: K. T. Cherveniak
Опубліковано: (2017)
за авторством: K. T. Cherveniak
Опубліковано: (2017)
Quantum capacitance and charge accumulation processes in nanostructures with alternating 2D-electron and 2D-ion layers
за авторством: I. I. Hryhorchak, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: I. I. Hryhorchak, та інші
Опубліковано: (2010)
Contents of doping and background impurities in Si single crystals, obtained by czucibleless electron-beam zone melting
за авторством: Yu. A. Asnis, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Yu. A. Asnis, та інші
Опубліковано: (2011)
Photon-assisted scattering and magnetoconductivity oscillations in a strongly correlated 2D electron system formed on the surface of liquid helium
за авторством: Yu. P. Monarkha
Опубліковано: (2014)
за авторством: Yu. P. Monarkha
Опубліковано: (2014)
Impurity-impurity pair correlation function and paramagnetic-to-ferromagnetic transition in the random Ising model
за авторством: Ivaneyko, D., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Ivaneyko, D., та інші
Опубліковано: (2007)
Impurity-impurity pair correlation function and paramagnetic-to-ferromagnetic transition in the random Ising model
за авторством: Ivaneyko, D., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Ivaneyko, D., та інші
Опубліковано: (2007)
On a correlation between EPR data for SASeD doped with Cr³⁺ and soft modes
за авторством: Lipinski, I.E., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Lipinski, I.E., та інші
Опубліковано: (2007)
Composition and concentration dependences of electron mobility in semi-metal Hg₁₋xCdxTe quantum wells
за авторством: Melezhik, E.O., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Melezhik, E.O., та інші
Опубліковано: (2015)
Dependence of electron states density of intercalated layer crystal on the intercalant concentration
за авторством: Tovstyuk, N.K., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Tovstyuk, N.K., та інші
Опубліковано: (2002)
СКА Derive и Maxima в учебной физической лаборатории
за авторством: Бирюков, С.В.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Бирюков, С.В.
Опубліковано: (2009)
Temperature–carrier-concentration phase diagram of a two-dimensional doped d-wave superconductor
за авторством: Loktev, V.M., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Loktev, V.M., та інші
Опубліковано: (2006)
Properties of solid hydrogen doped by heavy atomic and molecular impurities
за авторством: Galtsov, N.N., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Galtsov, N.N., та інші
Опубліковано: (2003)
Composition and concentration dependences of electron mobility in semi-metal Hg1-xCdxTe quantum wells
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2015)
Features of angular distributions of 1 GeV electrons scattered by thin silicon monocrystal
за авторством: Fomin, S.P., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Fomin, S.P., та інші
Опубліковано: (2001)
Схожі ресурси
-
Influence of the illumination on the mobility of 2D electrons scattered on the correlated distribution of impurity ions
за авторством: V. M. Mikheev
Опубліковано: (2017) -
Analysis of the dependence parametrization of the allocations of heavy ions on light nuclei elastic scattering diffraction maxima from the projectile energy
за авторством: O. A. Ponkratenko, та інші
Опубліковано: (2015) -
Temperature and impurity concentration effects on upconversion luminescence in LaInO₃ doped with Er³⁺
за авторством: Sarakovskis, A., та інші
Опубліковано: (2016) -
Changing of the anisotropy parameter of mobility in n-Ge single crystals with heterogeneous distribution of doping impurity
за авторством: D. A. Zakharchuk, та інші
Опубліковано: (2014) -
Concentration dependences of dielectric parameters of impurity-doped K2SO4 crystals
за авторством: Yo. Stadnyk, та інші
Опубліковано: (2022)