HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential

HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2019
Автори:	S. V. Gudina, Yu. G. Arapov, V. N. Neverov, S. M. Podgornykh, M. R. Popov, E. V. Deriushkina, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2019
Назва видання:	Low Temperature Physics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001012121
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2017)

Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2017)

Spin splitting of surface states in HgTe quantum wells
за авторством: Dobretsova, A.A., та інші
Опубліковано: (2019)

Quasiclassical calculations of Landau level spectrum for 20.5-nm-wide HgTe quantum well: "extremum loop” model and effects of cubic symmetry
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2021)

Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2019)

Temperature dependence of band width of delocalized states for n-InGaAs/GaAs in the quantum Hall effect regime
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2013)

Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
за авторством: A. P. Savelev, та інші
Опубліковано: (2017)

On the question of critical exponents universality in the quantum Hall effect regime
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2019)

The conditions of longitudinal and Hall conductance critical behavior in quantum Hall regime for heterostructures based on gallium and indium arsenide
за авторством: A. S. Klepikova, та інші
Опубліковано: (2017)

Quantum Hall effect in p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures with low hole mobility
за авторством: Arapov, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2007)

Two-dimensional semimetal in HgTe-based quantum wells
за авторством: Z. D. Kvon, та інші
Опубліковано: (2011)

Plateau–plateau transitions in the quantum Hall regime for a single quantum well heterostructure n-InGaAs/GaAs before and after IR illumination
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2015)

Dynamical screening function and plasmons in the wide HgTe quantum wells at high temperatures
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2018)

Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures
за авторством: A. P. Savelyev, та інші
Опубліковано: (2021)

Temperature dependence of quantum lifetime in n-InGaAs/GaAs structures with double stronglycoupled quantum wells
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2013)

The effect of infrared illumination on quantum magnetotransport in strongly coupled n-InGaAs/GaAs double quantum wells
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2013)

Quantum capacitance of three-dimensional topological insulator based on a HgTe
за авторством: D. A. Kozlov, та інші
Опубліковано: (2017)

Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)

Thermo emf in a two-dimensional electron-hole system in HgTe quantum wells in the presence of magnetic field. The role of the diffusive and the phonon-drag contributions
за авторством: E. B. Olshanetsky, та інші
Опубліковано: (2021)

Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)

Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)

HgCdTe quantum wells grown by molecular beam epitaxy
за авторством: Dvoretsky, S.A, та інші
Опубліковано: (2007)

Quantum magnetotransport in n-InGaAs/GaAs structures under change of electron density by infrared illumination
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2015)

Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)

Quantum Hall interferometers
за авторством: E. V. Devjatov
Опубліковано: (2013)

Physical properties and band structure of crystals (3HgTe)1–x(Al2Te3)x, doped with manganese
за авторством: P. D. Marjanchuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Level statistics for quantum Hall systems
за авторством: Kagalovsky, V., та інші
Опубліковано: (2005)

Toward theory of quantum Hall effect in graphene
за авторством: Gorbar, E.V., та інші
Опубліковано: (2008)

Acoustic edge magnetoplasmons and quantum Hall effect
за авторством: V. Shikin, та інші
Опубліковано: (2017)

The three-dimensional topological insulator based on a strained HgTe film
за авторством: D. A. Kozlov, та інші
Опубліковано: (2015)

Phase diagram of the spin quantum Hall transition
за авторством: Kagalovsky, V., та інші
Опубліковано: (2018)

Phase diagram of the spin quantum Hall transition
за авторством: V. Kagalovsky, та інші
Опубліковано: (2018)

Thermodynamical anomalous Hall effect: quantum regime
за авторством: V. I. Okulov, та інші
Опубліковано: (2014)

Integer quantum Hall effect and topological phase transitions in silicene
за авторством: Liu, Y.L., та інші
Опубліковано: (2017)

Distribution of components in epitaxial graded band gap heterostructures Cd(Mn, Zn)Te – Cd(Mn, Zn)HgTe and their photoelectrical properties
за авторством: Vlasenko, O.I., та інші
Опубліковано: (1998)

Edge states in quantum Hall effect in graphene (Review Article)
за авторством: Gusynin, V.P., та інші
Опубліковано: (2008)

Experimental detection of quantum oscillations of the anomalous Hall resistance in mercury selenide crystals with cobalt impurities
за авторством: A. T. Lonchakov, та інші
Опубліковано: (2017)

Физика-химическое взаимодействие в системе HgTe-SnTe
за авторством: Венгель, П.Ф., та інші
Опубліковано: (1983)