The quantum nature of the formation mechanisms of Ag monolayer structures on the monocrystalline semiconductor surfaces
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автори: | L. I. Karbovskaja, Ja. Kuznetsova, V. L. Karbovskij, S. S. Smoljak, V. A. Artemjuk |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2019
|
| Назва видання: | Progress in Physics of Metals |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001070683 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Formation of Oxide Monolayer on Mo(110) Surface
за авторством: V. D. Osovskij, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. D. Osovskij, та інші
Опубліковано: (2011)
Theoretical model for negative differential conductance in 2D semiconductor monolayers
за авторством: V. G. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. G. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2018)
Theoretical model for negative differential conductance in 2D semiconductor monolayers
за авторством: V. H. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. H. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2018)
Interface model of low temperature plasticity in high uniaxially strained monocrystalline semiconductors
за авторством: Venger, Ye.F., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Venger, Ye.F., та інші
Опубліковано: (2000)
Creation of spatial quantum filaments in the volume of monocrystalline silicon by the coulomb explosion
за авторством: V. P. Efimov
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. P. Efimov
Опубліковано: (2010)
Migration of interacting atoms in a surface monolayer
за авторством: A. S. Dolgov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. S. Dolgov, та інші
Опубліковано: (2013)
AFM Study of Surface of the Metallic Condensates on the Monocrystalline Silicon and Energy Parameters of Interface Interactions in the ‘Metallic Condensate—Semiconductor' System
за авторством: B. P. Koman, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: B. P. Koman, та інші
Опубліковано: (2015)
Polished surface roughness of optoelectronic components made of monocrystalline materials
за авторством: Ju. Filatov, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Ju. Filatov, та інші
Опубліковано: (2016)
Formation of monolayer ensembles of branched gold nanoparticles
за авторством: Beynik, T.G., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Beynik, T.G., та інші
Опубліковано: (2018)
Monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals
за авторством: Azarenkov, N.А., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Azarenkov, N.А., та інші
Опубліковано: (2016)
Scattering mechanisms of electrons in monocrystalline PbTe, PbSe and PbS
за авторством: Freik, D.M., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Freik, D.M., та інші
Опубліковано: (2002)
A mechanism of diamond-abrasive finishing of monocrystalline silicon carbide
за авторством: Ju. D. Filatov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ju. D. Filatov, та інші
Опубліковано: (2013)
Domain structure regularization in monocrystalline barium hexaferrite
за авторством: A. L. Nikytenko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: A. L. Nikytenko, та інші
Опубліковано: (2018)
Subroughness and morphological features of a surface of an amorphous Fe82Si4B14 alloy under heat treatment
за авторством: Kh. Kasijanenko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kh. Kasijanenko, та інші
Опубліковано: (2015)
Quantum-size effects in semiconductor heterosystems
за авторством: L. A. Matveeva, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: L. A. Matveeva, та інші
Опубліковано: (2017)
Luminescent and radiation characteristics of monocrystalline diamond powders
за авторством: O. G. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: O. G. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2019)
Surface luminescence of A2B6 semiconductor quantum dots (Review)
за авторством: D. V. Korbutiak, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: D. V. Korbutiak, та інші
Опубліковано: (2021)
Interaction of molecular oxygen with Si(001) surface covered with a chromium or titanium monolayer
за авторством: I. P. Koval, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: I. P. Koval, та інші
Опубліковано: (2015)
Interaction of molecular oxygen with Si(001) surface covered with a chromium or titanium monolayer
за авторством: I. P. Koval, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: I. P. Koval, та інші
Опубліковано: (2015)
On features of crystal structure of semiconductor-ferroelectric Ag3AsS3
за авторством: N. Borovoy, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: N. Borovoy, та інші
Опубліковано: (2013)
Increasing the specularity of surface scattering of conduction electrons caused by adsorption of a hydrogen monolayer on the W(110) surface
