Зображення обкладинки

Electrical and photoelectrical properties of the surface-barrier structures MoN/n-Si

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2019
Автори:	M. M. Solovan, P. D. Marianchuk
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2019
Назва видання:	Radiophysics and Electronics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000998405
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Electrical and photoelectric properties of MoN/p-CdTe and MoN/n-CdTe heterojunctions
за авторством: T. T. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2021)

Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
за авторством: Kovaliuk, Taras, та інші
Опубліковано: (2021)

Composition, structure and tribotechnical properties of TiN, MoN single-layer and TiN/MoN multilayer coatings
за авторством: O. V. Bondar, та інші
Опубліковано: (2015)

Features of charge transport in Mo/n-Si structures with a Schottky barrier
за авторством: Ya. Olikh
Опубліковано: (2013)

Features of charge transport in Mo/n-Si structures with a Schottky barrier
за авторством: Ya. Olikh
Опубліковано: (2013)

Влияние толщины периода многослойного покрытия MoN/CrN на физико-механические характеристики
за авторством: Столбовой, В.А.
Опубліковано: (2016)

Effect of thermal annealing on electrical and photoelectrical properties of n-InSb
за авторством: S. V. Stariy, та інші
Опубліковано: (2017)

Effect of thermal annealing on electrical and photoelectrical properties of n-InSb
за авторством: Stariy, S.V., та інші
Опубліковано: (2017)

Electrical and photoelectrical properties of a-SICN/c-SI heterojunctions
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2013)

Peculiarities of manufacture, electrical and photoelectrical properties of diffusion Gep-i-n- photodiodes
за авторством: V. P. Maslov, та інші
Опубліковано: (2018)

Electrical and photoelectrical properties of n-InSe/p-CuInSe₂ optical contact
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2004)

Electronic structure, optical, and photoelectrical properties of crystalline Si₂Te₃
за авторством: Bletskan, D.I., та інші
Опубліковано: (2019)

Electrophysical and photoelectric characteristics of a three-barrier photodiode GaAs structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2018)

Photoelectrical properties of p+-inp/n-ingaasp/n-inp double heterojunctions
за авторством: S. I. Krukovskyi, та інші
Опубліковано: (2012)

Влияние высоковольтного постоянного потенциала смещения на структуру и свойства многослойного композиционного материала MoN/CrN с разной толщиной слоев
за авторством: Гранкин, С.С., та інші
Опубліковано: (2016)

Electronic structure, optical and photoelectrical properties of crystalline Si2Te3
за авторством: D. I. Bletskan, та інші
Опубліковано: (2019)

Electrical and photoelectric properties of heterostructures NiO/p-CdTe and NiO/n-CdTe
за авторством: G. P. Parkhomenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Electrical properties of Sis heterostructures n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe
за авторством: I. H. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2019)

Memory phenomenon in two-barrier n++pnn+-structures
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2014)

Electrical properties of photosensitive heterostructures n-FeS₂/p-InSe
за авторством: Tkachuk, I.G., та інші
Опубліковано: (2018)

Влияние толщины слоев многослойного покрытия TiN/MoN и глубины азотирования на структурные и механические характеристики стали 12Х18Н10Т
за авторством: Столбовой, В.А.
Опубліковано: (2017)

Ellipsometric investigation of β-Si₃N₄ ceramics with Mo and Al additives
за авторством: Prokopets', V.M., та інші
Опубліковано: (2005)

Effect of surface conductivity on electrical properties of mesa-structure InAs p—n-junctions
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2010)

Structural properties, photoelectric and photoluminescent characteristics of nanostructured silicon
за авторством: A. I. Luchenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Structural properties, photoelectric and photoluminescent characteristics of nanostructured silicon
за авторством: Luchenko, A.I., та інші
Опубліковано: (2012)

Influence of the high-temperature annealing on the structure and mechanical properties of vacuum–arc coatings from Mo/(Ti + 6 wt % Si)N
за авторством: V. M. Beresnev, та інші
Опубліковано: (2017)

Charge transport in superconducting heterostructures MoRe–Si(W)–MoRe with hybrid semiconductor barrier with metal nanoclusters
за авторством: V. E. Shaternik, та інші
Опубліковано: (2017)

Influence of the ultrasonic irradiation on properties of the injection sensor based on pSi-nCdS-n+CdS — structure and surface states density pSi-nCdS — heterojunction
за авторством: I. B. Sapaev, та інші
Опубліковано: (2014)

Modification of properties of the glass-Si₃N₄-Si-SiO₂ structure at laser treatment
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2009)

Electrical properties and energy parameters of photosensitive n-Mn2O3/n-CdZnTe heterostructures
за авторством: I. H. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2021)

Photoelectrical properties of nanoporous silicon
за авторством: A. I. Luchenko, та інші
Опубліковано: (2012)

The effect of the substrate potential during deposition on the structure and properties of the binanolayer multiperiod composites (TiAlSi)N/MeN (Me – Zr, Nb, Cr, Mo)
за авторством: Sobol’, O.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Thin-film solar converters based on the p-Cu₁.₈S/n-CdTe surface-barrier structure
за авторством: Bobrenko, Yu.N., та інші
Опубліковано: (2015)

Electrical and photoelectrical properties of iodine modified porous silicon on silicon substrates
за авторством: I. B. Olenych
Опубліковано: (2012)

Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)

Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)

Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n+-n-n++-n+++-InP
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2015)

Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n⁺ -n-n⁺⁺ -n⁺⁺⁺ -InP
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2015)

Effect of pressure on the properties of Al-SiO₂-n-Si<Ni> structures
за авторством: Vlasov, S.I., та інші
Опубліковано: (2012)

Physical properties of silicon sensor structures with photoelectric transformation on the basis of &quot;deep&quot; p–n-junction
за авторством: A. V. Kozinetz, та інші
Опубліковано: (2017)