Quantum effects in a germanium quantum well with ultrahigh carrier mobility
Збережено в:
Дата: | 2019 |
---|---|
Автори: | I. B. Berkutov, V. V. Andrievskij, Ju. A. Kolesnichenko, O. A. Mironov |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2019
|
Назва видання: | Low Temperature Physics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001064486 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2018) -
The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2018) -
Germanium quantum well with two subbands occupied: kinetic properties
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2017) -
Germanium quantum well with two subbands occupied: kinetic properties
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2017) -
Interference effects in the Si–Ge heterostructures with quantum wells of different width
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2016)