The quantum nature of the formation mechanisms of Ag monolayer structures on the monocrystalline semiconductor surfaces
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автори: | L. I. Karbovskaja, Ja. Kuznetsova, V. L. Karbovskij, S. S. Smoljak, V. A. Artemjuk |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2019
|
| Назва видання: | Progress in Physics of Metals |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001070683 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Formation of Oxide Monolayer on Mo(110) Surface
за авторством: V. D. Osovskij, та інші
Опубліковано: (2011) -
Theoretical model for negative differential conductance in 2D semiconductor monolayers
за авторством: V. G. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2018) -
Theoretical model for negative differential conductance in 2D semiconductor monolayers
за авторством: V. H. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2018) -
Interface model of low temperature plasticity in high uniaxially strained monocrystalline semiconductors
за авторством: Venger, Ye.F., та інші
Опубліковано: (2000) -
Migration of interacting atoms in a surface monolayer
за авторством: A. S. Dolgov, та інші
Опубліковано: (2013)