Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers

Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2019
Автори:	V. Shmid, A. Podolian, A. Nadtochiy, O. Korotchenkov, B. Romanyuk, V. Melnik, V. Popov, O. Kosulya
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2019
Назва видання:	Ukrainian journal of physics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001003922
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)

Фотоелектричні властивості плівок SiGe, покритих шарами аморфного та полікристалічного кремнію
за авторством: Shmid, V., та інші
Опубліковано: (2019)

Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)

SiGe HBT low noise amplifiers for ultra-wideband systems
за авторством: V. P. Popov, та інші
Опубліковано: (2013)

Особенности осцилляций Шубникова–де Гааза проводимости высокоподвижного двумерного дырочного газа в квантовой яме SiGe/Ge/SiGe
за авторством: Комник, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2006)

Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
за авторством: Комник, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2000)

Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique
за авторством: Gomeniuk, Y.V., та інші
Опубліковано: (1999)

Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2011)

Optical and acoustical phonon modes in superlattices with SiGe QDs
за авторством: Yukhymchuk, V.O., та інші
Опубліковано: (2004)

Overheating effect and hole-phonon interaction in SiGe heterostructures
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2008)

Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si
за авторством: Хижный, В.И.
Опубліковано: (2008)

Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
за авторством: Dugaev, V.K., та інші
Опубліковано: (2000)

Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2006)

Seebeck's effect in p-SiGe whisker samples
за авторством: A. P. Dolgolenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)

Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)

Influence of pulse thermal annealing on photoelectrical properties of locally grown polycrystalline silicon films
за авторством: Mamikonova, V.M., та інші
Опубліковано: (1999)

Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
за авторством: Yu. M. Gudenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
за авторством: Gudenko1, Yu.M., та інші
Опубліковано: (2011)

Малошумящие усилители на основе SiGe-НВТ для сверхширокополосных систем
за авторством: Попов, В.П., та інші
Опубліковано: (2013)

Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Многофункциональный датчик давления и температуры на основе твердых растворов SiGe
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2005)

Magnetotransport studies of SiGe-based p-type heterostructures: problems of the effective mass determination
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2012)

Magnetotransport studies of SiGe-based p-type heterostructures: problems of the effective mass determination
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2012)

Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2000)

Двухкаскадные модули на основе Bi₂Te₃ и SiGe для термоэлектрических генераторов
за авторством: Михайловский, В.Я., та інші
Опубліковано: (2013)

Microhardness of oriented amorphous polycrystalline polymers
за авторством: V. A. Beloshenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Two-stage cascaded modules based on Bi2Te3 and SiGe for thermoelectric generators
за авторством: Ja. Mikhajlovskij, та інші
Опубліковано: (2013)

Photoelectrical properties of nanoporous silicon
за авторством: A. I. Luchenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Photoelectrical properties of nanoporous silicon
за авторством: Luchenko, A.I., та інші
Опубліковано: (2012)

Photoelectric properties of metal-porous silicon-silicon planar heterostructures
за авторством: Brodovoi, A.V., та інші
Опубліковано: (2002)

Пружнi деформацiї в SiGe-гетероструктурах з квантовими точками неоднорiдного складу
за авторством: Kuryliuk, V. V.
Опубліковано: (2018)

Studying of properties of silicon junctions with the Schottky barrier fabricated on the base of amorphous and polycrystalline various metal alloys
за авторством: I. G. Pashaev
Опубліковано: (2012)

Melting of polycrystalline lead and bismuth films on amorphous carbon substrates
за авторством: V. N. Sukhov, та інші
Опубліковано: (2012)

Electrical and photoelectrical properties of iodine modified porous silicon on silicon substrates
за авторством: I. B. Olenych
Опубліковано: (2012)

Electrical and photoelectrical properties of iodine modified porous silicon on silicon substrates
за авторством: Olenych, І.B.
Опубліковано: (2012)

Structural properties, photoelectric and photoluminescent characteristics of nanostructured silicon
за авторством: A. I. Luchenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Structural properties, photoelectric and photoluminescent characteristics of nanostructured silicon
за авторством: Luchenko, A.I., та інші
Опубліковано: (2012)

Charge transition phenomena in the heterostructure crystalline Si-Bi-amorphous film Ge₃₃As₁₂Se₅₅
за авторством: Kondrat, O., та інші
Опубліковано: (2004)

Photoelectrical characteristics of two-dimensional macroporous silicon structures
за авторством: Karachevtseva, L.A., та інші
Опубліковано: (2004)