Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
Збережено в:
Дата: | 2019 |
---|---|
Автори: | V. N. Rodionov, Ya. Bratus, S. O. Voronov |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2019
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001000441 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Reinforcement of material based on the cubic boron nitride by the help of silicon carbide whiskers
за авторством: Yu. Yu. Rumiantseva, та інші
Опубліковано: (2018) -
Boron, aluminum, nitrogen, oxygen impurities in silicon carbide
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2007) -
The effect of doping on the lattice parameter and properties of cubic boron nitride
за авторством: V. A. Mukhanov, та інші
Опубліковано: (2020) -
Absorption edge of nanocrystalline cubic silicon carbide films
за авторством: Lopin, A.V., та інші
Опубліковано: (2009) -
Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)