Зображення обкладинки

Current-voltage characteristics of the injection photodiode based on M(In)-nCdS-pSi-M(In) structure

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2019
Автори:	I. B. Sapaev, B. Sapaev, D. B. Babajanov
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2019
Назва видання:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001073622
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Influence of the ultrasonic irradiation on properties of the injection sensor based on pSi-nCdS-n+CdS — structure and surface states density pSi-nCdS — heterojunction
за авторством: I. B. Sapaev, та інші
Опубліковано: (2014)

The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n+CdS heterostructures
за авторством: I. B. Sapaev
Опубліковано: (2013)

Mechanism of photocurrent amplification in injection photodiodes based on a photosensitive polycrystalline CdS film
за авторством: I. B. Sapaev, та інші
Опубліковано: (2015)

Investigation of electrical and photovoltaic properties In-CdSxTe1-x-Si-In structure
за авторством: I. B. Sapaev
Опубліковано: (2013)

p-n junctions obtained in (Ge₂)x(GaAs)₁₋x varizone solid solutions by liquid phase epitaxy
за авторством: Sapaev, B., та інші
Опубліковано: (2005)

Injection current and infrared photosensitivity in isotype p-PbTe/p-CdTe heterojunctions
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2013)

Injection current and infrared photosensitivity in isotype p-PbTe/p-CdTe heterojunctions
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)

Sublinear reverse current-voltage characteristics of thick film structures based on CdTe
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2014)

Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2013)

Shunt current in InAs diffused photodiodes
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2020)

Influence of the photodiode spectral sensitivity on the temperature estimation by sxr using thin filtering foils in Uragan-3M
за авторством: Dreval, M.B., та інші
Опубліковано: (2020)

Spectral Properties of Mn+CdS-nCdShTe1-x-pZnhCd1-xTe-Mo structures for an injection photodetector
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2013)

M. P. Vasylenko: pages of the great life
за авторством: I. B. Usenko
Опубліковано: (2016)

Varistor-like current-voltage characteristic of porous silicon
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (1999)

Current–voltage characteristics of Nb–carbon–Nb junctions
за авторством: I. P. Nevirkovets, та інші
Опубліковано: (2014)

Current–voltage characteristics of Nb–carbon–Nb junctions
за авторством: Nevirkovets, I.P., та інші
Опубліковано: (2014)

Spectral photosensitivity of diffused Ge-p–i–n photodiods
за авторством: A. V. Fedorenko
Опубліковано: (2020)

Silicon p-i-n photodiode with increased pulse sensitivity
за авторством: M. S. Kukurudziak, та інші
Опубліковано: (2021)

Current-voltage characteristics of double tunnel contacts Co2CrAl–I–Pb/Sn–I–Pb at spin-polarized tunnel injection
за авторством: E. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2012)

M. P. Vasulenko as the founder of the Ukrainian historical and legal science
за авторством: I. B. Usenko
Опубліковано: (2016)

Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2011)

InAs photodiodes (review)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2015)

The dynamics of magnetic flux penetration into superconductors with power-law current-voltage characteristics
за авторством: N. A. Tajlanov, та інші
Опубліковано: (2020)

Electrophysical and photoelectric characteristics of a three-barrier photodiode GaAs structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2018)

Problems of chemical-dynamic polishing in the technology of silicon p-i-n photodiodes
за авторством: M. S. Kukurudziak
Опубліковано: (2023)

Anniversary of Academician M. P. Vasilenko
за авторством: O. O. Malyshev
Опубліковано: (2016)

Investigation of combinational characteristics of domestic radio-stable fabrics M1, M2 and M3
за авторством: Yaremchuk, Yu. E., та інші
Опубліковано: (2015)

The optical spectrum memory in a p-CdTe-SiO2-Si film heterostructure
за авторством: N. Alimov, та інші
Опубліковано: (2009)

Influence of working gas pulse injection and fluctuations of the magnetic field on the runaway electrons dynamics in Uragan-3M
за авторством: Tarasov, I.K., та інші
Опубліковано: (2019)

Asymptotic behavior of extreme values of queue length in M/M/m systems
за авторством: B. V. Dovhai, та інші
Опубліковано: (2019)

Anti-reflection coatings based on SnO2, SiO2, Si3N4 films for photodiodes operating in ultraviolet and visible spectral ranges
за авторством: Yu. G. Dobrovolskiy, та інші
Опубліковано: (2011)

Determination of the Schottky barrier height in diodes based on Au-TiB2-n-SiC 6H from the current-voltage and capacitance-voltage characteristics
за авторством: Ya. Ya. Kudryk, та інші
Опубліковано: (2014)

The device that simulates current-voltage characteristics of the PV battery physically
за авторством: R. V. Antipenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Classification of methods for measuring current-voltage characteristics of semiconductor devices
за авторством: E. A. Ermolenko
Опубліковано: (2014)

Designing bandpass filters in 8 – 14 μm range for Si and Ge substrates
за авторством: Asghar, M.H., та інші
Опубліковано: (2004)

High-temperature injection spectroscopy of deep traps in CdTe polycrystalline films
за авторством: Opanasyuk, A.S., та інші
Опубліковано: (2003)

To the 75-th Anniversary of P. M. MELEZHYK
за авторством: ,
Опубліковано: (2025)

Evolution of plasma density, its fluctuations and E×B rotation after carbon injection in the Uragan-3M torsatron
за авторством: Berezhniy, V.L., та інші
Опубліковано: (2002)

Estimation of frequency characteristics of photodiode determined by motion of charge carriers in the space-charge region
за авторством: Danilyuk, A.I., та інші
Опубліковано: (2006)

High-resistivity p-type silicon-based p-i-n photodiode with high responsivity at the wavelength of 1060 nm
за авторством: M. S. Kukurudziak, та інші
Опубліковано: (2020)