Electrical and photoelectrical properties of the surface-barrier structures MoN/n-Si
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автори: | M. M. Solovan, P. D. Marianchuk |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2019
|
| Назва видання: | Radiophysics and Electronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000998405 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Electrical and photoelectric properties of MoN/p-CdTe and MoN/n-CdTe heterojunctions
за авторством: T. T. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2021) -
Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
за авторством: Kovaliuk, Taras, та інші
Опубліковано: (2021) -
Composition, structure and tribotechnical properties of TiN, MoN single-layer and TiN/MoN multilayer coatings
за авторством: O. V. Bondar, та інші
Опубліковано: (2015) -
Состав, структура и триботехнические свойства вакуумно-дуговых однослойных TiN, MoN и многослойных TiN/MoN покрытий
за авторством: Бондар, О.В., та інші
Опубліковано: (2015) -
Features of charge transport in Mo/n-Si structures with a Schottky barrier
за авторством: Ya. Olikh
Опубліковано: (2013)