Features of the technology of formation of metal contacts to discrete IR and THz radiation detectors based on CdHgTe epitaxial layers
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автор: | Z. F. Tsybrii |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2019
|
| Назва видання: | Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001032435 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Passivation of CdHgTe epitaxial structures: ab initio calculations
за авторством: R. M. Balabai
Опубліковано: (2012)
за авторством: R. M. Balabai
Опубліковано: (2012)
Studies of CdHgTe as a material for x- and γ-ray detectors
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2003)
Role of mechanical stresses at ion implantation of CdHgTe solid solutions
за авторством: A. B. Smirnov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. B. Smirnov, та інші
Опубліковано: (2013)
Role of mechanical stresses at ion implantation of CdHgTe solid solutions
за авторством: O. B. Smirnov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: O. B. Smirnov, та інші
Опубліковано: (2013)
Study of the morphology of p-CdHgTe layers structured by grazing silver-ion beam irradiation
за авторством: A. B. Smirnov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. B. Smirnov, та інші
Опубліковано: (2015)
Study of the morphology of p-CdHgTe layers structured by grazing silver-ion beam irradiation
за авторством: O. B. Smirnov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. B. Smirnov, та інші
Опубліковано: (2015)
HgCdTe quantum wells grown by molecular beam epitaxy
за авторством: Dvoretsky, S.A, та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Dvoretsky, S.A, та інші
Опубліковано: (2007)
Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов
за авторством: Власенко, А.И., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Власенко, А.И., та інші
Опубліковано: (2001)
In–HgCdTe–In structures with symmetric nonlinear I–V characteristics for sub-THz direct detection
за авторством: N. I. Kukhtaruk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: N. I. Kukhtaruk, та інші
Опубліковано: (2017)
Nanostructurization of a Surface of a Heteroepitaxial CdHgTe Film by a Method of the Ion Implantation of Ag+
за авторством: R. S. Udovytska
Опубліковано: (2015)
за авторством: R. S. Udovytska
Опубліковано: (2015)
Medium wavelength infrared HgCdTe discrete photodetectors
за авторством: Z. F. Tsibrij, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Z. F. Tsibrij, та інші
Опубліковано: (2017)
Тепловизор на основе матричного фотоприемного устройства из 128×128 CdHgTe-фотодиодов
за авторством: Reva, V. P., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Reva, V. P., та інші
Опубліковано: (2010)
Brief history of THz and IR technologies
за авторством: F. F. Sizov
Опубліковано: (2019)
за авторством: F. F. Sizov
Опубліковано: (2019)
Detection of IR and sub/THz radiation using MCT thin layer structures: design of the chip, optical elements and antenna pattern
за авторством: F. F. Sizov, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: F. F. Sizov, та інші
Опубліковано: (2016)
Galvanomagnetic phenomena in HgMnTe and HgCdMnTe single crystals
за авторством: Ostapov, S.E., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ostapov, S.E., та інші
Опубліковано: (2004)
HgCrCdSe as an element of new heterostructure HgCrCdSe/HgMnTe
за авторством: Bekirov, B., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Bekirov, B., та інші
Опубліковано: (2012)
Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
Noise in HgCdTe LWIR arrays
за авторством: Sizov, F.F., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Sizov, F.F., та інші
Опубліковано: (2002)
Features of manufacturing Cd1–xZnxTe ionizing radiation detector
за авторством: Z. F. Tomashik, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Z. F. Tomashik, та інші
Опубліковано: (2013)
Application of CdTe (CdZnTe) detectors for radioactive waste characterization
за авторством: Dovbnya, N.A., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Dovbnya, N.A., та інші
Опубліковано: (2002)
Detectors based on Cd(Zn)Te semiconductors for x-ray and gamma radiation registration
за авторством: S. M. Levytskyi
Опубліковано: (2020)
за авторством: S. M. Levytskyi
Опубліковано: (2020)
Influence of radiation defects on the electrophysical and detector properties of CdTe:Cl irradiated by neutrons
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2020)
Properties of CdTe thin films prepared by hot wall epitaxy
за авторством: Bilevych, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Bilevych, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2004)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
Influence of impurities and structural defects on electrophysical and detector properties of CdTe and CdZnTe
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2019)
Photostimulated passivation of spectrometric CdZnTe detectors
за авторством: Zagoruiko, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Zagoruiko, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2008)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
за авторством: Tsybrii, Z. F., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Tsybrii, Z. F., та інші
Опубліковано: (2017)
CdZnTe- and TlBr-detectors response simulation for registration of the mixed beta- and gamma-radiation
за авторством: A. I. Skrypnik
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. I. Skrypnik
Опубліковано: (2015)
Thin Film Detector CdTe Structures with Schottky Barrier
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2013)
Increasing the radiation resistance of single-crystal silicon epitaxial layers
за авторством: Sh. D. Kurmashev, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Sh. D. Kurmashev, та інші
Опубліковано: (2014)
Experimental model of multidetector device based on CdZnTe detectors
за авторством: Batiy, V.G., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Batiy, V.G., та інші
Опубліковано: (2005)
Narrow-gap piezoelectric heterostructure as IR detector
за авторством: F. F. Sizov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: F. F. Sizov, та інші
Опубліковано: (2012)
Narrow-gap piezoelectric heterostructure as IR detector
за авторством: Sizov, F.F., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sizov, F.F., та інші
Опубліковано: (2012)
Active region of CdTe X-/γ-ray detector with Schottky diode
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2005)
Uncooled wide-range spectral optoelectronic devices on the base of HgCdTe semiconductor
за авторством: F. Sizov
Опубліковано: (2015)
за авторством: F. Sizov
Опубліковано: (2015)
Uncooled wide-range spectral optoelectronic devices on the base of HgCdTe semiconductor
за авторством: F. Sizov
Опубліковано: (2015)
за авторством: F. Sizov
Опубліковано: (2015)
Polyassociative thermodynamical model of A²B⁶ semiconductor melt and phase equilibrium in Cd-Hg-Te system: 3. Optimization of the thermodynamical functions of the model and quasi-binary structural diagram of Cd-Hg-Te system
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2005)
Isothermal growth kinetics of CdxHg₁₋xTe LPE layers
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2007)
Схожі ресурси
-
Passivation of CdHgTe epitaxial structures: ab initio calculations
за авторством: R. M. Balabai
Опубліковано: (2012) -
Studies of CdHgTe as a material for x- and γ-ray detectors
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2003) -
Role of mechanical stresses at ion implantation of CdHgTe solid solutions
за авторством: A. B. Smirnov, та інші
Опубліковано: (2013) -
Role of mechanical stresses at ion implantation of CdHgTe solid solutions
за авторством: O. B. Smirnov, та інші
Опубліковано: (2013) -
Study of the morphology of p-CdHgTe layers structured by grazing silver-ion beam irradiation
за авторством: A. B. Smirnov, та інші
Опубліковано: (2015)