Quantum effects in a germanium quantum well with ultrahigh carrier mobility
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автори: | I. B. Berkutov, V. V. Andrievskij, Ju. A. Kolesnichenko, O. A. Mironov |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2019
|
| Назва видання: | Low Temperature Physics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001064486 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2018)
Germanium quantum well with two subbands occupied: kinetic properties
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2017)
Interference effects in the Si–Ge heterostructures with quantum wells of different width
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2016)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
Electron tunneling in the germanium/silicon heterostructure with germanium quantum dots: theory
за авторством: S. I. Pokutnyi, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: S. I. Pokutnyi, та інші
Опубліковано: (2021)
Exciton condensation in quantum wells
за авторством: Sugakov, V.I.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Sugakov, V.I.
Опубліковано: (2006)
Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
за авторством: Yu. M. Gudenko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Yu. M. Gudenko, та інші
Опубліковано: (2011)
Optical parameters of nanocomposite films of porous aluminium oxide with quantum dots of silicon or germanium
за авторством: Ju. V. Ushenin, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ju. V. Ushenin, та інші
Опубліковано: (2013)
The effect of infrared illumination on quantum magnetotransport in strongly coupled n-InGaAs/GaAs double quantum wells
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2013)
HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2019)
Composition and concentration dependences of electron mobility in semi-metal Hg1-xCdxTe quantum wells
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2015)
Exciton condensation in quantum wells. Exciton hydrodynamics. The effect of localized states
за авторством: Sugakov, V.I.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Sugakov, V.I.
Опубліковано: (2014)
On the theory of the binding energy of exciton quasimolecules in germanium/silicon double quantum dots
за авторством: S. I. Pokutnyi, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: S. I. Pokutnyi, та інші
Опубліковано: (2022)
Effect of different parameters on the carrier mobility in NWTFET
за авторством: R. Marki, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: R. Marki, та інші
Опубліковано: (2020)
Fluctuations of piezoelectric polarization in III-nitride quantum wells
за авторством: A. V. Zinovchuk, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: A. V. Zinovchuk, та інші
Опубліковано: (2023)
Fluctuations of piezoelectric polarization in III-nitride quantum wells
за авторством: A. V. Zinovchuk, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: A. V. Zinovchuk, та інші
Опубліковано: (2023)
Features of magnetotransport in heterostructures with selectively doped quantum wells
за авторством: V. V. Vajnberg, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. V. Vajnberg, та інші
Опубліковано: (2014)
Temperature dependence of quantum lifetime in n-InGaAs/GaAs structures with double stronglycoupled quantum wells
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2013)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
Amplification of localized acoustic waves by the electron drift in a quantum well
за авторством: Demidenko, A. A., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Demidenko, A. A., та інші
Опубліковано: (1999)
Analysis of a quantum well structure optical integrated device
за авторством: Sh. M. Eladl, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Sh. M. Eladl, та інші
Опубліковано: (2017)
Interaction between an isotropic nanoparticle and drifting electrons in a quantum well
за авторством: V. A. Kochelap, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. A. Kochelap, та інші
Опубліковано: (2012)
The effect of the barrier width between coupled double quantum wells of GaAs/InGaAs/GaAs on the bipolar transport and THz emission of the hot carriers in the lateral electric field
за авторством: M. N. Vinoslavskij, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: M. N. Vinoslavskij, та інші
Опубліковано: (2020)
Oscillations of thermoelectric parameters of quantum wells lead chalcogenides
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2011)
Theory of the free-carrier absorption in quantum wires with boundary roughness scattering
за авторством: Ibragimov, G.B.
Опубліковано: (2003)
за авторством: Ibragimov, G.B.
Опубліковано: (2003)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
Ordered Dissipative Structures in Exciton Systems in Semiconductor Quantum Wells
за авторством: Chernyuk, A.A., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Chernyuk, A.A., та інші
Опубліковано: (2006)
Alloy scattering in quantum well wire structures of semiconductor ternaries
за авторством: Ibragimov, G.B.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Ibragimov, G.B.
Опубліковано: (2002)
Spin and charge effects caused by positively charged acceptors in GaAs/AlGaAs quantum wells
за авторством: P. V. Petrov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: P. V. Petrov, та інші
Опубліковано: (2015)
Two-dimensional semimetal in HgTe-based quantum wells
за авторством: Z. D. Kvon, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Z. D. Kvon, та інші
Опубліковано: (2011)
Interaction between an isotropic nanoparticle and drifting electrons in a quantum well
за авторством: V. O. Kochelap, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. O. Kochelap, та інші
Опубліковано: (2012)
Spin splitting of surface states in HgTe quantum wells
за авторством: Dobretsova, A.A., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Dobretsova, A.A., та інші
Опубліковано: (2019)
Exciton spectroscopy with a spatially separated electron and a hole in a Ge/Si heterostructure with germanium quantum dots
за авторством: S. I. Pokutnij
Опубліковано: (2018)
за авторством: S. I. Pokutnij
Опубліковано: (2018)
Pulses of the excitonic condensed phase in semiconductors with double quantum well at steady pumping: Size effects
за авторством: V. V. Mykhaylovskyy, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. V. Mykhaylovskyy, та інші
Опубліковано: (2018)
Pulses of the excitonic condensed phase in semiconductors with double quantum well at steady pumping: Size effects
за авторством: V. V. Mykhaylovskyy, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. V. Mykhaylovskyy, та інші
Опубліковано: (2018)
Interface roughness induced intrasubband scattering in a quantum well under an electric field
за авторством: Ibragimov, G.B.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Ibragimov, G.B.
Опубліковано: (2002)
Piezoelectrically active acoustic waves confined in a quantum well and their amplification by electron drift
за авторством: Demidenko, A.A., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Demidenko, A.A., та інші
Опубліковано: (2000)
Quantum Hall effect in p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures with low hole mobility
за авторством: Arapov, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Arapov, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2007)
Plateau–plateau transitions in the quantum Hall regime for a single quantum well heterostructure n-InGaAs/GaAs before and after IR illumination
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2015)
Схожі ресурси
-
The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2018) -
Germanium quantum well with two subbands occupied: kinetic properties
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2017) -
Interference effects in the Si–Ge heterostructures with quantum wells of different width
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2016) -
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013) -
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)