Latreche, A. (2019). Combination of thermionic emission and tunneling mechanisms to analyze the leakage current in 4H-SiC Schottky barrier diodes.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Latreche, A. Combination of Thermionic Emission and Tunneling Mechanisms to Analyze the Leakage Current in 4H-SiC Schottky Barrier Diodes. 2019.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Latreche, A. Combination of Thermionic Emission and Tunneling Mechanisms to Analyze the Leakage Current in 4H-SiC Schottky Barrier Diodes. 2019.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.