High temperature strain sensors based on gallium phosphide whiskers
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автори: | A. O. Druzhynin, I. Y. Mariamova, O. P. Kutrakov |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2019
|
| Назва видання: | Technology and design in electronic equipment |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001034090 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Silicon whisker pressure sensors for noise reduction in silencers
за авторством: A. O. Druzhynin, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: A. O. Druzhynin, та інші
Опубліковано: (2021)
Dual-function pressure-temperature sensor based on silicon whiskers
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2013)
Properties of original and irradiated phosphide-gallium LEDs
за авторством: M. Y. Chumak, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: M. Y. Chumak, та інші
Опубліковано: (2024)
Sensor of hydrostatic pressure based on gallium antimonide microcrystals
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2015)
Strain induced effects in p-type silicon whiskers at low temperatures
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2012)
Peculiarities of electrooptical characteristics of gallium phosphide light-emitting diodes in high injection level conditions
за авторством: O. M. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. M. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2015)
Information and measuring system on the basis of strain sensors based on silicon microcrystals
за авторством: A. O. Druzhynin, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: A. O. Druzhynin, та інші
Опубліковано: (2018)
Self-propagating high-temperature synthesis of boron phosphide
за авторством: V. A. Mukhanov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. A. Mukhanov, та інші
Опубліковано: (2013)
Spin-orbit coupling in strained Ge whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2019)
Influence of 2 MeV electrons irradiation on gallium phosphide light-emitting diodes reverse currents
за авторством: V. H. Vorobiov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. H. Vorobiov, та інші
Опубліковано: (2015)
Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2019)
Berry phase in strained InSb whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2018)
Sensitive element of multifunctional sensor for measuring temperature, strain and magnetic field induction
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2017)
Silicon whisker pressure sensors for noise reduction in silencers: Датчики тиску на основі ниткоподібних кристалів кремнію для зниження шумових параметрів автоглушників
за авторством: Druzhinin, Anatoliy, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Druzhinin, Anatoliy, та інші
Опубліковано: (2021)
Low-temperature magnetoresistance of GaSb whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2017)
Superconductivity and weak anti-localization in GaSb whiskers under strain
за авторством: N. Liakh-Kaguy, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: N. Liakh-Kaguy, та інші
Опубліковано: (2019)
Elements of solid state electronics based on SOI-structures and Si whiskers for cryogenic temperatures
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2014)
Photoelectric converters based on porous gallium arsenide
за авторством: A. I. Kirilash, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. I. Kirilash, та інші
Опубліковано: (2012)
Simulation and Diagnostics of Strains in the Subsurface Layers of Gadolinium—Gallium Garnet Single Crystals Implanted with F+ Ions
за авторством: V. O. Kotsiubynskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. O. Kotsiubynskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
Two-functional sensor of magnetic field and deformation based on Si <B, Ni> microcrystals
за авторством: A. O. Druzhynin, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. O. Druzhynin, та інші
Опубліковано: (2017)
Technological bases forming porous space surface phosphide indium
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2014)
Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2015)
Excitonic photoconductivity of heterostructures based on gallium and indium selenides
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2017)
Development of high-stable contact systems to gallium nitride microwave diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2007)
The influence of SiC and Al2O3 whiskers on the properties of whisker-reinforced cBN-based composites
за авторством: Ju. Ju. Rumjantseva, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Ju. Ju. Rumjantseva, та інші
Опубліковано: (2019)
Mechanical properties of boron phosphides
за авторством: V. L. Solozhenko, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. L. Solozhenko, та інші
Опубліковано: (2019)
Critical fields and features of electromagnetic transport of Bi2Se3 whiskers at low temperatures
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2021)
On melting of boron phosphide under pressure
за авторством: Solozhenko, V.L., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Solozhenko, V.L., та інші
Опубліковано: (2015)
On melting of boron phosphide under pressure
за авторством: V. L. Solozhenko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. L. Solozhenko, та інші
Опубліковано: (2015)
Low-dimensional structures on the surface of indium phosphide
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2012)
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2012)
Plasma etching of gallium nitride based heterostructures in production of optoelectronic devices
за авторством: S. V. Dudin
Опубліковано: (2006)
за авторством: S. V. Dudin
Опубліковано: (2006)
Mechanical properties of HfB2 whiskers
за авторством: S. N. Dub, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: S. N. Dub, та інші
Опубліковано: (2013)
Three-barrier photodiodes based on gallium arsenide compounds for optical communication systems
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2009)
Investigation of defective structure of indium phosphide on the edges of digestion
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2012)
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2012)
Thermodynamic calculations of the Fe–Ga–N systems' melting diagram in the context of gallium nitrides' crystallization at high temperatures and pressure conditions
за авторством: V. Z. Turkevych, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: V. Z. Turkevych, та інші
Опубліковано: (2022)
Luminescent temperature sensor based on [Ru(bpy)₃]²⁺ incorporated into chitosan
за авторством: Tsvirko, M., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Tsvirko, M., та інші
Опубліковано: (2013)
Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2011)
Reinforcement of material based on the cubic boron nitride by the help of silicon carbide whiskers
за авторством: Yu. Yu. Rumiantseva, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Yu. Yu. Rumiantseva, та інші
Опубліковано: (2018)
Development of an Optical Temperature Sensor on Liquid Crystals
за авторством: V. Y. Skosar, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: V. Y. Skosar, та інші
Опубліковано: (2023)
Using electrochemical method based on copper indium gallium diselenide for solar cells industrial manufacture
за авторством: Ye. I. Sokol, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Ye. I. Sokol, та інші
Опубліковано: (2012)
Схожі ресурси
-
Silicon whisker pressure sensors for noise reduction in silencers
за авторством: A. O. Druzhynin, та інші
Опубліковано: (2021) -
Dual-function pressure-temperature sensor based on silicon whiskers
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2013) -
Properties of original and irradiated phosphide-gallium LEDs
за авторством: M. Y. Chumak, та інші
Опубліковано: (2024) -
Sensor of hydrostatic pressure based on gallium antimonide microcrystals
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2015) -
Strain induced effects in p-type silicon whiskers at low temperatures
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2012)