за авторством: S. V. Sologub, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: S. V. Sologub, та інші
Опубліковано: (2016)
Increasing the specularity of surface scattering of conduction electrons caused by adsorption of a hydrogen monolayer on the W(110) surface
за авторством: Sologub, S.V., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Sologub, S.V., та інші
Опубліковано: (2016)
The model of clusters formation on the surface of semiconductor crystals of the A3B5 group
за авторством: Ja. A. Sychikova
Опубліковано: (2015)
за авторством: Ja. A. Sychikova
Опубліковано: (2015)
Acoustic conversion of quantum states in semiconductors
за авторством: N. S. Averkiev, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: N. S. Averkiev, та інші
Опубліковано: (2011)
Electronic structure of FeSe monolayer superconductors
за авторством: Nekrasov, I.A., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Nekrasov, I.A., та інші
Опубліковано: (2016)
Orientational ordering in monolayers of ortho–para hydrogen
за авторством: Kokshenev, V.B., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Kokshenev, V.B., та інші
Опубліковано: (2003)
Excitonic Instability and Gap Generation in Monolayer Graphene
за авторством: Gamayun, O.V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Gamayun, O.V., та інші
Опубліковано: (2010)
Photocatalytic formation of the ZnO/Ag2S nanoheterostructures
за авторством: V. V. Shvalagin, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. V. Shvalagin, та інші
Опубліковано: (2014)
Electronic structure of FeSe monolayer super-conductors
за авторством: I. A. Nekrasov, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: I. A. Nekrasov, та інші
Опубліковано: (2016)
Semi-classical hydrodynamics of a quantum Kane model for semiconductors
за авторством: L. Barletti, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: L. Barletti, та інші
Опубліковано: (2014)
X-Ray Spectral Examinations of Amorphous Metallic Fe82Si4B14 Alloy
за авторством: Kh. Kasijanenko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kh. Kasijanenko, та інші
Опубліковано: (2015)
Efect of metal on the surface characteristics of semiconductor
за авторством: L. H. Ilchenko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: L. H. Ilchenko, та інші
Опубліковано: (2011)
Microhardness of helium-ion implanted iron-yttrium granate monocrystalline films
за авторством: V. V. Kurovets, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. V. Kurovets, та інші
Опубліковано: (2012)
Influence of deep-level impurities on the strain electric properties of monocrystalline silicon
за авторством: S. Zainabidinov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. Zainabidinov, та інші
Опубліковано: (2017)
Influence of deep-level impurities on the strain electric properties of monocrystalline silicon
за авторством: S. Zainabidinov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. Zainabidinov, та інші
Опубліковано: (2017)
Genesis of initial defects in the process of monocrystalline silicon oxidation with subsequent scribing
за авторством: V. A. Smyntyna, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. A. Smyntyna, та інші
Опубліковано: (2010)
Chlorine atomic chains on Ag(111) surface
за авторством: N. V. Petrova, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: N. V. Petrova, та інші
Опубліковано: (2012)
Chlorine atomic chains on Ag(111) surface
за авторством: N. V. Petrova, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: N. V. Petrova, та інші
Опубліковано: (2012)
Monopolar photoconductivity of the inversion layer and "slow"-surface levels in the structures of macroporous and monocrystalline silicon in condition of strong surface lighting
за авторством: N. I. Karas, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: N. I. Karas, та інші
Опубліковано: (2018)
Physical mechanisms providing formation of ohmic contacts metal-semiconductor (Review)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2018)
Схожі ресурси
-
Formation of Oxide Monolayer on Mo(110) Surface
за авторством: V. D. Osovskij, та інші
Опубліковано: (2011) -
Theoretical model for negative differential conductance in 2D semiconductor monolayers
за авторством: V. G. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2018) -
Theoretical model for negative differential conductance in 2D semiconductor monolayers
за авторством: V. H. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2018) -
Interface model of low temperature plasticity in high uniaxially strained monocrystalline semiconductors
за авторством: Venger, Ye.F., та інші
Опубліковано: (2000) -
Creation of spatial quantum filaments in the volume of monocrystalline silicon by the coulomb explosion
за авторством: V. P. Efimov
Опубліковано: (2010)