Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автори: | V. Shmid, A. Podolian, A. Nadtochiy, O. Korotchenkov, B. Romanyuk, V. Melnik, V. Popov, O. Kosulya |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2019
|
| Назва видання: | Ukrainian journal of physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001003922 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
Фотоелектричні властивості плівок SiGe, покритих шарами аморфного та полікристалічного кремнію
за авторством: Shmid, V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Shmid, V., та інші
Опубліковано: (2019)
Influence of pulse thermal annealing on photoelectrical properties of locally grown polycrystalline silicon films
за авторством: Mamikonova, V.M., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Mamikonova, V.M., та інші
Опубліковано: (1999)
Melting of polycrystalline lead and bismuth films on amorphous carbon substrates
за авторством: V. N. Sukhov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. N. Sukhov, та інші
Опубліковано: (2012)
Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)
SiGe HBT low noise amplifiers for ultra-wideband systems
за авторством: V. P. Popov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. P. Popov, та інші
Опубліковано: (2013)
Grain Boundary Junctions in Polycrystalline Silicon Films
за авторством: O. T. Bohorosh, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: O. T. Bohorosh, та інші
Опубліковано: (2013)
Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)
Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)
Малошумящие усилители на основе SiGe-HBT для сверхширокополосных систем
за авторством: Popov, V. P., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Popov, V. P., та інші
Опубліковано: (2013)
Особенности осцилляций Шубникова–де Гааза проводимости высокоподвижного двумерного дырочного газа в квантовой яме SiGe/Ge/SiGe
за авторством: Комник, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Комник, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2006)
Microhardness of oriented amorphous polycrystalline polymers
за авторством: V. A. Beloshenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. A. Beloshenko, та інші
Опубліковано: (2013)
The negatronic elements on the basis of local polycrystalline silicon films
за авторством: F. D. Kasimov, та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: F. D. Kasimov, та інші
Опубліковано: (2002)
Photoelectrical properties of nanoporous silicon
за авторством: A. I. Luchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. I. Luchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Photoelectrical properties of nanoporous silicon
за авторством: Luchenko, A.I., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Luchenko, A.I., та інші
Опубліковано: (2012)
Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous silicon–carbon and nanocrystalline-silicon thin films
за авторством: B. A. Najafov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: B. A. Najafov, та інші
Опубліковано: (2013)
Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous silicon–carbon and nanocrystalline-silicon thin films
за авторством: B. A. Nadzhafov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: B. A. Nadzhafov, та інші
Опубліковано: (2013)
Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2011)
Optical and acoustical phonon modes in superlattices with SiGe QDs
за авторством: Yukhymchuk, V.O., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Yukhymchuk, V.O., та інші
Опубліковано: (2004)
Overheating effect and hole-phonon interaction in SiGe heterostructures
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2008)
Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2006)
Suppression of the superconductivity in ultrathin amorphous Mo₇₈Ge₂₂ films observed by STM
за авторством: Lotnyk, D., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Lotnyk, D., та інші
Опубліковано: (2017)
Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)
Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)
Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
за авторством: Комник, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Комник, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2000)
Photoelectric properties of metal-porous silicon-silicon planar heterostructures
за авторством: Brodovoi, A.V., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Brodovoi, A.V., та інші
Опубліковано: (2002)
Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique
за авторством: Gomeniuk, Y.V., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Gomeniuk, Y.V., та інші
Опубліковано: (1999)
Quantitative parameters of stochastically inhomogeneous structure of amorphous films of Ge–Se system
за авторством: Yu. Bobyk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Yu. Bobyk, та інші
Опубліковано: (2013)
Studying of properties of silicon junctions with the Schottky barrier fabricated on the base of amorphous and polycrystalline various metal alloys
за авторством: I. G. Pashaev
Опубліковано: (2012)
за авторством: I. G. Pashaev
Опубліковано: (2012)
Photo- and thermally-induced changes in the optical properties of Ge-S-Se amorphous films
за авторством: V. M. Rubish, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. M. Rubish, та інші
Опубліковано: (2013)
Photo- and thermally-induced changes in the optical properties of Ge-S-Se amorphous films
за авторством: Rubish, V.M., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Rubish, V.M., та інші
Опубліковано: (2013)
Seebeck's effect in p-SiGe whisker samples
за авторством: A. P. Dolgolenko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: A. P. Dolgolenko, та інші
Опубліковано: (2011)
Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si
за авторством: Хижный, В.И.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Хижный, В.И.
Опубліковано: (2008)
Laser-induced changes in optical properties of amorphous films of the system Ge-Se
за авторством: Рубіш, В. М., та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Рубіш, В. М., та інші
Опубліковано: (2024)
Suppression of the superconductivity in ultrathin amorphous Mo78Ge22 films observed by STM
за авторством: D. Lotnyk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: D. Lotnyk, та інші
Опубліковано: (2017)
Electrical and photoelectrical properties of iodine modified porous silicon on silicon substrates
за авторством: I. B. Olenych
Опубліковано: (2012)
за авторством: I. B. Olenych
Опубліковано: (2012)
Electrical and photoelectrical properties of iodine modified porous silicon on silicon substrates
за авторством: Olenych, І.B.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Olenych, І.B.
Опубліковано: (2012)
Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
за авторством: Dugaev, V.K., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Dugaev, V.K., та інші
Опубліковано: (2000)
Structural properties, photoelectric and photoluminescent characteristics of nanostructured silicon
за авторством: A. I. Luchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. I. Luchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Structural properties, photoelectric and photoluminescent characteristics of nanostructured silicon
за авторством: Luchenko, A.I., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Luchenko, A.I., та інші
Опубліковано: (2012)
Схожі ресурси
-
Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019) -
Фотоелектричні властивості плівок SiGe, покритих шарами аморфного та полікристалічного кремнію
за авторством: Shmid, V., та інші
Опубліковано: (2019) -
Influence of pulse thermal annealing on photoelectrical properties of locally grown polycrystalline silicon films
за авторством: Mamikonova, V.M., та інші
Опубліковано: (1999) -
Melting of polycrystalline lead and bismuth films on amorphous carbon substrates
за авторством: V. N. Sukhov, та інші
Опубліковано: (2012) -
Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)