HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential

HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2019
Hauptverfasser:	S. V. Gudina, Yu. G. Arapov, V. N. Neverov, S. M. Podgornykh, M. R. Popov, E. V. Deriushkina, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2019
Schriftenreihe:	Low Temperature Physics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001012121
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