HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автори: | S. V. Gudina, Yu. G. Arapov, V. N. Neverov, S. M. Podgornykh, M. R. Popov, E. V. Deriushkina, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2019
|
| Назва видання: | Low Temperature Physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001012121 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2017)
Spin splitting of surface states in HgTe quantum wells
за авторством: Dobretsova, A.A., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Dobretsova, A.A., та інші
Опубліковано: (2019)
Quasiclassical calculations of Landau level spectrum for 20.5-nm-wide HgTe quantum well: "extremum loop” model and effects of cubic symmetry
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2021)
Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2019)
Temperature dependence of band width of delocalized states for n-InGaAs/GaAs in the quantum Hall effect regime
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2013)
Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
за авторством: A. P. Savelev, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. P. Savelev, та інші
Опубліковано: (2017)
Two-dimensional semimetal in HgTe-based quantum wells
за авторством: Z. D. Kvon, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Z. D. Kvon, та інші
Опубліковано: (2011)
On the question of critical exponents universality in the quantum Hall effect regime
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2019)
Dynamical screening function and plasmons in the wide HgTe quantum wells at high temperatures
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2018)
The conditions of longitudinal and Hall conductance critical behavior in quantum Hall regime for heterostructures based on gallium and indium arsenide
за авторством: A. S. Klepikova, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. S. Klepikova, та інші
Опубліковано: (2017)
Quantum Hall effect in p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures with low hole mobility
за авторством: Arapov, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Arapov, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2007)
Plateau–plateau transitions in the quantum Hall regime for a single quantum well heterostructure n-InGaAs/GaAs before and after IR illumination
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2015)
Quantum capacitance of three-dimensional topological insulator based on a HgTe
за авторством: D. A. Kozlov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: D. A. Kozlov, та інші
Опубліковано: (2017)
Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures
за авторством: A. P. Savelyev, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: A. P. Savelyev, та інші
Опубліковано: (2021)
Temperature dependence of quantum lifetime in n-InGaAs/GaAs structures with double stronglycoupled quantum wells
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2013)
The effect of infrared illumination on quantum magnetotransport in strongly coupled n-InGaAs/GaAs double quantum wells
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2013)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
Thermo emf in a two-dimensional electron-hole system in HgTe quantum wells in the presence of magnetic field. The role of the diffusive and the phonon-drag contributions
за авторством: E. B. Olshanetsky, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: E. B. Olshanetsky, та інші
Опубліковано: (2021)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
HgCdTe quantum wells grown by molecular beam epitaxy
за авторством: Dvoretsky, S.A, та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Dvoretsky, S.A, та інші
Опубліковано: (2007)
Quantum Hall interferometers
за авторством: E. V. Devjatov
Опубліковано: (2013)
за авторством: E. V. Devjatov
Опубліковано: (2013)
Quantum magnetotransport in n-InGaAs/GaAs structures under change of electron density by infrared illumination
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2015)
Physical properties and band structure of crystals (3HgTe)1–x(Al2Te3)x, doped with manganese
за авторством: P. D. Marjanchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: P. D. Marjanchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Level statistics for quantum Hall systems
за авторством: Kagalovsky, V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Kagalovsky, V., та інші
Опубліковано: (2005)
The three-dimensional topological insulator based on a strained HgTe film
за авторством: D. A. Kozlov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: D. A. Kozlov, та інші
Опубліковано: (2015)
Toward theory of quantum Hall effect in graphene
за авторством: Gorbar, E.V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Gorbar, E.V., та інші
Опубліковано: (2008)
Acoustic edge magnetoplasmons and quantum Hall effect
за авторством: V. Shikin, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. Shikin, та інші
Опубліковано: (2017)
Phase diagram of the spin quantum Hall transition
за авторством: V. Kagalovsky, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. Kagalovsky, та інші
Опубліковано: (2018)
Thermodynamical anomalous Hall effect: quantum regime
за авторством: V. I. Okulov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. I. Okulov, та інші
Опубліковано: (2014)
Integer quantum Hall effect and topological phase transitions in silicene
за авторством: Liu, Y.L., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Liu, Y.L., та інші
Опубліковано: (2017)
Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe
за авторством: Козлов, Д.А., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Козлов, Д.А., та інші
Опубліковано: (2015)
Квантовая емкость трехмерного топологического изолятора на основе HgTe
за авторством: Козлов, Д.А., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Козлов, Д.А., та інші
Опубліковано: (2017)
Experimental detection of quantum oscillations of the anomalous Hall resistance in mercury selenide crystals with cobalt impurities
за авторством: A. T. Lonchakov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. T. Lonchakov, та інші
Опубліковано: (2017)
Двумерные электронные системы в квантовых ямах на основе HgTe
за авторством: Квон, З.Д., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Квон, З.Д., та інші
Опубліковано: (2009)
Method of computation of energies in the fractional quantum Hall effect regime
за авторством: Ammar, M.A., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Ammar, M.A., та інші
Опубліковано: (2016)
Interlayer tunneling and the problem of superfluidity in bilayer quantum Hall systems
за авторством: Fil, D.V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Fil, D.V., та інші
Опубліковано: (2007)
The current-voltage characteristics of Corbino disk in the quantum Hall effect regime
за авторством: V. Shikin
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. Shikin
Опубліковано: (2016)
Propagation of acoustic edge waves in graphene under quantum Hall effect
за авторством: A. Vikström
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. Vikström
Опубліковано: (2015)
Схожі ресурси
-
Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2017) -
Spin splitting of surface states in HgTe quantum wells
за авторством: Dobretsova, A.A., та інші
Опубліковано: (2019) -
Quasiclassical calculations of Landau level spectrum for 20.5-nm-wide HgTe quantum well: "extremum loop” model and effects of cubic symmetry
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2021) -
Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2019) -
Temperature dependence of band width of delocalized states for n-InGaAs/GaAs in the quantum Hall effect regime
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2013)