Haidar, H. P. (2019). On the methodology of tensoresistance determination for n-Ge and n-Si in the crystallographic directions 〈110〉.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Haidar, H. P. On the Methodology of Tensoresistance Determination for N-Ge and N-Si in the Crystallographic Directions 〈110〉. 2019.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Haidar, H. P. On the Methodology of Tensoresistance Determination for N-Ge and N-Si in the Crystallographic Directions 〈110〉. 2019.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.