Density of defect states and spectra of defect absorption in a-Si:H
Збережено в:
Дата: | 2019 |
---|---|
Автори: | R. G. Ikramov, M. A. Nuriddinova, R. M. Jalalov |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2019
|
Назва видання: | Ukrainian Journal of Physics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000990635 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Density of defect states and spectra of defect absorption in a-Si:H
за авторством: R. G. Ikramov, та інші
Опубліковано: (2019) -
Щільність дефектних станів і спектри дефектного поглинання a-Si:H
за авторством: Ikramov, R. G., та інші
Опубліковано: (2019) -
Структура твердых фаз SiH₄
за авторством: Прохватилов, А.И., та інші
Опубліковано: (2008) -
Efficiency a-Si:H solar cell. Detailed theory
за авторством: Kryuchenko, Yu.V., та інші
Опубліковано: (2012) -
Параметры решетки и тепловое расширение силана SiH₄
за авторством: Гальцов, Н.Н., та інші
Опубліковано: (2008)