Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects
Збережено в:
Дата: | 2019 |
---|---|
Автори: | D. Prikhodko, S. Tarelkin, V. Bormashov, A. Golovanov, M. Kuznetsov, D. Teteruk, N. Kornilov, A. Volkov, A. Buga |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2019
|
Назва видання: | Superhard Materials |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000969951 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects
за авторством: Prikhodko, D., та інші
Опубліковано: (2019) -
Heat capacity of bulk boron doped single crystal HPHT diamonds in the temperature range from 2 to 400 K
за авторством: Tarelkin, S., та інші
Опубліковано: (2016) -
Heat capacity of bulk boron doped single crystal HPHT diamonds in the temperature range from 2 to 400 K
за авторством: S. Tarelkin, та інші
Опубліковано: (2016) -
HFCVD synthesis of boron-doped microcrystalline diamonds
за авторством: Tao Zhang, та інші
Опубліковано: (2019) -
Electron and hole effective masses in heavily boron doped silicon nanostructures determined using cyclotron resonance experiments
за авторством: D. V. Savchenko, та інші
Опубліковано: (2018)