High-pressure-induced relaxation of electrical resistance of low-doped NoBa2Cu3O7–x single crystals
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автори: | Ja. Khadzhaj, R. V. Vovk |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2019
|
| Назва видання: | Low Temperature Physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001012127 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Induced by high pressure the relaxation of the electrical resistance of YBa2Cu3O7–δ single crystals
за авторством: Ja. Khadzhaj, та інші
Опубліковано: (2013) -
The diffusing of the superconducting transition in the Y–Ba–Cu–O single crystal
за авторством: Ja. Khadzhaj, та інші
Опубліковано: (2017) -
Evolution of electrical resistance of YBa2Cu3O7–δ single crystals (δ ≈ 0.45) with applying high hydrostatic pressure
за авторством: R. V. Vovk, та інші
Опубліковано: (2012) -
Peculiarities of fluctuation conductivity and pseudogap behavior in slightly doped HoBa2Cu3O7–δ single-crystals under pressure
за авторством: A. L. Solovev, та інші
Опубліковано: (2011) -
Transversal electric resistance of the YBa2Cu3O7–δ single crystals at the different values of oxygen deficit
за авторством: Ja. Khadzhaj, та інші
Опубліковано: (2015)